口上板の英語

処理部２の基板搬入口上部には、基板表面に現像液を供給して、現像液の液層２０を形成するためのスリットノズル５が設けられている。例文帳に追加

A slit nozzle 5, which supplies a developer to a substrate surface to form a liquid layer 20 of the developer, is provided above a substrate carry-in opening of a processing part 2. - 特許庁

半導体基板の品質を維持しつつ、これに形成した素子分離溝を形成した後、その開口上端部を好適に丸めることのできる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the top edge of the opening of an isolation trench can be preferably rounded after forming the isolation trench thereon, while maintaining the quality of the semiconductor substrate. - 特許庁

Ｃａ（ＯＨ）_２ 充填塔１０１はメッシュ板１０２上にＣａ（ＯＨ）_２ 層１１０を保持したものとし、下部にＨＦ含有ガスの導入口、上部にＨＦが除去されたガスの排出口を設ける。例文帳に追加

A Ca(OH)_2-packed column 101 has: a Ca(OH)_2 layer 110 held on a meshed plate 102; an HF-containing gas introducing port in the lower part; and an HF-free gas discharging port in the upper part. - 特許庁

Ｃａ(ＯＨ)_2充填塔１０１はメッシュ板１０２上にＣａ(ＯＨ)_2層１１０を保持したものとし、下部にＨＦ含有ガスの導入口、上部にＨＦが除去されたガスの排出口を設ける。例文帳に追加

A Ca(OH)_2 packed tower 101 holds a Ca(OH)_2 layer 110 on a mesh plate 102, and is provided with an HF-containing gas introducing port at the lower part, and a discharge port of HF-removed gas at an upper part. - 特許庁

これにて、マスク本体５の板厚を大きくした場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成することができる。例文帳に追加

In this way, a shadow which will be inevitably cast by the upper edge of the opening of the through hole 8 when the thickness of the mask body 5 is increased is avoided, and the light-emitting layer 7 with a cross-sectional shape having an even height can be accurately formed. - 特許庁

水槽３の水面との間に適当な空間を設けてクレート５を設置し、その開口上面に板状の制御パネル６を搭載する。例文帳に追加

The vegetable factory is structured by setting up a crate 5 so as to put an appropriate space to the water surface of a water tank 3, and mounting a plate-like control panel 6 on the upper surface of the opening of the crate. - 特許庁

この酸化膜３の形成前における半導体基板１の開口上端部に対するシリコン酸化膜１０の端部の後退量ｘを、「０≦ｘ≦（ｄ／２ｓｉｎθ）」に設定した。例文帳に追加

A backing amount of x of an end of the silicon oxide film 10 from the upper end of the opening of the semiconductor substrate 1 is set as 0≤x≤(d/2sinθ) prior to the formation of the oxide film 3. - 特許庁

指向性部材２３は、吸込み口７の開口上部縁に沿うように湾曲されてフード部１の天板１ａ方向に向けた正面視で略逆向きＵ字形状に形成されている。例文帳に追加

The directional member 23 is bent along an opening upper part rim of the suction opening 7, and it is formed into a substantially inverted U-shape as seen from the front facing the top plate 1a of the hood part 1. - 特許庁