強度近視の英語

強度の大きな近視野光を照射または／および検出することができ、Ｓ／Ｎ比の大きな光学像を取得することができる近視野光プローブ、および、その製造方法や近視野光装置を得ること。例文帳に追加

To obtain a near-field optical probe with which a near-field light of large intensity can be radiated or/and detected and which can capture an optical image with a large S/N ratio, and to obtain its manufacturing method and a near-field optical apparatus. - 特許庁

半導体レーザー３の近視野像の光強度又はサイズの変化から発振しきい値を決定する。例文帳に追加

An oscillation threshold is determined according to the light intensity or dimensional change of a near field pattern of a semiconductor laser 3. - 特許庁

被検眼が強度の近視の場合でもフレアが混入していない眼底像を記録媒体に記録可能な眼底カメラを提供する。例文帳に追加

To provide a fundus camera capable of recording an ocular fundus image which is free from the mixture of flare in a recording medium when a subject's eye is highly nearsighted. - 特許庁

半導体レーザ光源の有する近視野パターン及び遠視野パターンによる照明強度のばらつきの影響を極力少なくする。例文帳に追加

To extremely make an influence of dispersion of an illumination strength by a near-field pattern and a far-field pattern which a semiconductor laser light source has less. - 特許庁

強度の近視や強度の遠視の被検眼を有する被検者の場合には、被検眼の視度に応じた視度補正レンズを受光光路に挿入できる眼底カメラを提供すること。例文帳に追加

To provide a fundus camera which can insert a diopter correction lens in a light receiving optical path according to the diopter of an eye to be examined in the case of a subject having the eyes to be examined which has strong shortsightedness or longsightedness. - 特許庁

活性層に対して均一に電流が注入されるようにして、活性層からの発光を均一にし、近視野像の強度分布の均一性が向上した半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element with improved uniformity in intensity distribution of a near-field image so as to uniformly inject current to an active layer and to uniformize emission with respect to the active layer. - 特許庁

活性層２２〜２６に対して垂直方向の近視野像の強度が１／ｅ^2 であるスポットサイズの幅をＷとするとき、Ｄが、 １＞Ｄ／Ｗ≧０．５ を満足するような残り厚さＤで活性層全面に積層されたクラッド層２８〜３４を有する。例文帳に追加

When a spot having an intensity 1/e2 of a near-field image in a direction vertical to active layers 22 to 26 has a width W, the remaining thickness D satisfies a relation of 1>D/W≥0.5 and has clad layers 28 to 34 laminated on the entire surface of the active layers. - 特許庁

この凹面４，４の深さＬｒおよび位置は、レーザ光の近視野像が、予め定めた単一ローブの遠視野像を逆フーリエ変換して求めた光強度分布および位相分布と同じ分布をなすように決められている。例文帳に追加

In this case, the depth Lr and the position of each of the recesses 4 and 4 are decided so that the near field pattern of the laser beam has the same distribution as the light intensity distribution and the phase distribution obtained by inverse Fourier transformation of the far field pattern of the predetermined single lobe. - 特許庁