「拡散活性化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その後、活性化熱処理により、ｐ型の深部膨張形拡散領域１５ａ，１５ｂを形成する。例文帳に追加

Then p-type deep expansion diffusion areas 15a and 15b are formed by activating heat-treatment. - 特許庁

次に、熱処理をすることでｐ型不純物を内部に拡散させ、ｐウェルを活性化する。例文帳に追加

Next, the p-type impurity is diffused inside by effecting heat treatment to activate the p-well. - 特許庁

そして、不純物の活性化熱処理を行い、拡散層領域を形成する。例文帳に追加

Then, the activation heat treatment of impurities is made to form a diffusion layer region. - 特許庁

拡散層３には、フィールド分離層及び活性化デバイスは設けられていない。例文帳に追加

The diffusion layer 3 is not provided with the field isolation layer and an activated device. - 特許庁

不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method which further enhances an activation rate without increasing an impurity diffusion length. - 特許庁

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。例文帳に追加

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16. - 特許庁

また、活性化学種は優れた拡散性で存在し、しかも溶剤が少量であっても多量の活性化学種が含まれる。例文帳に追加

Further, the active chemical species exists in an excellent diffusive way, and even if the solvent is of a small amount, a large amount of active chemical species is included. - 特許庁

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。例文帳に追加

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density. - 特許庁

活性層上に形成された窒化物半導体層に含まれる不純物が、活性層に拡散することを防止する。例文帳に追加

To prevent impurities contained in a nitride semiconductor layer formed on an active layer from spreading into the active layer. - 特許庁

第２上クラッド層１０６に拡散された上記不純物を、活性層１０２まで再拡散して、活性層１０２のうち光出射端面１５０に沿い、かつリッジ１０５直下の部分１０２Ｂを混晶化する（第２アニール）。例文帳に追加

The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing). - 特許庁

水活性化材に気泡を拡散させることにより、トルマリンに代表される水活性化材による活性化効果を促進させるとともに、浴湯の攪拌と気泡によるリラクゼーション効果をも併せもたせることができるようにした浴湯用気泡拡散装置を提供する。例文帳に追加

To provide an air bubble diffusing device for a bath in which the activation effect by a water activating material represented by tourmaline is promoted by diffusing air bubbles into the water activating material and which can also give a relaxation effect by the stirring of bath water and air bubbles. - 特許庁

ガス拡散電極用分散液が、ポリオキシエチレン型非イオン性界面活性剤を含むガス拡散電極用分散液の液温を界面活性剤の曇点以上になるように加熱処理したもの、又はガス拡散電極用分散液が、ガス拡散電極用分散液にアルコールを添加し白己組織化させたものであることが好ましい。例文帳に追加

The dispersion solution is preferably heated so that the temperature of the dispersion solution for the gas diffusion electrode containing polyoxyethylene type non-ionic surfactant is not lower than the cloud point of the surfactant, or the dispersion solution for the gas diffusion electrode is preferably self-organized by adding alcohol to the dispersion solution for the gas diffusion electrode. - 特許庁

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。例文帳に追加

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated. - 特許庁

これにより、白金化合物は、超臨界二酸化炭素中に溶け込み拡散して活性炭繊維の細孔内に入り込む。例文帳に追加

Consequently, the platinum compound is dissolved and diffused in the supercritical carbon dioxide and penetrates the insides of fine pores of the activated carbon fiber. - 特許庁

不純物を活性化又は拡散させる熱処理後の半導体基板の裏面への自然酸化膜の成長を抑制する。例文帳に追加

To suppress growth of a natural oxide film to the back surface of a semiconductor substrate after a heat treatment for activating or diffusing impurities. - 特許庁

これにより、ソース／ドレイン拡散層１６の活性化拡散がなされると共に、先のイオン注入工程におけるゲート酸化膜１４のダメージが緩和される。例文帳に追加

Thus, a source/drain diffusion layer 16 is diffused so as to activate, and also damages to the gate oxide film 14 are relaxed in a preceding ions implantation process. - 特許庁

ガス拡散電極を電解液中で陰極として電解を行い、水素を発生させることにより、ガス拡散電極の反応層内部の親水性細孔に電解液を進入しやすくすることを特徴とするガス拡散電極の活性化方法。例文帳に追加

A gas diffusion electrode is activated by conducting electrolysis with the diffusion electrode as a cathode in an electrolytic solution to generate hydrogen and infiltrate the solution easily into the hydrophilic pore in the reaction layer of the electrode. - 特許庁

注入されたインジウムイオン及びヒ素イオンを活性化することにより、浅い接合を持つエクステンション高濃度不純物拡散層１０５、ポケット不純物拡散層１０６及び深い接合を持つ高濃度不純物拡散層１０４を形成する。例文帳に追加

Indium ions and arsenic ions which are implanted are activated, by which an extension high-concentration impurity diffusion layer 105 possessed of a shallow junction, a pocket impurity diffusion layer 106, and a high- concentration impurity diffusion layer 104 possessed of a deep junction are formed. - 特許庁

Ｚｎ及びＯを主要な構成元素とする活性層へのＬｉ等の活性化率の大きい不純物拡散を抑え、活性層の特性を改善する半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device in which impurities, such as Li etc., with a high activation rate, are restrained from being diffused into an active layer whose main component elements are Zn and O so as to improve the active layer in characteristics. - 特許庁

この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。例文帳に追加

An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed. - 特許庁

注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions. - 特許庁

ガス拡散層の撥水性を発現させるために実行する界面活性剤の加熱分解時間の短時間化を実現する。例文帳に追加

To reduce thermolysis time of surfactant performed in order to develop water repellency of a gas diffusion layer. - 特許庁

