強誘電体メモリーの英語

強誘電体特性を評価する新たな方法を提供し、強誘電体材料をメモリー媒体とするＬＳＩメモリーのような微小領域の強誘電体特性を高速に、高分解ので、かつ、簡易に評価できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method for evaluating characteristics of a ferroelectric material which is capable of easily evaluating the characteristics of a micro region of ferroelectric material such as an LSI memory using the ferroelectric material as a memory medium with high resolution at a high speed. - 特許庁

計時回路を強誘電体メモリーにて、構成し、計時回路自体にて電池交換時の計時内容を記憶させる。例文帳に追加

The time measuring circuit comprises a ferroelectric memory and the content of time measurement is stored within the time measuring circuit itself at the time of replacing a battery. - 特許庁

強誘電体薄膜光メモリー素子の構造は単純であり、低コストで生産する事が可能である。例文帳に追加

The ferroelectric thin film optical memory device has a simple structure and can be produced at low cost. - 特許庁

少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH SINGLE-BIT LINE COUPLED TO AT LEAST ONE MEMORY CELL - 特許庁

強誘電体メモリーの電極用薄膜として、平坦なＩｒもしくはＩｒＯ_２の膜をＣＶＤ法で成膜する方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for depositing a flat Ir or IrO2 film as a thin film for the electrode of a ferroelectric memory by a CVD method. - 特許庁

強誘電体型記憶装置において、少ないエリアペナルティで読み出しマージンの少ないメモリーセルを検出する。例文帳に追加

To detect a memory cell small in margin by being read out with less area penalty in a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained. - 特許庁

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路１により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。例文帳に追加

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally. - 特許庁