| 意味 | 例文 (696件) |
mask patternsとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
「mask patterns」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 696件
The mask patterns for odd number column and the mask patterns for even number column are separatedly provided.例文帳に追加
奇数カラム用のマスクパターンと偶数カラム用のマスクパターンを個別に用意する。 - 特許庁
To efficiently produce a mask having required mask patterns.例文帳に追加
所望のマスクパターンを有するマスクを効率良く製造する。 - 特許庁
A mask film is flattened by covering a gap between line-type patterns with the mask.例文帳に追加
ラインタイプパターン間をマスク膜で覆ってマスク膜を平坦化する。 - 特許庁
The substrate is etched by using the resist patterns as a mask.例文帳に追加
レジストパターンをマスクに用いて、基板をエッチングする。 - 特許庁
Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.例文帳に追加
そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「mask patterns」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 696件
A mask 3 is the one having a plurality of patterns, and the analogous patterns to the patterns to be formed on a sample 7 are built in the mask 3 previously.例文帳に追加
マスク3は複数のパターンをもつマスクであり、試料7上に形成するパターンの相似パターンがあらかじめ作りこまれている。 - 特許庁
The sacrificial layers are removed to expose the first and second mask patterns and the substrate between the first and second mask patterns.例文帳に追加
前記犠牲膜を除去して前記第1および第2マスクパターンと共にその間の前記基板を露出させる。 - 特許庁
Second mask patterns are formed between the sacrificial layers adjacent to sidewalls of the first mask patterns facing each other.例文帳に追加
前記第1マスクパターンの向い合う側壁と隣接した前記犠牲膜との間に第2マスクパターンを形成する。 - 特許庁
A lower hard mask 109 is etched using the first and second etching mask patterns to form a hard mask pattern.例文帳に追加
第1及び第2のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク109をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁
Mask patterns, including patterns 40 corresponding to openings, patterns 41 corresponding to grooves, and dummy patterns 50-55 not transferred onto photoresist, are formed on a photo mask 34.例文帳に追加
開口部に対応するパターン40と、溝に対応するパターン41と、フォトレジストに転写されないダミーパターン50〜55とを含むマスクパターンが、フォトマスク34に設けられている。 - 特許庁
The fine hole patterns are formed by using the mask arranged with the negative resist and the auxiliary patterns.例文帳に追加
ネガレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (696件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
「mask patterns」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|