実効チャネルの英語

実効チャネル優先処理機能を有するハブ及びポート付きデータ転送コントローラ例文帳に追加

DATA TRANSFER CONTROLLER WITH HUB AND PORT HAVING EFFECTIVE CHANNEL PRIORITY PROCESSING FUNCTION - 特許庁

または、下部量子ドットのチャネル側のトンネル膜の実効膜厚を相対的に厚くする。例文帳に追加

Alternatively, effective thickness of the tunnel film is made thicker relatively on the channel side of the lower quantum dots. - 特許庁

実効チャネル幅の減少を抑制できる固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device capable of suppressing a decrease in effective channel width. - 特許庁

そして、受信装置１は、算出された各アンテナのチャネル推定値に対してデプレコーディングを行って、実効チャネル推定値を算出し、算出された実効チャネル推定値を用いて、時間方向の線形補間を行って、パイロット信号が含まれるシンボル以外の実効チャネル推定値を算出する。例文帳に追加

The receiver 1 then de-precodes the calculated channel estimation values of the antennas, calculates effective channel estimation values, performs time-direction linear interpolation using the calculated effective channel estimation values, and calculates effective channel estimation values of symbols other than the symbols containing the pilot signal. - 特許庁

複数のチャネルを同時に使用してチャネルを広帯域化させながら、無線信号の送信を開始するまでの待ち時間の増大を抑制し、実効的なスループットの向上を実現できる。例文帳に追加

To suppress the increasing waiting time up to radio signal transmission and to achieve the effectual throughput, while providing a broadband frequency channel using a plurality of frequency channels simultaneously. - 特許庁

チャネル領域が形成される半導体基板面に対してエクステンション部の実効的な深さを浅くして、短チャネル効果の抑制を図った半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a short channel effect is suppressed by reducing the effective depth of an extension part to a semiconductor substrate surface where a channel region is formed, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

埋め込みｎ型不純物領域は、チャネル層形成前にイオン注入するため、実効チャネル領域の不純物プロファイルに影響を与えない。例文帳に追加

The embedded n-type impurity region is ion-implanted before the formation of the channel layer, so that an impurity profile of the effective channel region is not influenced. - 特許庁

ワード線（ゲート電極）の低抵抗化、接合リークの抑制、ゲート絶縁膜の耐圧確保を図り、実効チャネル長を延ばすことで短チャネル効果を抑制しトランジスタ特性の安定化を図る。例文帳に追加

To reduce the resistance of a word line(gate electrode), to suppress joint leak, to ensure the breakdown voltage of a gate insulating film, to suppress short channel effects by extending effective channel length, and to stabilize the transistor characteristics. - 特許庁