「mask patterns」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The patterns for the inspection are the patterns of corners having sides orthogonal with each other corresponding to each of the four corners of the mask.例文帳に追加

検査用パターンは、マスクの四隅の各々に対応した、互いに直交する辺を有するコーナーのパターンである。 - 特許庁

To provide a shielding mask having a plurality of patterns, a laser annealing treatment device applying the shielding mask, and a method for laser annealing treatment using the shielding mask.例文帳に追加

複数のパターンを有する遮蔽マスクと、該遮蔽マスクを適用したレーザアニール処理装置、及び上記遮蔽マスクを用いたレーザアニール処理方法を提供する。 - 特許庁

The photomask comprises a light transmissive substrate 11, first mask patterns 15 arranged on a first surface of the light transmissive substrate 11 and second mask patterns 17 arranged on a second surface of the light transmissive substrate 11 facing the first mask patterns 15.例文帳に追加

光透過性基板１１と、光透過性基板１１の第１の表面に配置された第１のマスクパタン１５と、第１のマスクパタン１５に対向して、光透過性基板１１の第２の表面に配置された第２のマスクパタン１７とを含む。 - 特許庁

A method of forming the hard mask pattern of a semiconductor element includes the stages of: forming second hard mask patterns 107a on a semiconductor substrate; forming a third hard mask pattern including a first pattern 115a crossing the second hard mask patterns 107a and a second pattern 115b disposed between the second hard mask patterns 107a; and forming a fourth hard mask pattern 123a between first patterns 115a.例文帳に追加

半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 - 特許庁

For example, the mask for phase difference measurement in which halftone film mask parts 10 and shielding film mask parts 10b coexist is formed by removing part of the light shielding patterns 13' of the mask body before finishing the halftone mask.例文帳に追加

たとえば、ハーフトーン・マスクを仕上げる前に、マスク本体の遮光膜パターン１３’の一部を除去し、ハーフトーン膜マスク部１０ａと遮光膜マスク部１０ｂとが混在する位相差測定用マスクを作成する。 - 特許庁

Using mask patterns 121a, 121b as masks, a metal film 106 and an n^+ silicon film 105 are dry etched one after the other, and the mask patterns 121a, 121b are heated to reflow.例文帳に追加

マスクパターン１２１ａ，１２１ｂをマスクとして金属膜１０６とｎ^+シリコン膜１０５とを順次ドライエッチングした後、マスクパターン１２１ａ，１２１ｂを加熱してリフローさせる。 - 特許庁

Auxiliary patterns for light shielding of the halftone phase shift mask are formed of organic films.例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスクにおいて遮光用補助パターンを有機膜で形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask with which an appropriate pattern can be formed through one time of exposure in a case where fine patterns and rough patterns coexist, and to provide a method of manufacturing the mask.例文帳に追加

微細なパターンと粗大なパターンとが混在する場合において、１回の露光で適正なパターンが形成できるステンシルマスク及びその製法を提供する。 - 特許庁

A design pattern reduces complementary patterns SP1, SP2, which are divided complementarily, by an amount of a size variation, and mask patterns CP1, CP2 after reducing are formed on the mask.例文帳に追加

設計パターンが相補分割された相補パターンＳＰ１，ＳＰ２を寸法変動量だけ縮小させ、縮小後のマスクパターンＣＰ１，ＣＰ２をマスクに形成する。 - 特許庁

The reactive layer adjacent to the first mask patterns is reacted using a chemical attachment process, thereby forming sacrificial layers along outer walls of the first mask patterns.例文帳に追加

化学的付着工程により前記第１マスクパターンに隣接した前記反応膜を反応させて前記第１マスクパターンの外壁に沿って前記犠牲膜を形成する。 - 特許庁

In this photolithography method, two line patterns of different line/interval mask are crossed with each other.例文帳に追加

本発明では、２個の異なるライン／間隔マスクのラインパターンを互いに交差させる。 - 特許庁

EXPOSURE MASK DEVICE LOADED WITH A PLURALITY OF LITHOGRAPHIC PATTERNS AND PRODUCTION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

複数描画パターン搭載露光マスク装置、およびそれを用いた製造方法 - 特許庁

When data of the mask patterns of a phase shifting mask are drawn up, the pattern data are separated into an actual pattern data layer having data of actual patterns and a phase shifting pattern data layer having data of the phase shifting patterns and the mask patterns are examined to find whether they satisfy the rule of the interval between identical phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become identical with each other.例文帳に追加

位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成する際に、前記パターンデータを実パターンのデータを有する実パターンデータ層および前記位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に分離した後、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が同一となる同位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。 - 特許庁

The legalized block mask patterns and the legalized phase mask patterns that have been colored define features of a block mask and an alternating phase shift mask, respectively, for use in a dual exposure method for patterning features in a resist layer of the substrate.例文帳に追加

ルール適合化ブロック・マスク・パターンおよびカラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが、それぞれ、基板のレジスト層に構造体をパターン化する二重露光方法で使用するためのブロック・マスクおよび交番位相シフト・マスクの構造体を定義する。 - 特許庁

The mask patterns of the photomask used in patterning wiring patterns by the photolithography process step are subjected to correction of the mask patterns by dividing the photomask to ≥2 regions and determining correction parameters by each of the respective regions.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程により配線パターンをパターニングする際に使用するフォトマスクのマスクパターンについては、フォトマスクを２以上の領域に分割し、各領域毎に補正パラメータを求めてマスクパターンの補正を行う。 - 特許庁

To improve the performance of defect inspection by subjecting the patterns transferred onto a substrate, such as a wafer, to the defect inspection of the mask patterns.例文帳に追加

マスクパターンの欠陥検査を、ウエハ等の基板上に転写したパターンに対して行い、欠陥検出性能を向上させる。 - 特許庁

The sidewall patterns 8a, 8b are transferred to the processed layer 2 by etching the processed layer 2 making the sidewall patterns 8a, 8b as the mask.例文帳に追加

側壁パターン８ａ，８ｂをマスクとして被加工層２をエッチングして被加工層２に側壁パターン８ａ，８ｂを転写する。 - 特許庁

Two etching mask patterns 2 and two double-end supported beam type patterns 3 are formed on a silicon substrate 1 (Fig.1(A), Fig.1(B)).例文帳に追加

シリコン基板１上に２つのエッチングマスクパターン２および２本の両持ち梁型パターン３を形成する（図１（Ａ）、図１（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a photomask which can transfer patterns of desired pattern sizes by correcting the mask patterns of the photomask in a microunit.例文帳に追加

フォトマスクのマスクパターンを微小単位で補正し、所望パターン寸法のパターンを転写することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The second mask patterns 28B have main light transparent patterns 26c1, plural auxiliary light t transparent patterns 26c2 arranged at their circumferences and phase shifters S arranged on the main light transparent patterns 26c1.例文帳に追加

第２のマスクパターン２８Ｂは、主光透過パターン２６ｃ１と、その周囲に配置された複数の補助光透過パターン２６ｃ２と、主光透過パターン２６ｃ１に配置された位相シフタＳとを有している。 - 特許庁

To prevent the deterioration in depth of focus(DOF) as some of the layouts of fine hole patterns make the arrangement of auxiliary patterns infeasible in forming the fine hole patterns by using a photoresist and a mask arranged with the auxiliary patterns.例文帳に追加

ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度（ＤＯＦ）が劣化する。 - 特許庁

A phase shifter is generated for a mask pattern corresponding to the extracted patterns (S3).例文帳に追加

抽出されたパターンに対応するマスクパターンに対して位相シフタを発生させる（Ｓ３）。 - 特許庁

Rugged patterns are formed on the SiO_2 film 12 by performing etching using the remaining resist as a mask.例文帳に追加

残留レジストをマスクとしてエッチングして、ＳｉＯ_２膜１２に凹凸パターンを形成する。 - 特許庁

To ameliorate the deviation in position and the degradation in contrast in exposure patterns of a Levenson type phase shift mask.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの露光パターンに位置ずれ、コントラスト低下の改善を図る。 - 特許庁

To provide a photomask which prevents electrostatic discharge damage due to electrostatic charge and the disruption of mask patterns.例文帳に追加

帯電による静電破壊やマスクパターンの崩壊を防止したフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The photomask 10 has mask patterns 12 comprising a light shielding material on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に遮光材料からなるマスクパターン１２を有したフォトマスク１０である。 - 特許庁

The conductive film 8 is etched, with these patterns as a mask, and a gate electrode is formed.例文帳に追加

これらのパターンをマスクとして導電膜８をエッチングし、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

The first, second, and correction patterns (SP), (MP), and (CSP and CMP) are formed by using the same mask.例文帳に追加

第１パターンと第２パターンと補正パターンとは同じマスクを用いて形成されている。 - 特許庁

To provide a mask defect inspection apparatus, capable of detecting any defect of various kinds of patterns formed in a mask, at high sensitivity.例文帳に追加

マスク内に形成された各種のパターンの欠陥を高感度に検出することができるマスク欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

As a result, aberration, particularly odd aberration in aerial images of the mask patterns is reduced by a diffraction effect and the mask is improved.例文帳に追加

その結果、回折効果によりこのマスクパターンの空中像の収差、特に奇数収差を減少してマスクを改良する。 - 特許庁

The mask patterns are also examined to find whether they satisfy the rule of the interval between different phase patterns in which the phases of light passing through adjacent patterns become different from each other.例文帳に追加

また、マスクパターンが、互いに隣接するパターンを透過した光の位相が異なる位相となる異位相パターンの間隔の規定を満足するか否かを検証する。 - 特許庁

In forming the mask patterns to be used for the ordinary exposure, the sizes of the light shielding patterns (gate electrodes) on a mask for the ordinary exposure superposed on the positions corresponding to the fine patterns on the mask for the high-resolution exposure are changed in the direction of reducing the line width difference after the resolution which occurs according to the crude density of the fine patterns.例文帳に追加

その通常露光に用いるマスクパターンの生成に際し、高解像度露光用マスク上の微細パターンに対応した位置に重ねられる当該通常露光用マスク上の遮光パターン（ゲート電極）のサイズを、微細パターンの疎密性に応じて生じる解像後の線幅格差を縮小する方向に変化させる。 - 特許庁

