「mask patterns」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To form mask patterns having partially different thicknesses.例文帳に追加

部分的に厚みの異なるレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A mask 3 is the one having a plurality of patterns, and the analogous patterns to the patterns to be formed on a sample 7 are built in the mask 3 previously.例文帳に追加

マスク３は複数のパターンをもつマスクであり、試料７上に形成するパターンの相似パターンがあらかじめ作りこまれている。 - 特許庁

The solder mask 30 is composed of mask patterns 31 used for supplying solder for mounting a ground terminal at the center, and the mask patterns 32 used for supplying the solder for mounting a signal terminal at the peripheries of the mask patterns 31.例文帳に追加

半田マスク３０を、中央部にグランド端子の実装用半田の供給に用いるマスクパターン３１と、その周辺に信号端子の実装用半田の供給に用いるマスクパターン３２とから構成する。 - 特許庁

The fine hole patterns are formed by using the mask arranged with the negative resist and the auxiliary patterns.例文帳に追加

ネガレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する。 - 特許庁

The substrate is etched by using the first and second mask patterns as an etching mask.例文帳に追加

前記第１および第２マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板をエッチングする。 - 特許庁

Second mask patterns are formed between the sacrificial layers adjacent to sidewalls of the first mask patterns facing each other.例文帳に追加

前記第１マスクパターンの向い合う側壁と隣接した前記犠牲膜との間に第２マスクパターンを形成する。 - 特許庁

The sacrificial layers are removed to expose the first and second mask patterns and the substrate between the first and second mask patterns.例文帳に追加

前記犠牲膜を除去して前記第１および第２マスクパターンと共にその間の前記基板を露出させる。 - 特許庁

Width in the transverse direction of the laminated region is the same between adjacent mask patterns in a plurality of different mask patterns.例文帳に追加

積層領域の短手方向の幅は、異なる複数のマスクパターンにおける隣接するマスクパターン間で同一になるようにする。 - 特許庁

To make mask patterns able to be more exactly evaluated by taking the acceptance or rejection of a pattern relief into consideration in evaluating the mask patterns.例文帳に追加

マスクパターンを評価するに際して、パターン救済の可否を考慮することで、より正確なマスクパターンの評価を行うことが出来るのである。 - 特許庁

To provide a photomask formed with mask patterns with high accuracy.例文帳に追加

高精度にてマスクパターンが形成されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁

A reactive layer is formed on the substrate having the first mask patterns.例文帳に追加

前記第１マスクパターンを有する基板上に反応膜を形成する。 - 特許庁

A third mask pattern is formed between the first patterns.例文帳に追加

第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The substrate is etched by using the resist patterns as a mask.例文帳に追加

レジストパターンをマスクに用いて、基板をエッチングする。 - 特許庁

As a mask used for the photolithography, a mask 14 is used in which each of the mask patterns 16 corresponding to the photoresist patterns respectively includes sub-island patterns 20 at its four corners 18, each of the sub-island patterns 20 extending outward in the diagonal direction of the mask pattern 16.例文帳に追加

ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。 - 特許庁

The insulating film 2 is processed by the use of the first and second mask patterns.例文帳に追加

第１と第２マスクパターンを用いて絶縁膜２を加工する。 - 特許庁

To more exactly determine the contraction rates of the patterns drawn on a mask.例文帳に追加

マスクに描画されたパターンの拡縮率をより正確に求める。 - 特許庁

To form patterns of various sizes with a single chromeless mask.例文帳に追加

クロムレスマスク単独で、様々の大きさのパターンの形成を行う。 - 特許庁

The apparatus for designing mask patterns designs the masks used in the production of the semiconductor devices which are different in size to each other and the mask patterns are designed in such a manner that all of the several kinds of mask patterns are equipped to each semiconductor device.例文帳に追加

互いに大きさが異なる半導体装置の製造に用いられるマスクのマスクパターン設計装置であって、いくつかの種類のマスクパターンの全てが各半導体装置に備えられるように、マスクパターンを設計する。 - 特許庁

Mask patterns with semicircle-shaped cross section 62 and mask patterns with V-shaped cross section 65 are formed with different opening widths 63, 64 from each other, and sand blast process is applied to the mask patterns 62, 65.例文帳に追加

半円形の断面形状のマスクパターン６２とＶ字形の断面形状のマスクパターン６５とを、それぞれ、異なる開口幅６３、６４を持って形成し、マスクパターン６２、６５をマスクとしてサンドブラスト加工を行う。 - 特許庁

Mask patterns, including patterns 40 corresponding to openings, patterns 41 corresponding to grooves, and dummy patterns 50-55 not transferred onto photoresist, are formed on a photo mask 34.例文帳に追加

