亜鉛双結晶の英語

硫化亜鉛双晶ナノウィスカーが再結晶化して、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーになると共に、この表面に窒化ホウ素膜が成長する。例文帳に追加

According to this method, the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers recrystallize into zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having spiniform branches, and a boron nitride film grows on their surfaces. - 特許庁

この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。例文帳に追加

The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches. - 特許庁

本発明では、亜鉛を１０重量％〜４０重量％含む黄銅であって、複数のラメラ状結晶と、内部に焼鈍双晶を有する複数の再結晶粒と、を含む微細組織を有することを特徴とする黄銅が提供される。例文帳に追加

The brass contains 10-40 wt.% zinc, and has fine structure including a plurality of lamellar crystals and a plurality of recrystallized grain having annealed twin crystals its inside. - 特許庁

垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。例文帳に追加

To obtain a compound semiconductor single crystal having a sphalerite-type structure, such as GaAs, in a high yield while suppressing the generation of a twin crystal in a crystal diameter increasing part without using complicated equipment, in the manufacture of a single crystal having about (100) orientation by a vertical Bridgman method. - 特許庁