応力緩和速度の英語

加速度センサＡは、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する応力緩和部６０が設けられている。例文帳に追加

A stress loosening part 60 for loosening a stress generated to the flexion part 13 together with joint to a conductor pattern 43 of a mounting board 40 with the external connecting electrode 25 is installed in the acceleration sensor A. - 特許庁

電極からセンサ素子への応力の影響を緩和して検出精度の向上した半導体加速度センサ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor acceleration sensor element having improved detection accuracy by mitigating the influence of a stress from an electrode on the sensor element. - 特許庁

線膨張係数の差に起因する熱応力がセンサチップに与える影響を緩和することにより、温度特性を向上させる半導体加速度センサを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor acceleration sensor improving a temperature characteristic by mitigating effect of thermal stress caused by a difference in linear expansion coefficient to a sensor chip. - 特許庁

架橋及び硬化速度を任意に制御でき、かつ、優れた耐熱性、接着性、応力緩和性を有する熱反応性接着剤および熱反応性接着フィルムを提供すること。例文帳に追加

To obtain a thermally reactive adhesive and to prepare a thermally reactive adhesive film capable of optionally controlling crosslinking and curing rate and having excellent heat resistance, adhesion and stress relaxing properties. - 特許庁

ポリエステル樹脂が架橋する速度はエポキシ樹脂の重合速度に比べ非常に遅いので、加熱終了直後では接着剤３３は柔軟性を失っておらず、半導体素子２０が収縮しても応力は接着剤３３で緩和される。例文帳に追加

The crosslinking rate of the polyester resin is far slower than that of the epoxy resin, thus the adhesive 33 still maintains flexibility immediately after heating and stress caused by shrinkage of the semiconductor element 20 can be reduced by the adhesive 33. - 特許庁

本発明のインクジェットヘッドは、応答速度が速く、振動板の変位が波動的になされ、低電圧で大きな変位量が得られると共に、振動板への応力の集中を緩和でき、振動板の端部への機械的変位の負荷を軽減することができる。例文帳に追加

To obtain a high response ink jet head in which a diaphragm displaces sinusoidally, a large displacement can be obtained at a low voltage, concentration of stress to a diaphragm can be relaxed, and a mechanical displacement load can be lessened at the end of the diaphragm. - 特許庁

そのために、上記半導体レーザとサブマウント２１との接合部における外周部と中央部との冷却速度の違いに起因して上記接合部の周辺部に集中して発生する応力を緩和でき、上記半導体レーザに掛る歪を低減することができる。例文帳に追加

Thus, the stress generated intensively at the peripheral part of the bonding part due to the difference in the cooling speed between the outer peripheral part and the center part in the bonding part of the semiconductor laser, and the sub-mount 21 can be relaxed, and distortions acting on the semiconductor laser are reduced. - 特許庁