開口部に対応するパターン４０と、溝に対応するパターン４１と、フォトレジストに転写されないダミーパターン５０〜５５とを含むマスクパターンが、フォトマスク３４に設けられている。 - 特許庁

Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.例文帳に追加

そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁

A lower hard mask 109 is etched using the first and second etching mask patterns to form a hard mask pattern.例文帳に追加

第１及び第２のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク１０９をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

Several mask patterns having different patterns are composed by an optical composition member and the same region on a wafer surface is scanned and exposed through the several mask patterns in sequence or simultaneously and in the same way by a projection optical system with synchronism between the several mask patterns and the wafer.例文帳に追加

互いに異なるパターンを有する複数のマスクパターンを光合成部材で合成して、投影光学系によってウエハ面上の同一領域を順次又は同時に該複数のマスクパターンと該ウエハを互いに同期をとって同じに走査して露光していることを投影露光していること。 - 特許庁

A mask pattern switching part 13 switches at least two different mask patterns, and controls so that the different mask patterns are displayed on the transparent EL display 14 and the different mask patterns are transferred onto the same wafer 2.例文帳に追加

マスクパターン切換え部１３は、少なくとも２つの異なるマスクパターンを切換えて、透明ＥＬディスプレイ１４に異なるマスクパターンを表示させて、同一のウェハ２上に異なるマスクパターンが転写されるように制御を行なう。 - 特許庁

To provide an inspection device for mask patterns which are used for an exposure device for manufacturing a semiconductor device by performing patternwise exposure of a mask to a substrate, the inspection device for the mask patterns being capable of inspecting inclusion of mutually different mask patterns in inclusion relation on the object substrate.例文帳に追加

基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置において、包含関係にある相異なるマスクパターンの対象基板上での包含の検査が出来るマスクパターンの検査装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of sets of mask patterns for determining whether or not allowing the ink injection from each recording head in the overlapped areas are arranged and a set of mask patterns is selected by a user from the plurality sets of mask patterns in every boundary (seams 1 to 5) in a mask set screen.例文帳に追加

このオーバーラップした領域において各記録ヘッドからのインク吐出を許可するか否かを定めるマスクパターンを複数組用意しておき、マスク設定画面で、境界（つなぎ１〜５）毎に複数組のマスクパターンから一組のマスクパターンをユーザに選択させる。 - 特許庁

The etching mask patterns of the first mask structure and the second mask structure are etched isotropically to remove the etching mask pattern from the first mask structure.例文帳に追加

第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。 - 特許庁

For example, the mask for phase difference measurement in which halftone film mask parts 10 and shielding film mask parts 10b coexist is formed by removing part of the light shielding patterns 13' of the mask body before finishing the halftone mask.例文帳に追加

たとえば、ハーフトーン・マスクを仕上げる前に、マスク本体の遮光膜パターン１３’の一部を除去し、ハーフトーン膜マスク部１０ａと遮光膜マスク部１０ｂとが混在する位相差測定用マスクを作成する。 - 特許庁

When data of the mask patterns of a phase shifting mask are drawn up, the pattern data are separated into an actual pattern data layer having data of actual patterns and a phase shifting pattern data layer having data of the phase shifting patterns and the mask patterns are examined to find whether they satisfy the rule of the interval between identical phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become identical with each other.例文帳に追加

位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデータを有する実パターンデータ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。 - 特許庁

Then, an amount of pattern correction to the mask patterns according to information with regard to the size of the mask patterns and the average light intensity is calculated for every mask pattern.例文帳に追加

そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。 - 特許庁

A mask body 6 in a vapor deposition mask 1 is composed of thin film-shaped first mask layers 3 provided with opening patterns 3a and second mask layers 5 having opening windows 5a including the opening patterns 3a and provided so as to be superimposed on the first mask layers 3, thus the film thickness of the mask body 6 is made large while holding the shape accuracy of the opening patterns 3a.例文帳に追加

開口パターン３ａが設けられた薄膜状の第１マスク層３と、開口パターン３ａを包含する開口窓５ａを有し第１マスク層３に重ね合わせて設けられた第２マスク層５とで、蒸着マスク１におけるマスク本体６を構成することにより、開口パターン３ａの形状精度を維持しつつマスク本体６を厚膜化した。 - 特許庁

To provide a photomask which can transfer patterns of desired pattern sizes by correcting the mask patterns of the photomask in a microunit.例文帳に追加

フォトマスクのマスクパターンを微小単位で補正し、所望パターン寸法のパターンを転写することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

Fine irregularity patterns 4 are formed on the surface of the low scattering layer 3 with the resist patterns 6 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン６をマスクにして低散乱層３の表面に微細な凹凸パターン４を形成する。 - 特許庁

Two etching mask patterns 2 and two double-end supported beam type patterns 3 are formed on a silicon substrate 1 (Fig.1(A), Fig.1(B)).例文帳に追加

シリコン基板１上に２つのエッチングマスクパターン２および２本の両持ち梁型パターン３を形成する（図１（Ａ）、図１（Ｂ））。 - 特許庁

The sidewall patterns 8a, 8b are transferred to the processed layer 2 by etching the processed layer 2 making the sidewall patterns 8a, 8b as the mask.例文帳に追加

側壁パターン８ａ，８ｂをマスクとして被加工層２をエッチングして被加工層２に側壁パターン８ａ，８ｂを転写する。 - 特許庁

The patterns for the inspection are the patterns of corners having sides orthogonal with each other corresponding to each of the four corners of the mask.例文帳に追加

検査用パターンは、マスクの四隅の各々に対応した、互いに直交する辺を有するコーナーのパターンである。 - 特許庁

To improve the performance of defect inspection by subjecting the patterns transferred onto a substrate, such as a wafer, to the defect inspection of the mask patterns.例文帳に追加

マスクパターンの欠陥検査を、ウエハ等の基板上に転写したパターンに対して行い、欠陥検出性能を向上させる。 - 特許庁

When linear patterns arranged at specified intervals are formed through a mask, a plurality of divided patterns divided in longitudinal direction are sequentially formed, and these divided patterns are joined to each other to form the linear patterns.例文帳に追加

所定の間隔で配列される線状パターンをマスクを介して成膜するに際し、長手方向において分割された複数の分割パターンを順次成膜し、これらを繋ぎ合わせることで線状パターンとする。 - 特許庁

The second mask patterns 28B have main light transparent patterns 26c1, plural auxiliary light t transparent patterns 26c2 arranged at their circumferences and phase shifters S arranged on the main light transparent patterns 26c1.例文帳に追加

第２のマスクパターン２８Ｂは、主光透過パターン２６ｃ１と、その周囲に配置された複数の補助光透過パターン２６ｃ２と、主光透過パターン２６ｃ１に配置された位相シフタＳとを有している。 - 特許庁

To prevent the deterioration in depth of focus(DOF) as some of the layouts of fine hole patterns make the arrangement of auxiliary patterns infeasible in forming the fine hole patterns by using a photoresist and a mask arranged with the auxiliary patterns.例文帳に追加

ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度（ＤＯＦ）が劣化する。 - 特許庁

When a predetermined pattern including a plurality of gate patterns is formed, patterns are sorted into fine gate patterns and the other patterns (S102), and a hard mask film is formed on a workpiece film (S106).例文帳に追加

複数のゲートパターンを含む所定のパターンを形成する際に、微細ゲートパターンとそれ以外のパターンとに分類し（Ｓ１０２）、被加工膜上に、ハードマスク膜を形成する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

To form fine mask patterns with high accuracy by detecting whether correction patterns by OPC (optical proximity correction) processing is adequate or not with high accuracy without overlooking the small correction patterns by the OPC processing, which patterns are intrinsically ought not to be generated.例文帳に追加

本来発生されるべきではないＯＰＣ処理による小さな補正パターンを見逃すことなく、高精度にＯＰＣ処理による補正パターンが適切であるか否かを検出して、微細なマスクパターンを高精度に形成する。 - 特許庁

The mask patterns have a mask pattern body 12 resembling the transfer patterns and projecting part patterns 16 disposed over the entire line of one 14A of longitudinal direction pattern boundaries 14A, B facing each other of the mask pattern body.例文帳に追加

マスクパターンは、転写パターンと相似するマスクパターン本体１２と、マスクパターン本体の相互に対向する長手方向パターン境界線１４Ａ、Ｂの一方１４Ａの全線に設けられた突起部パターン１６とを備えている。 - 特許庁

When it is judged that recording is carried out by the monochrome mode, mutually different mask patterns such as mask patterns of a mutually exclusive relationship or mask patterns having an AND result with low frequency components arranged less than high frequency components are set to a plurality of achromatic color inks.例文帳に追加

モノクロモードで記録を行うと判断された場合には、複数の無彩色インクに対し、互いに排他の関係にあるマスクパターンや、論理積の結果が高周波成分よりも低周波成分が少ない状態で配列しているマスクパターンなど、互いに異なるマスクパターンを設定する。 - 特許庁

The photomask comprises a light transmissive substrate 11, first mask patterns 15 arranged on a first surface of the light transmissive substrate 11 and second mask patterns 17 arranged on a second surface of the light transmissive substrate 11 facing the first mask patterns 15.例文帳に追加

光透過性基板１１と、光透過性基板１１の第１の表面に配置された第１のマスクパタン１５と、第１のマスクパタン１５に対向して、光透過性基板１１の第２の表面に配置された第２のマスクパタン１７とを含む。 - 特許庁