原子格子の英語

原子炉用燃料集合体の支持格子の強度及び剛性を増大する。例文帳に追加

To enhance the strength and rigidity of a support grid for reactor fuel assembly. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁

(1)シリコン原子の包接格子であるＳｉ_46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるＳｉ_136の単位結晶格子とが混在したシリコン原子のみからなる複合結晶構造のシリコン材料。例文帳に追加

This silicon material having a composite crystal structure consists of a mixture of Si46 single crystal lattices as inclusion lattices of silicon atoms and Si136 single crystal lattices as clathrate lattices. - 特許庁

リチウム原子と窒素原子とが共に１０^１７ｃｍ^−３以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド。例文帳に追加

The low-resistance n-type semiconductor diamond contains both lithium and nitrogen atoms at a rate of 10^17cm^-3 or above, lithium atoms are doped at the interstitial position of carbon atoms, and nitrogen atoms are doped at the substitutional position of carbon atoms, and the lithium atoms and nitrogen atoms are so structured as to be located adjacent to each other. - 特許庁

モット絶縁状態にある３次元光格子ポテンシャルに原子ａが捕捉されている状態（図１（ａ））から、光超格子に原子ａが捕捉されている状態（図１（ｄ））まで滑らかに変化させることで、光超格子を実現する。例文帳に追加

The optical superlattice is realized by smoothly changing states ((a) in Fig.) of the atoms a trapped by three-dimensional optical lattice potential in the Mott insulating state to states ((d) in Fig.) of the atoms a trapped by the optical superlattice. - 特許庁

回折図形中の散漫散乱は、格子サイト上の原子の不規則な配列から起こる(生じる)。例文帳に追加

Diffuse scattering in diffraction patterns may arise from an irregular arrangement of atoms on the lattice sites.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。例文帳に追加

Preferably, the doping concentration of the additive is substantially same as the concentration of interstitial gallium atoms. - 特許庁

次いで第一の熱処理を行い、イオン注入の際に生じた格子間シリコン原子を除去する。例文帳に追加

Then, a first thermal treatment is carried out to remove interstitial silicon atoms which are generated when ions are implanted. - 特許庁