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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > 抵抗-トランジスタ論理回路の英語・英訳 

抵抗-トランジスタ論理回路の英語

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日英・英日専門用語辞書での「抵抗-トランジスタ論理回路」の英訳

抵抗-トランジスタ論理回路

resistor transistor logic circuit,resister-transistor logic

「抵抗-トランジスタ論理回路」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ例文帳に追加

SPIN TRANSISTOR, RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁

入力回路101は,シュミットバッファ111,プルダウン抵抗113,Nトランジスタ115,Pトランジスタ121,Nトランジスタ122,Pトランジスタ131,Nトランジスタ132,排他的論理和ゲート141,およびバスドライバ151から構成されている。例文帳に追加

The input circuit 101 consists of a Schmitt buffer 111, a pull- down resistor 113, an N-channel transistor(TR) 115, a P-channel TR 121, an N-channel TR 122, a P-channel TR 131, an N-channel TR 132, an exclusive OR gate 141, and a bus driver 151. - 特許庁

駆動トランジスタは、PMOSトランジスタ52とPMOSトランジスタ53との直列接続からなり、論理回路42と制御電圧発生回路45からなる基準電流発生回路は、制御電圧を定める基準電流を設定する抵抗63および演算増幅器61を有する。例文帳に追加

A drive transistor is constituted of the serial connection of a PMOS transistor 52 and a PMOS transistor 53 and a reference current generating circuit constituted of a logic circuit 42 and a control voltage generating circuit 45 has a resistor 63 and an operational amplifier 61 setting reference current defining control voltage. - 特許庁

強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a spin transistor, with a low interface resistance between a source/drain made of a ferromagnetic material and an organic channel, which achieves a good transistor operation, and to provide a logic circuit device. - 特許庁

AND論理ゲートG1〜G4などで構成するトランジスタ制御回路は、これらトランジスタT2A1〜T2A4のゲートに与える信号を個別に制御することで、前記電流出力オフの際に、これら複数トランジスタT2A1〜T2A4の内でオンにするトランジスタを可変し、最適なオン抵抗が設定される。例文帳に追加

A TR control circuit, consisting of AND logic gates G1-G4 or the like individually, controls a signal given to the gates of the TRs T2A1 to T2A4 to select a TR to become conductive among a plurality of the TRs T2A1 to T2A4 in the case of a current output off state, thereby setting an optimum on-resistance. - 特許庁

多入力論理ゲート回路を構成するMOSトランジスタであって、各入力端子に接続されるMOSトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。例文帳に追加

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time. - 特許庁

例文

エミッタ結合型論理回路118は、エミッタ結合された一対のバイポーラトランジスタ106及び107により構成されたカレントスイッチと、カレントスイッチと直列接続する定電流源用n型MOSトランジスタ110と、バイポーラトランジスタ106、107のそれぞれと直列接続され出力電圧を取り出すための抵抗手段108及び109とを含む。例文帳に追加

The emitter-coupled logic circuit 118 includes a current switch which is composed of an emitter-coupled pair of bipolar transistors 106 and 107, the n-type MOS transistor 110 for a current generator which is connected in series with the current switch and resistor means 108 and 109 which are respectively connected in series with the bipolar transistor 106 and 107 for taking out an output voltage. - 特許庁

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「抵抗-トランジスタ論理回路」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

一方、検出対象線80が断線している場合には、AND回路70へ入力する抵抗分圧は、プルダウン抵抗用NMOSトランジスタ60にのみ依存することとなり、抵抗分圧がAND回路70での論理閾値よりも低いので、AND回路70から出力される結線状態信号はLOWレベルとなる。例文帳に追加

When the wire 80 to be detected is disconnected, the divided resistance voltage to be inputted in the AND circuit 70 is only dependent on an NMOS transistor 60 for a pull-down resistor, and since the divided resistance voltage is lower than the logical threshold at the AND circuit 70, the connection condition signal to be outputted from the AND circuit 70 is on the LOW level. - 特許庁

制御回路は、複数の第1のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第1のメモリセルを第1の参照セルとして第1のセルアレイから選定する。例文帳に追加

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells. - 特許庁

例文

制御回路は、複数の第2のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第1の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第2のメモリセルを第2の参照セルとして第2のセルアレイから選定する。例文帳に追加

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells. - 特許庁

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