半水性ガスの英語

水分や酸化ガスの透過を防止して、耐水性および耐酸化性を向上できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can increase a water resistance and an anti-oxidation performance by preventing the permeation of a water content or an oxidizing gas. - 特許庁

（２）疎水性高分子と親水性高分子とを構成成分として含んで成る半透膜を収容した透析器の滅菌方法において、該半透膜に、半透膜の自重に対して１００〜６００％の水を抱液させ、該透析器内を不活性ガス雰囲気とした後、ガンマ線照射を行う透析器の滅菌方法。例文帳に追加

A method of sterilization of a dialyzer storing a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer as components, the dialyzer is made to hold water accounting for 100 to 600% of the self-weight and then internally given an atmosphere of inert gas and then irradiated with gamma radiation. - 特許庁

（１）疎水性高分子と親水性高分子とを構成成分として含んで成る半透膜を収容した透析器の製造方法において、該半透膜に、半透膜の自重に対して１００〜６００％の水を抱液させ、該透析器内を不活性ガス雰囲気とした後、ガンマ線照射を行う透析器の製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing a dialyzer storing a semipermeable membrane containing a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer as components, the semipermeable membrane is made to hold water accounting for 100 to 600% of the self-weight of the membrane and the dialyzer is internally given an atmosphere of inert gas and then irradiated with gamma radiation. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、樹脂封止前に、配線が形成され、電子部品１７が搭載された基板１０の表面のランナー部１４に、マスク２０を介して疎水性ガスを利用した疎水性大気圧プラズマ処理を行ってランナー部１４を疎水性に改質したことを特徴する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device is characterized by forming a wiring before conducting sealing with a resin and modifying a runner portion 14 to be hydrophobic by carrying out hydrophobic atmospheric pressure plasma treatment utilizing hydrophobic gas through a mask 20 on the runner portion 14 on the surface of a substrate 10 on which an electronic component 17 is mounted. - 特許庁

塗料やラッカーの製造のための初期製品として金属顔料を含有し、ガス処理安定性のある流動可能な水性の半製品、及び、安定化した金属ペースト体を得る。例文帳に追加

To obtain a flowable semi-finished product for manufacturing a coating material and a lacquer which contains a metallic pigment as the initial product and has gas treatment stability, and a stabilized metallic paste material. - 特許庁

次いで、ドライマスク８によって酸素ガス等を使用した第２のプラズマガス処理により半貫通ホール以外の撥水性膜６を除去した後、めっきレジストパターン９ａをパターニングする。例文帳に追加

Next, after the water-repellent film 6 is removed except for the semi-through hole by second plasma gas treatment using oxygen gases or the like by a dry mask 8, a plating resist pattern 9a is patterned. - 特許庁