厚膜アルミナ基板の英語

この後、アルミナ積層基板１１の表面に厚膜抵抗体１５を形成する（ｆ）。例文帳に追加

Subsequently, a thick-film resistor 15 is formed on the surface of the alumina laminated substrate 11 in (f). - 特許庁

厚膜回路部品１０はアルミナ基板１２を含み、アルミナ基板１２上には、絶縁ガラスペーストからなる絶縁ガラス層１４が形成される。例文帳に追加

The thick film circuit parts 10 include an alumina substrate 12 and the insulating glass layer 14 consisting of the insulating glass paste is formed on this alumina substrate 12. - 特許庁

基板上にＥＣＲスパッタリング法による厚み１０〜５５００Åの第１アモルファスアルミナ膜と、スパッタリング法による厚み０．２〜２．４μｍの第２のアモルファスアルミナ膜とを順次積層して薄膜磁気ヘッド用基板を構成する。例文帳に追加

A first amorphous alumina film having 10-5,500 Å thickness by an ECR sputtering method and a second amorphous alumina film having 0.2-2.4 μm thickness by a sputtering method are successively laminated on a base to form the substrate for the thin film magnetic head. - 特許庁

酸化性ガス含有雰囲気下でアルミニウム金属ターゲットをスパッタリングして基板上にアルミナ膜を形成するに当たり、１回あたりの成膜膜厚を５ｎｍ以下とし、基板上にアルミナ膜を複数回に分けて断続的に成膜する。例文帳に追加

The film deposition thickness for each operation is set to be ≤ 5 nm, and alumina films are intermittently deposited on a substrate a plurality of times when depositing alumina films on the substrate by sputtering an aluminum metal target in an atmosphere containing oxidizing gas. - 特許庁

（１）基板の厚み方向に、独立した微細孔を有するアルミナ基板上に、ｐ型ビスマステルライドを成膜したことを特徴とする熱電変換材料、及び（１）のアルミナ微細孔作製工程とｐ型ビスマステルライド成膜工程とを有する熱電変換材料の製造方法である。例文帳に追加

The thermoelectric conversion material is characterized that p-type bismuth telluride is deposited on an almina substrate having independent fine pores in a thickness direction of the substrate (1), and the method for manufacturing the same comprises a step for forming the almina fine pores (1) and a step for depositing the p-type bismuth telluride. - 特許庁

アルミナ基板２１の表面に厚膜プロセスで形成された共通電極用突起２２と、この突起を頂点とする凸状のグレーズガラス層２４ａ1、２４ａ2と、アルミナ基板２１上に形成されたグレーズガラス層２４ａ、２４ｂとを備えた構成とした。例文帳に追加

An insulating substrate is constituted of the projection 22 for a common electrode formed on the surface of an alumina substrate 21 by a thick film process, projected glaze glass layers 24a1, 24a2 having the projection 22 as apexes and the glaze glass layers 24a, 24b formed on the alumina substrate 21. - 特許庁

セラミック基板上に成膜するアモルファスアルミナ膜のＣｕ不純物量が多く、素子を形成する際にの膜厚を高精度に制御できない。例文帳に追加

To solve such a problem that as quantity of Cu impurity of an amorphous alumina deposited on a ceramic substrate is much, film thickness cannot be controlled highly accurately when an element is formed. - 特許庁