六フッ化タングステンの英語

次に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスの導入をある時間にわたって停止する。例文帳に追加

Introduction of tungsten hexafluoride gas and monosilane gas is then stopped for a predetermined time. - 特許庁

タングステンとフッ素化剤とを接触反応させて六フッ化タングステン（ＷＦ_６）を製造する方法において、密閉した反応器内にタングステン粉末を投入し、ここに加圧された不活性ガスを噴射してタングステン粉末を流動化させ、ここに加圧されたガス状フッ素化剤とタングステン粉末を連続的に供給して流動化状態で接触反応させる、流動化反応器を用いる六フッ化タングステンの製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for production of tungsten hexafluoride (WF_6) using the fluidization reactor includes: introducing tungsten powder into a closed reactor; spraying a pressurized inert gas onto the tungsten powder to fluidize it; and continuously supplying the tungsten powder and a pressurized gaseous fluorinating agent to the fluidized bed of tungsten powder to perform a contact reaction in such a fluidized state. - 特許庁

容易かつ低コストで、従来より高純度の六フッ化タングステンの製造が可能な高純度六フッ化タングステンの精製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for purifying high-purity tungsten hexafluoride at a low cost enabling the easy production of tungsten hexafluoride having a purity higher than the purity attainable by conventional method. - 特許庁

この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。例文帳に追加

Thereafter, the plasma is extinguished and tungsten hexafluoride gas is introduced in addition to the ammonia gas to grow a nitirde tungsten thin film 24 on the surface of the substrate. - 特許庁

発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。例文帳に追加

For the heating element 3, a coating film of tungsten of which the impurity metal content is ≤0.01 weight% is formed on a surface of a base member made of tungsten, by an electron beam vapor deposition method taking tungsten powder of which the impurity metal content is ≤0.01 weight%, as an evaporation source or a chemical vapor deposition method using reduction with hydrogen of tungsten hexafluoride. - 特許庁

少なくとも砒素あるいは砒素含有化合物を不純物として含む六フッ化タングステンを冷却脱気または蒸留で精製するに際し、該六フッ化タングステンとフッ素ガスと接触させ、該不純物を五フッ化砒素とした後、分離精製する。例文帳に追加

At the time of refining the tangsten hexafluoride containing at least an arsenic or an arsenic containing compound as an impurity by cooling deaeration or distillation, a fluoride gas is brought into contact with the tangsten hexafluoride, which is refined after making the impurity turn into arsenic pentafluoride and separating the impurity. - 特許庁

不純物として六フッ化モリブデンを含有する六フッ化タングステンを、モリブデン、タングステン、銅、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛、チタン、アルミニウム、カルシウム、及びマグネシウムのうち、少なくとも一つを含む金属または合金を充填した層に０〜１００℃の温度で接触させることを特徴とする高純度六フッ化タングステンの精製方法。例文帳に追加

Tungsten hexafluoride containing molybdenum hexafluoride as an impurity is brought into contact with a layer filled with metal or alloy containing at least one metal selected from molybdenum, tungsten, copper, nickel, iron, cobalt, zinc, titanium, aluminum, calcium and magnesium at 0-100°C. - 特許庁

まず、基板が収容された真空チャンバ内に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスをある時間にわたって導入する。例文帳に追加

Tungsten hexafluoride gas and monosilane gas are first introduced in a vacuum chamber where the substrate is housed for a predetermined time. - 特許庁