井戸型ポテンシャルの英語

薬物および電解質の存在を必要としない他の分子用の複数井戸型送達デバイスを提供すること、ならびに薬物と導電性リザーバキャップを必要としないか、または電気ポテンシャルの付与を指向しない他の分子とを能動放出する複数井戸型送達デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-well type delivery device for different molecules, not requiring the existence of chemical substance and electrolyte, and to provide a multi-well type delivery device, not requiring chemical substance and a conductive reservoir cap, or actively releasing different molecules, not directing application of electric potential. - 特許庁

多重量子井戸の障壁層中に，電子・正孔のうち片方のキャリヤ（通常は正孔）のみを閉じ込めるポテンシャルを有するｔｙｐｅ−ＩＩ型量子ドットを，埋め込み成長する。例文帳に追加

A type-II version quantum dot which has potential to shut only carrier (usually holes) of one out of electrons/holes is subjected to padding and growth in a barrier layer of a multiple quantum well. - 特許庁

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。例文帳に追加

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24). - 特許庁

本発明の光検知装置におけるＭＱＷ構造は、ｎ−ＧａＡｓ層２１上に量子井戸ポテンシャルを有するＧａＡｓ層２２と量子井戸に対するポテンシャルの障壁を有するＡｌＧａＡｓ層２３とを交互に複数積層成長させ、最上層にＩｎバンプ１５との良好な接続を確保するためのｎ−ＧａＡｓ層２４が形成されてなり、各ＡｌＧａＡｓ層２３には、ＧａＡｓ層２２から見たＧａＡｓ基板１１側の界面に選択的にｎ^+型不純物２５、一般的にＳｉが選択的にドーピングされている。例文帳に追加

The optical sensor has an MQW structure formed such that a plurality of GaAs layers 22 having quantum well potentials and a plurality of AlGaAs layers 23 having potential barriers against quantum wells are alternately grown on an n-GaAs layer 21 and an n-GaAs layer 24 for ensuring a good connection to In bumps 15 is formed as an uppermost layer. - 特許庁