1153万例文収録!

「強誘電体メモリー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 強誘電体メモリーに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

強誘電体メモリーの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

誘電薄膜素子及びその製法並びに強誘電体メモリー例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

エポキシ樹脂組成物及び強誘電体メモリー装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリー装置の歩留りを向上させる。例文帳に追加

To improve a yield of a ferroelectric memory device. - 特許庁

光導電膜と誘電薄膜を用いた誘電薄膜光メモリー素子例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM OPTICAL MEMORY DEVICE USING PHOTOCONDUCTIVE FILM AND FERROELECTRIC THIN FILM - 特許庁

例文

2T2C型強誘電体メモリーでは、電位発生回路によりプレート線に与えるパルス電位を調整し、メモリーセルからの読み出し電荷量を小さくして、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。例文帳に追加

In a 2T2C type ferroelectric memory, a pulse potential given to a plate line from the potential generating circuit is adjusted, and the quantity of read-out electric charges from a memory cell is reduced, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally. - 特許庁


例文

誘電メモリーにおいて、メモリー素子である誘電セラミックスを薄膜化することにより、駆動電圧を大幅に低電圧化することが課題である例文帳に追加

To substantially reduce voltage of drive voltage by making ferroelectric ceramics being a memory device a thinner film in a ferroelectric optical memory. - 特許庁

セラミック誘電誘電性とセラミック磁性磁性とを兼備しメモリー素子などとして用いることを可能とする誘電磁性との複合の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing composite of ferroelectric material and ferromagnetic material which has both ferroelectricity of ceramic ferroelectric material and ferromagnetism of ceramic ferromagnetic material, and can be used as a memory element or the like. - 特許庁

誘電特性を評価する新たな方法を提供し、誘電材料をメモリーとするLSIメモリーのような微小領域の誘電特性を高速に、高分解ので、かつ、簡易に評価できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new method for evaluating characteristics of a ferroelectric material which is capable of easily evaluating the characteristics of a micro region of ferroelectric material such as an LSI memory using the ferroelectric material as a memory medium with high resolution at a high speed. - 特許庁

計時回路を強誘電体メモリーにて、構成し、計時回路自にて電池交換時の計時内容を記憶させる。例文帳に追加

The time measuring circuit comprises a ferroelectric memory and the content of time measurement is stored within the time measuring circuit itself at the time of replacing a battery. - 特許庁

例文

誘電薄膜光メモリー素子の構造は単純であり、低コストで生産する事が可能である。例文帳に追加

The ferroelectric thin film optical memory device has a simple structure and can be produced at low cost. - 特許庁

例文

少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する誘電メモリ素子例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH SINGLE-BIT LINE COUPLED TO AT LEAST ONE MEMORY CELL - 特許庁

強誘電体メモリーの電極用薄膜として、平坦なIrもしくはIrO_2の膜をCVD法で成膜する方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for depositing a flat Ir or IrO2 film as a thin film for the electrode of a ferroelectric memory by a CVD method. - 特許庁

誘電型記憶装置において、少ないエリアペナルティで読み出しマージンの少ないメモリーセルを検出する。例文帳に追加

To detect a memory cell small in margin by being read out with less area penalty in a ferroelectric memory device. - 特許庁

誘電薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained. - 特許庁

1T1C型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路1により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。例文帳に追加

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally. - 特許庁

誘電膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導装置、その製造方法、その製造装置、誘電膜及び誘電膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device used for a ferrorelectric memory device having a thin ferroelectric film thickness and a long-time data storage characteristic, a manufacturing method thereof, a manufacturing apparatus thereof, a ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

誘電膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導装置、その製造方法、その製造装置、誘電膜及び誘電膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus employed for a ferrorelectric memory device having a ferroelectric film which is thin in film thickness, while having a long-term data storage characteristic, a method of manufacturing the semiconductor apparatus, a device for manufacturing the semiconductor apparatus, the ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

不揮発性メモリーの、SrBi_2Ta_2O_9(SBT)、Pb(Zr、Ti)O_3(PZT)などを用いた強誘電体メモリー(FeRAM)の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでCVDのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vaporizing device to vaporize and feed a film forming material to a film forming device such as a CVD on the practical level in the practical use of a ferroelectric memory (FeRAM) using SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(Zr, Ti)O3(PZT), etc., of a non-volatile memory. - 特許庁

遷移金属酸化物、ペロブスカイト並びに層状ペロブスカイト酸化物、超LSI、高温超伝導、スイッチング、強誘電体メモリーなどに利用することができる結晶構造歪による固電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling solid electronic physical properties of transition metal oxide, perovskite and laminar perovskite oxide by their crystal structure distortion which can be utilized for VLSI (Very Large Scale Integration), high-temperature superconduction, switching, ferroelectric memory, etc., and the oxide obtained by this method. - 特許庁

例文

本発明は、従来技術の問題点を解消し、誘電を有する電界効果トランジスタ型の記憶素子をデバイス応用するために、十分なメモリーウィンドウ幅が長期間かつ高温で安定に保持される当該記憶素子の技術と構造を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a technique for and the structure of a field-effect transistor memory element capable of stably maintaining a sufficient memory window width for a long period of time under high temperature to solve a problem which a conventional technique faces and to apply the field-effect transistor memory element having a ferroelectric to a device. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS