拡散活性化の英語

そして、不純物の活性化熱処理を行い、拡散層領域を形成する。例文帳に追加

Then, the activation heat treatment of impurities is made to form a diffusion layer region. - 特許庁

拡散層３には、フィールド分離層及び活性化デバイスは設けられていない。例文帳に追加

The diffusion layer 3 is not provided with the field isolation layer and an activated device. - 特許庁

不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method which further enhances an activation rate without increasing an impurity diffusion length. - 特許庁

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。例文帳に追加

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16. - 特許庁

また、活性化学種は優れた拡散性で存在し、しかも溶剤が少量であっても多量の活性化学種が含まれる。例文帳に追加

Further, the active chemical species exists in an excellent diffusive way, and even if the solvent is of a small amount, a large amount of active chemical species is included. - 特許庁

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。例文帳に追加

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density. - 特許庁

活性層上に形成された窒化物半導体層に含まれる不純物が、活性層に拡散することを防止する。例文帳に追加

To prevent impurities contained in a nitride semiconductor layer formed on an active layer from spreading into the active layer. - 特許庁

第２上クラッド層１０６に拡散された上記不純物を、活性層１０２まで再拡散して、活性層１０２のうち光出射端面１５０に沿い、かつリッジ１０５直下の部分１０２Ｂを混晶化する（第２アニール）。例文帳に追加

The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing). - 特許庁