垂直磁化状態の英語

少なくとも信号再生領域が垂直磁化状態となる再生層１と、再生層１に磁気的に結合する垂直磁化膜からなる記録層４と、を有する。例文帳に追加

This recording medium has at least a reproducing layer 1 having signal reproducing areas magnetized perpendicularly, and a recording layer 4 consisting of a perpendicular magnetic recording film magnetically coupling to the reproducing layer 1. - 特許庁

垂直磁化膜に零磁場中でかつ他の磁性体との交換力が働いていない状態で磁化が膜面垂直方向から傾いた方向に向いている磁性膜を交換結合させる。例文帳に追加

The magnetic film, having magnetization slanted to the vertical direction of film face in a zero-magnetic field and in non-exchange force with another magnetic body, is made to exchange couple with the vertically magnetized film. - 特許庁

基板１上に、第１の透明誘電体層２と、室温において面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる再生層３と、第２の透明誘電体層１１と、金属膜層４と、垂直磁化膜からなる記録層５と、保護層６とを順次形成する。例文帳に追加

A first transparent dielectric layer 2, a reproduction layer 3 which is in the in-plane magnetization state at normal temperature and in a perpendicularly magnetized state accompanied by temperature rise, a second transparent dielectric layer 11, a metal film layer 4, a recording layer 5 consisting of a perpendicularly magnetized film and a protective layer 6 are successively formed on a substrate 1. - 特許庁

記録層４は、キュリー温度まで垂直磁化状態の磁性層であり、再生層１に静磁結合する。例文帳に追加

A recording layer 4 is a perpendicularly magnetized magnetic layer up to the Curie temperature and magnetostatically bonds to the reproduction layer 1. - 特許庁

磁気ディスクなどの垂直磁気記録層を効率よくランダム磁化状態とするのに適した磁界印加装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetic field applying device which is suitable for setting efficiently a perpendicular magnetic recording layer such as a magnetic disk to be in a random magnetization state. - 特許庁

再生補助層２２は、再生層７と交換結合し、室温において面内磁化状態であり上記臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる。例文帳に追加

A reproduction assistance layer 22 makes exchange bonding with this reproducing layer 7, is in the in-plane magnetized state at room temp. and attains the perpendicularly magnetized state at a temp. above the critical temp. described above. - 特許庁

第１の再生磁性層１，第２の再生磁性層３は室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上において垂直磁化状態となる磁性層である。例文帳に追加

The 1st and 2nd reproducing magnetic layers 1 and 3 are in a longitudinally magnetized state at room temperature and become a perpendicularly magnetized state at the critical temperature or above. - 特許庁

記憶素子は、膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とにより、ＭＴＪ構造を持つ。例文帳に追加

A memory element includes a MTJ structure consisting of: a memory layer which has magnetization perpendicular to the film surface and holds information by a magnetization state of a magnetic material; a magnetization fixed layer having magnetization perpendicular to the film surface serving as a reference for information stored in the memory layer; and an intermediate layer made of a nonmagnetic material provided between the memory layer and the magnetization fixed layer. - 特許庁