前記マスクパターンの英語

前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。例文帳に追加

In the flare value calculation method, an average light intensity in the case of performing exposure processing to a substrate using a mask pattern group in which mask patterns created with two or more kinds of sizes are arranged is calculated for every above-mentioned mask pattern. - 特許庁

前記第１および第２マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板をエッチングする。例文帳に追加

The substrate is etched by using the first and second mask patterns as an etching mask. - 特許庁

前記基板内に前記マスクパターンと自己整列されたフォトダイオードが提供される。例文帳に追加

The mask pattern and self-aligned photodiode are formed in the substrate. - 特許庁

本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first mask pattern on a layer to be etched; forming a second mask pattern on the layer to be etched; forming a spacer on the sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern; and etching the layer to be etched on the basis of an etching mask in which the second mask pattern was removed. - 特許庁

その後、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する。例文帳に追加

After that, a preliminarily created master pattern is corrected on the basis of the oblique incidence effect. - 特許庁

前記オプション処理はボンディング、マスクパターン又はヒューズにより行われる。例文帳に追加

The option processing is performed by bonding, a mask pattern, or a fuse. - 特許庁

化学的付着工程により前記第１マスクパターンに隣接した前記反応膜を反応させて前記第１マスクパターンの外壁に沿って前記犠牲膜を形成する。例文帳に追加

The reactive layer adjacent to the first mask patterns is reacted using a chemical attachment process, thereby forming sacrificial layers along outer walls of the first mask patterns. - 特許庁

マスクパターン作成ステップは、前記ＯＰＣ処理が行われたパターンから前記ＯＰＣ後のセルを抽出することによって前記セル毎のマスクパターンを作成する。例文帳に追加

In a mask pattern preparation step, a mask pattern of each cell is prepared by extracting a cell after the OPC from the pattern subjected to the OPC process. - 特許庁