垂直磁化率の英語

したがって、磁力線は管軸Ｙ方向とは垂直なＺ方向から加わることになり、配管３内の水８を超電導磁石によって効率良く磁化することができる。例文帳に追加

Therefore, a line of magnetic force is applied from the Z-direction vertical to a pipe axis Y direction and the water 8 in the piping 3 can be efficiently magnetized by the superconductive magnet. - 特許庁

磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a magneto-resistance effect element of which the magnetization direction is stable in the film surface perpendicular direction, and the magnetic resistance change rate is controlled, and also to provide a magnetic memory using the magneto-resistance effect element. - 特許庁

そして、超磁歪部材１２の振動方向に対し垂直な方向を回転軸とする角速度変化を、コリオリ力にもとづく超磁歪部材１２の変形による前記透磁率又は残留磁化量の変化として検出するようにした。例文帳に追加

The gyroscopic sensor 10 is constituted so as to detect the variation in the angular velocity with respect to the rotational axis in the perpendicular direction with respect to the vibration direction of the super-magnetostriction member 12, as the variation in the magnetic permeability or the amount of residual magnetization due to the deformation of the super-magnetostriction member 12 based on the Coriolis force. - 特許庁

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。例文帳に追加

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction. - 特許庁

発光領域１０ａの半導体活性層３上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層４と、受光領域１０ｂの半導体活性層３上の一部に、半導体活性層３の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極５とを備えている。例文帳に追加

Further, the nonvolatile optical memory has a distribution Bragg reflection layer 4 formed on the semiconductor active layer 3 of a light emission region 10a by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a ferromagnetic electrode 5, having a magnetization direction perpendicular to a surface of the semiconductor active layer 3, at a part on the semiconductor active layer 3 of a light reception region 10b. - 特許庁

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えるようにしたので、複数の導線に電流を流すことによって閉じた磁路を形成することができ、感磁層における磁化の反転をより効率よく行うことができる。例文帳に追加

Thus, a closed magnetic path can be formed by making currents run through the plurality of wires, and the inversion of magnetization in the magnetosensitive layer can be much more efficiently executed. - 特許庁