Correction quantities, needed for the mask pattern, which are found by comparing the mask pattern with patterns on the wafer actually obtained through the photolithography process using the mask pattern are prepared by mask pattern density as correction data by the mask pattern density.例文帳に追加

マスクパターン密度ごとに、マスクパターンとこれを用いたフォトリソグラフィプロセスにより実際に得られるウエハ上のパターンとの比較より求めた、マスクパターンに必要な補正量を、マスクパターン密度ごとの補正データとして予め準備する。 - 特許庁

Mask pattern memories 120, 122 in a mask signal generating circuit store a plurality types of mask patterns having waveforms different to each other as a waveform for the mask signal MSK for particular dots.例文帳に追加

マスク信号生成回路内のマスクパターンメモリ１２０，１２２は、特定のドットのためのマスク信号ＭＳＫの波形として、互いに異なる波形を有する複数種類のマスクパターンを格納している。 - 特許庁

Since a stencil mask manufacturing process and a membrane mask manufacturing process are different from each other, necessary patterns are formed and masks are manufactured by sticking the masks to the same mask frame (support frame).例文帳に追加

ステンシルマスク製作プロセスとメンプレンマスク制作プロセスとは異なるため、必要なパターンを形成し、それぞれを同じマスク枠（サポートフレーム）に貼り付けてマスクを製作する。 - 特許庁

Finally, the thin film 3 is formed into a second thin film pattern 7 using the first mask pattern 4 and the second mask pattern 5, and the two mask patterns 4 and 5 are removed sequentially.例文帳に追加

最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。 - 特許庁

Furthermore, a second mask layer connected to the first mask layer is provided, the corresponding layer is flattened, and next layer conductor patterns (21 and 29) are provided on the first and second mask layers.例文帳に追加

さらに第１マスク層に連ねて第２マスク層を設けて当該層を平坦とし、これら第１，第２マスク層上に次層の導体パターン（２１，２９）を設ける。 - 特許庁

This mask pattern correction method forms an evaluation pattern (S1), produces an evaluation mask having the evaluation patterns (S2), and forms a wafer pattern by using this evaluation mask (S3).例文帳に追加

マスクパターン補正方法では、評価パターンを生成し（Ｓ１）、評価パターンを配置した評価用マスクを作成し（Ｓ２）、評価用マスクを用いて、ウエハパターンを形成する（Ｓ３）。 - 特許庁

First, a photomask 3 to be used for exposure is subjected to the correction of the mask pattern form according to the space between adjacent mask patterns and to the mask pattern form.例文帳に追加

まず、露光時に使用されるフォトマスク３が、隣接するマスクパターン間のスペースと前記マスクパターンの形状に応じて、前記マスクパターンの形状を補正する補正方法を行う。 - 特許庁

On the basis of the multi-path recording method of dividing recording data into a plurality of pieces by using mask patterns, the mask patterns are offset according to the positional relationship between the plurality of nozzle rows in the recording head.例文帳に追加

マスクパターンを用いて記録データを複数に分割するマルチパス記録方式において、記録ヘッドにおける複数のノズル列の位置関係などに応じて、マスクパターンをオフセットして用いる。 - 特許庁

To provide a multiply-exposing technique that can prevent the processes from becoming complicated when forming mask patterns and efficiently form the mask patterns of the even shape conforming the design data.例文帳に追加

多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成する。 - 特許庁

The mask image is divided with regular geometrical patterns and a registration is made of the mask image relative to the contrast image through the use of landmarks defined at the corners of the geometrical patterns.例文帳に追加

マスク画像は、規則的な幾何学的パターンに分割され、該幾何学的パターンの角に定められるランドマークを用いることにより、コントラスト画像に対してマスク画像の位置合わせが行われる。 - 特許庁

To reduce the concentration, one or a plurality of differential mask patterns out of a plurality of differential mask patterns prepared beforehand are employed in combination.例文帳に追加

濃度の低減には、そのメディア種の限界値と超過濃度に応じて、予め用意された複数の差分マスクパターンの中から１または複数の差分マスクパターンを組み合わせて用いる。 - 特許庁

A plurality of test resist patterns are formed (S2, S6) by transferring the test patterns by a lithographic process including pattern exposure using the test mask.例文帳に追加

テストマスクを用いたパターン露光を含むリソグラフィー処理により、テストパターンを転写した複数のテスト用レジストパターンを形成する（Ｓ２，Ｓ６）。 - 特許庁

When it is judged that recording is carried out by the monochrome mode, mutually different mask patterns such as mask patterns of a mutually exclusive relationship or mask patterns having an AND result with low frequency components arranged less than high frequency components are set to a plurality of achromatic color inks.例文帳に追加

モノクロモードで記録を行うと判断された場合には、複数の無彩色インクに対し、互いに排他の関係にあるマスクパターンや、論理積の結果が高周波成分よりも低周波成分が少ない状態で配列しているマスクパターンなど、互いに異なるマスクパターンを設定する。 - 特許庁