「強誘電体メモリー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

強誘電体光メモリーにおいて、メモリー素子である強誘電体セラミックスを薄膜化することにより、駆動電圧を大幅に低電圧化することが課題である例文帳に追加

To substantially reduce voltage of drive voltage by making ferroelectric ceramics being a memory device a thinner film in a ferroelectric optical memory. - 特許庁

セラミック強誘電体の強誘電性とセラミック強磁性体の強磁性とを兼備しメモリー素子などとして用いることを可能とする強誘電体と強磁性体との複合体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing composite of ferroelectric material and ferromagnetic material which has both ferroelectricity of ceramic ferroelectric material and ferromagnetism of ceramic ferromagnetic material, and can be used as a memory element or the like. - 特許庁

強誘電体特性を評価する新たな方法を提供し、強誘電体材料をメモリー媒体とするＬＳＩメモリーのような微小領域の強誘電体特性を高速に、高分解ので、かつ、簡易に評価できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method for evaluating characteristics of a ferroelectric material which is capable of easily evaluating the characteristics of a micro region of ferroelectric material such as an LSI memory using the ferroelectric material as a memory medium with high resolution at a high speed. - 特許庁

計時回路を強誘電体メモリーにて、構成し、計時回路自体にて電池交換時の計時内容を記憶させる。例文帳に追加

The time measuring circuit comprises a ferroelectric memory and the content of time measurement is stored within the time measuring circuit itself at the time of replacing a battery. - 特許庁

強誘電体薄膜光メモリー素子の構造は単純であり、低コストで生産する事が可能である。例文帳に追加

The ferroelectric thin film optical memory device has a simple structure and can be produced at low cost. - 特許庁

少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH SINGLE-BIT LINE COUPLED TO AT LEAST ONE MEMORY CELL - 特許庁

強誘電体メモリーの電極用薄膜として、平坦なＩｒもしくはＩｒＯ_２の膜をＣＶＤ法で成膜する方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for depositing a flat Ir or IrO2 film as a thin film for the electrode of a ferroelectric memory by a CVD method. - 特許庁

強誘電体型記憶装置において、少ないエリアペナルティで読み出しマージンの少ないメモリーセルを検出する。例文帳に追加

To detect a memory cell small in margin by being read out with less area penalty in a ferroelectric memory device. - 特許庁

強誘電体薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained. - 特許庁

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路１により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。例文帳に追加

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally. - 特許庁

強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device used for a ferrorelectric memory device having a thin ferroelectric film thickness and a long-time data storage characteristic, a manufacturing method thereof, a manufacturing apparatus thereof, a ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus employed for a ferrorelectric memory device having a ferroelectric film which is thin in film thickness, while having a long-term data storage characteristic, a method of manufacturing the semiconductor apparatus, a device for manufacturing the semiconductor apparatus, the ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

不揮発性メモリーの、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９（ＳＢＴ）、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ）などを用いた強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでＣＶＤのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vaporizing device to vaporize and feed a film forming material to a film forming device such as a CVD on the practical level in the practical use of a ferroelectric memory (FeRAM) using SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(Zr, Ti)O3(PZT), etc., of a non-volatile memory. - 特許庁

遷移金属酸化物、ペロブスカイト並びに層状ペロブスカイト酸化物、超ＬＳＩ、高温超伝導、スイッチング、強誘電体メモリーなどに利用することができる結晶構造歪による固体電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling solid electronic physical properties of transition metal oxide, perovskite and laminar perovskite oxide by their crystal structure distortion which can be utilized for VLSI (Very Large Scale Integration), high-temperature superconduction, switching, ferroelectric memory, etc., and the oxide obtained by this method. - 特許庁

本発明は、従来技術の問題点を解消し、強誘電体を有する電界効果トランジスタ型の記憶素子をデバイス応用するために、十分なメモリーウィンドウ幅が長期間かつ高温で安定に保持される当該記憶素子の技術と構造を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a technique for and the structure of a field-effect transistor memory element capable of stably maintaining a sufficient memory window width for a long period of time under high temperature to solve a problem which a conventional technique faces and to apply the field-effect transistor memory element having a ferroelectric to a device. - 特許庁