不揮発性メモリー半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory semiconductor device and a method of manufacturing the same. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置２５を半導体基板１と複数個のメモリーセル２１とで構成する。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage device 25 is constituted of a semiconductor substrate 1 and a plurality of memory cells 21. - 特許庁

メモリーセルの電気的特性の向上が図られた不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which the electric characteristics of a memory cell are improved. - 特許庁

不揮発性メモリー素子は、活性領域を含む半導体基板及び前記活性領域上の第１及び第２メモリーセルストリングを含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate including an active region and first and second memory cell strings on the active region. - 特許庁

メモリーセルの面積を最小化し、かつ高信頼性な不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor storage device having a minimized area of a memory cell and high reliability and a method of manufacturing the same. - 特許庁

メモリーセルの微細化に伴い、ＬＳＩ動作上問題のないソース抵抗を形成できる半導体不揮発性記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor non-volatile storage device in which a source resistor having no problem about LSI operation can be formed in accordance with the miniaturization of a memory cell. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置１００は、複数の不揮発性メモリーを有する正規メモリーセルアレイ１２０と、それぞれが正規メモリーセルアレイ１２０内の不良メモリーセルを救済するための複数の不揮発性メモリーセルを有する冗長メモリーセルアレイ１３２〜１３８と、冗長メモリーセルアレイ１３２〜１３８のうち少なくとも１つの冗長メモリーセルアレイを選択する冗長メモリーセルアレイ選択回路１４０とを含む。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor storage device 100 includes a normal memory cell array 120 having a plurality of nonvolatile memories, redundant memory cell arrays 132 to 138 respectively having a plurality of nonvolatile memory cells for relieving a defective memory cell in the normal memory cell array 120, and a redundant memory cell array selection circuit 140 for selecting at least one redundant memory cell array among the redundant memory cell arrays 132 to 138. - 特許庁

不揮発性メモリー装置の製造方法であって、特に半導体パターン厚さの均一性が向上される３次元半導体装置の製造方法、及び当該製造方法によって製造された３次元半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory device, especially a method of manufacturing a three-dimensional semiconductor device capable of improving uniformity of a thickness of a semiconductor pattern, and to provide the three-dimensional semiconductor device manufactured by the method. - 特許庁

信頼できる不揮発性メモリーの電荷保持特性を有し、周辺回路と供給電源の低電圧化を可能とする不揮発性半導体記憶装置を得る。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor memory device, which has the reliable charge holding characteristics of a non-volatile memory and can lower the voltages of a peripheral circuit and a power source. - 特許庁

メモリーセルの微細化を図って装置全体の高集積化を図ることができるとともにメモリーセルの誤動作が起こり難い不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that obtains high integration of the whole device by miniaturizing memory cells, while preventing the occurrence of malfunctions in memory cells. - 特許庁

チャネル表面濃度プロファイルを最適化できる製造方法を構築し、半導体装置のチャネルリークの低減化、高駆動化、小型化、を促進させる不揮発性メモリー素子の内蔵を容易する半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can easily contain a nonvolatile memory element for promoting the reductions of the channel leakage and size of the device and the improvement of the drivability of the device, by developing a manufacturing method by which the channel surface concentration profile of a buried channel MOSFET can be optimized. - 特許庁

チャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、同時に不揮発性メモリーを搭載し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。例文帳に追加

A semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method and, at the same time, mounting a nonvolatile memory on the circuit device. - 特許庁

半導体素子によって構成された不揮発性メモリを使用し、これをワンタイム・プログラム・メモリ仕様としたもの、又はワンタイム・プログラム・メモリ（以下、ＯＴＰ−ＲＯＭという）を内蔵したメモリーカード等を使用して動画や音楽などのデータを書き込み、従来のＣＤやＤＶＤなどと同様の新しいメディアとして販売するシステム。例文帳に追加

SYSTEM OF SELLING MEMORY CARD STORING DATA SUCH AS VIDEO IMAGE OR MUSIC AS MEDIUM LIKE CONVENTIONAL CD OR DVD USING NON-VOLATILE MEMORY COMPOSED OF SEMICONDUCTOR ELEMENT TO BE USED AS ONE-TIME PROGRAM MEMORY(OTP-ROM) OR MEMORY CARD WITH BUILT-IN OTP-ROM - 特許庁