六方柱の英語

基板主面の平坦性が向上した、特に六方柱状晶（コラム）を含まないウルツァイト型基板を形成できるようにする。例文帳に追加

To form a wurtzite type substrate which is improved in the flatness of the main surface of the substrate and does not particularly contain hexagonal columnar crystals (columns). - 特許庁

これにより、従来のように（０００１）面を主面とするウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板上に半導体結晶を成長した場合のような六方柱状晶を含むことがない。例文帳に追加

As a result, the substrate does no contain the hexagonal columnar crystals as in the case the semiconductor crystal is grown on the semiconductor substrate having the crystalline structure of the wurtzite type having the (0001) face as its main surface like heretofore. - 特許庁

柱状導電体は、例えば、カーボンナノチューブからなり、中心間隔が（√２）ｈ以上で正方格子状に配置され、或いは、中心間隔が（√３）ｈ以上で六方格子状に配置される。例文帳に追加

The columnar conductors are made of, for example, carbon nanotubes, and arranged in a square lattice shape having a center interval of ≥(√2)h, or arranged in a hexagonal lattice shape having a center interval of ≥(√3)h. - 特許庁

本発明は、時効析出現象を示すマグネシウム合金であって、マグネシウム（六方稠密構造）の柱面である（1120）面に前記時効析出現象による板状の非希土類金属元素からなる析出物が析出していることを特徴とする。例文帳に追加

In the magnesium alloy exhibiting an age precipitation phenomenon, the precipitates of planar non-rare earth metal elements by the age precipitation phenomenon are precipitated on the (1120) face as the planar face of magnesium (with a hexagonal dense structure). - 特許庁

六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。例文帳に追加

An intermediate layer (IL) having a hexagonal close packing (hcp) crystal structure, and made from Ru or Ru alloy, is vapor-deposited in a sputter pressure substantially lower than before, so that a columnar structure of the intermediate layer decreases more than before, and a surface of the intermediate layer becomes smoother than before. - 特許庁

柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。例文帳に追加

In the hexagonal system wurtzite type compound single crystal represented by AX (A is a positive element and X is a negative element) obtained by performing crystal growth with respect to at least m surface from a columnar seed crystal, concentrations of a divalent metal and a trivalent metal among other than the positive element A are ≤10 ppm and also dispersion of their concentrations are not more than 100% respectively. - 特許庁