四重回路の英語

四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタによるＭＯＳ回路例文帳に追加

MOS CIRCUIT INCLUDING FOUR-TERMINAL DOUBLE-INSULATED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

四重極質量分析計の電圧制御方法及び電圧制御回路装置例文帳に追加

VOLTAGE CONTROL METHOD AND VOLTAGE CONTROL CIRCUIT DEVICE OF QUADRUPOLE MASS SPECTROMETER - 特許庁

四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたＣＭＯＳ−ＮＡＮＤゲート回路例文帳に追加

CMOS-NAND GATE CIRCUIT USING 4-TERMINAL DOUBLE INSULATION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

電子ビームの非点収差補正を行う電磁四重極コイルとコンバーゼンス（補正）を行うコンバーゼンスヨークのコイルとを直列に接続して、一つの補正回路で非点収差補正及びコンバーゼンス（補正）を行う。例文帳に追加

To conduct a astigmatism correction and convergence (correction) by only one correction circuit by connecting in series an electromagnetic quadruplet pole coil for correcting astigmatism of an electron beam and a coil of a convergence yoke for conducting convergence (correction). - 特許庁

また、合計４箇所の最多積層箇所７は、最多積層箇所７を頂点として隣位する最多積層箇所７を結ぶことにより形成される四角形の内側に集積回路２の重心２ｇが重なるように配置されている。例文帳に追加

The most-laminated part 7 which is located at each corner at each 4 place in total is arranged so that the center 2g of the integrated circuit 2 is overlapped with the inside of a square formed by connecting one corner to the adjacent corner of the most-laminated parts 7. - 特許庁

ハウジング１１内に突出した接続端１３は折り重ねて圧縮した断面四角状として強度を持たせており、ハウジング１１から引き出した後端部１４は、条片形状のまま端部１５により基板１６上の回路に半田により接続されている。例文帳に追加

The connection end 13 protruding into the housing 11 is made to be have strength with a cross-sectional square shape of being folded and compressed, and the rear end part 14, drawn out from the housing 11, is connected to the circuit on the substrate 16 by soldering by the end part 15 with original strip piece form, as it is. - 特許庁

また、歌唱者の足場に設置されたステージ板３４に加わる荷重変動に関する情報をステージ板３４四隅の感圧センサ３６とセンサ信号処理回路３２とを通じて取得し、これに基づき歌唱者の躍動によるエネルギー消費量の推定値を計算する。例文帳に追加

Further information about loading variation added to a stage plate 34 installed at a footing of the singer is obtained through pressure sensitive sensors 36 at four corners of the stage plate 34 and a sensor signal treating circuit 32 and estimated value of energy consumption due to lively motion of the singer is calculated based on this information. - 特許庁