原子パーセントの英語

デバイスはシリコン窒化物及び少なくとも５原子パーセントの水素を含む第３の層を含んでもよい。例文帳に追加

The device may include a third layer comprising silicon nitride and at least 5 atom.% hydrogen. - 特許庁

別の１組の実施例では、絶縁層１１４，４００，４２２，４２６は、少なくとも１原子量パーセントの炭素または水素を含む。例文帳に追加

In another example of a set, the insulating layers 114, 400, 422 and 426 comprise at least 1 atomic weight % of carbon or hydrogen. - 特許庁

全原子パーセントに基づいて、本組成物中のケイ素の量は、少なくとも約９原子％であり、また存在するチタンの量は、約２６原子％よりも少ない。例文帳に追加

Based on total atomic percentages, the amount of silicon in the composition is at least about 9 atom%, and the amount of titanium is less than about 26 atom%. - 特許庁

コーティングは、チタンオキシカーボナイトライドまたはチタンアルミニウムオキシカーボナイトライドの少なくとも１つの層を含み、該層は、酸素原子のチタン原子に対するパーセント比が約０．０１〜約０．０９の範囲内、アルミニウム原子のチタン原子に対するパーセント比が約０〜約０．１の範囲内にある。例文帳に追加

The coating includes at least one layer of either titanium oxycarbonitride or titanium aluminum oxycarbonitride, such that the layer in which a percent ratio of oxygen atoms to titanium atoms is in the range of about 0.01 to about 0.09 and aluminum atoms to titanium atoms is in the range of about 0 to about 0.1, respectively. - 特許庁

ウォッシュ・アウトガス混合物は、アルゴンが追加されるヘリウムとフッ素との混合物を含むのが好ましく、ウォッシュ・アウトガス混合物の中のヘリウムの量は３．１〜３１原子パーセントの範囲である。例文帳に追加

It is preferable that the washout gas mixture includes a mixture of helium and fluorine to which argon is added and the quantity of the helium in the washout gas mixture ranges from 3.1 to 31 atom percent. - 特許庁

Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂ又はＦの少なくとも1種のドープ元素を絶縁被覆中に１〜２０原子パーセントの範囲で含む非晶質の炭素−水素ネットワーク製の電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板とする。例文帳に追加

The grain-oriented electromagnetic steel sheet includes the electrically insulating coating made of an amorphous carbon-hydrogen network containing at least one of doping elements Si, O, N, B or F in a range from 1 to 20 atomic percent. - 特許庁

ＵＶ発光蛍光体は、０より大きく約２５原子パーセントまでのアルミニウムを含む表層をもたらすように処理されたＳｒＢ_4Ｏ_7：Ｅｕ蛍光体粒子を含む。例文帳に追加

The UV emitting fluorescent material contains SrB_4O_7:Eu fluorescent material particles processed to form a surface layer containing aluminum in an amount of >0 and about <25 atom%. - 特許庁

配線形成用材料は、一体として見た場合に、原子パーセントでタングステン25〜 45%、残部モリブデンおよび不可避的不純物よりなるＭｏ−Ｗ材である。例文帳に追加

The material for wiring formation is composed of an Mo-W material having a composition consisting of 25-45 atomic % tungsten and the balance molybdenum with inevitable impurities, when it is taken for one body. - 特許庁