反転層移動の英語

誘電体層と基板との界面に位置する反転電荷キャリアの移動度を、迅速で安価に測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of measuring the mobility of inverted charge carrier at the interface between a dielectric layer and a substrate rapidly, at low cost. - 特許庁

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain. - 特許庁

選択露光手段９の露光により光導電層１ｂに電荷が発生し、この電荷が電界印加手段３の発生する電界により移動することにより、露光部分の強誘電体層１ｃの分極方向が反転して分極反転潜像が形成される。例文帳に追加

The electric charge is generated on the photo-conductive layer 1b by the exposure of the selective exposure means 9, this electric charge is moved by the electric field generated by the electric field applying means 3, the polarization direction of the ferroelectric layer 1c on the exposing section is inverted, and the polarization inverted latent image is formed. - 特許庁

選択露光手段９の露光により感光体３に電荷が発生し、この電荷が電界印加手段１０の発生する電界により移動することにより、強誘電体層１ｂの分極方向が部分的に反転して分極反転潜像が形成される。例文帳に追加

The electrostatic charge is generated on the photoreceptor 3 by the exposure of the select exposure means 9, and as a result of the electric field generated by the electric field applying means 10, the electrostatic charge is shifted, the polarizing orienting direction of the ferroelectric substance layer 1b is partially inverted and the polarize inverted latent image is formed. - 特許庁

ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。例文帳に追加

When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204. - 特許庁

そして、定着ベルト１の移動方向における接触範囲の中心より下流側の位置Ｃで曲率が反転し、定着ベルトはこの位置で最も強い圧接力で加圧ロールの弾性層に押し付けられ、圧接部の出口でこの状態から解放されることによって周回方向に大きな曲率で移動する。例文帳に追加

In the fixing device, the curvature inverts in a position C nearer the downstream side than the center in a contact range in the moving direction of the fixing belt 1. - 特許庁

光ファイバ１１をボビン１７に巻き取る光ファイバの巻取り方法において、ボビン鍔４１におけるトラバース反転位置を、巻取り層数の増大に応じてボビン鍔４１の外側方向に移動させる。例文帳に追加

The winding method of the optical fiber for winding the optical fiber 11 on the bobbin 17 moves a traverse reversal position in a bobbin collar 41 in the outside direction of the bobbin collar 41 according to an increase in the winding layer number. - 特許庁

ＳｉＣのｎチャネルＭＯＳ半導体素子において、反転層の移動度を向上させて、オン抵抗が低く、しかも製造の容易なＭＯＳ半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide n channel MOS semiconductor device whose ON resistance is low and which can be manufactured easily by improving the mobility of an inverse layer therein. - 特許庁