次に、アンモニア雰囲気中で９００℃、３時間、熱処理を行うと、Ｍｇがｎ^- −ＧａＮ層１１中に拡散し、同時に活性化する。例文帳に追加

Mg diffuses in the n^--GaN layer 11 for activation when subjected to thermal treatment for three hours at 900°C in an ammonia atmosphere. - 特許庁

水素照射における拡散長改善効果の高い、多結晶シリコン基板の欠陥不活性化方法を実現する。例文帳に追加

To realize the defect inactivating method of a polycrystalline silicon substrate having a high diffusion length improving effect in hydrogen irradiation. - 特許庁

短波長光の照射による活性化により、浅接合の拡散層を形成する際の、ゲート絶縁膜中のトラップの発生を抑える。例文帳に追加

To suppress the generation of a trap in a gate insulating film upon forming a shallow bonding diffusion layer by activation through irradiation of short wavelength light. - 特許庁

その後、前記各ソース・ドレイン領域（拡散層）１Ａ，１Ｂを活性化するための加熱処理を施す。例文帳に追加

Afterward, the board is subjected to heat treatment to activate each source area and drain area (diffusion area) 1A, 1B. - 特許庁

この製法においては、イオン注入の活性化アニールによりエクステンション部１２内の不純物がＰウェル３内に熱拡散しない。例文帳に追加

In the manufacturing method, impurities in the extension portion 12 are not thermally diffused into the P well 3 by activation annealing for ion implantation. - 特許庁

続いて、熱処理によってｎ型イオン注入領域ｎ１を拡散および活性化させることで、ｎ型メモリエクステンション領域を形成する。例文帳に追加

Successively, the n-type ion implantation region n1 is diffused and activated through a heat treatment to form an n-type memory extension region. - 特許庁

不活性ガスを流下させることによって、拡散処理膜から気化したリンを、炉外に排出することができる。例文帳に追加

A phosphorus gasified from a diffused film is discharged out of the furnace by flowing the insert gas. - 特許庁

その後、アニール処理を行って、前記極浅不純物拡散領域を活性化して極浅接合を形成する。例文帳に追加

Thereafter, by performing annealing treatment, the extremely shallow impurity diffusion region is activated to form extremely shallow junction. - 特許庁

逆に、活性状態にない場合は、拡散燃焼で排気空燃比をリッチにして、ＮＯｘの浄化を図る（Ｓ１５）。例文帳に追加

On the contrary, an exhaust air air-fuel ratio is made rich in diffusion combustion when the catalyst is not in an active condition to purify NOx (S15). - 特許庁

半導体基板１１を加熱して、ボロンを再活性化させることにより、２つの拡散層のボロンを再配置させる。例文帳に追加

By heating the semiconductor substrate 11 to reactivate boron, borons in the two diffusion layers are relocated. - 特許庁

ＺｎおよびＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させることがない半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which suppresses diffusion of Zn and Si, and does not deteriorate an active layer. - 特許庁

不純物の電気的活性化率を向上させ、不純物の拡散を抑制した不純物ドープ層を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which improves the electric activation rate of impurities and uses an impurity-doped layer deterring impurities from being diffused. - 特許庁

これにより、活性化熱処理の際のＢの拡散が抑制され、ｐ型半導体で構成される各領域が広がらずに形成される。例文帳に追加

Accordingly, diffusion of B at activation thermal treatment can be suppressed and areas made of p-type semiconductor are formed without spreading. - 特許庁

ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。例文帳に追加

To prevent the deterioration of the crystal quality of an active layer of a ZnO-based compound semiconductor element due to the diffusion of an n-type dopant. - 特許庁

また、不純物の熱拡散を抑制して活性化するので、イオン注入直後の不純物プロファイルをほとんど維持できる。例文帳に追加

Moreover, since the thermal diffusion of the dopant is suppressed and is activated, the most dopant profiles immediately after ion implantation is maintained. - 特許庁

これらのタンパク質は、マトリクスの分解によって、酵素的な活性化および／または拡散によって放出されるように組み込まれ得る。例文帳に追加

The protein can be incorporated so that it is released by degradation of the matrix, by enzymatic activation and/or diffusion. - 特許庁

活性化させた後、先に形成させたマスクを除去することによって拡散配線１３の形成は終了する。例文帳に追加

After the impurity elements are activated, the resist mask 12 is removed, and thus a diffusion wiring 13 is formed. - 特許庁

活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride-based semiconductor element which can be improved in crystallinity by preventing the diffusion of impurities such as Mg into an active layer. - 特許庁

その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。例文帳に追加

Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region. - 特許庁

熱処理によりＳｉ基板にかかるストレスによるＳｉ基板の損傷を抑えつつ、ゲート電極の不純物の十分な拡散、拡散領域の不純物の十分な活性化ができるようにする。例文帳に追加

To enable the sufficient diffusion of impurities in a gate electrode and the sufficient activation of impurities in a diffusion region while inhibiting the damage of an Si substrate due to a stress applied to the Si substrate by a heat treatment. - 特許庁

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device. - 特許庁

点欠陥を修復してから活性化熱処理を行えば、過度増速拡散により厚み方向の拡散が進むことはないので、所望どおりの浅さの接合を形成できる。例文帳に追加

Activating heat treatment is carried out after the spot defect is repaired, and since the diffusion along the thickness is not advanced by the excessively rate-increased diffusion, the junction which has exact desired thickness can be formed. - 特許庁

透明基材フィルム５２の少なくとも一方の面に、活性エネルギー線硬化性樹脂中に光拡散剤が混入分散されてなり、活性エネルギー線照射により硬化して接着性を発現する粘着性を有する光拡散接着層５１を設けてなる。例文帳に追加

The light diffusing adhesive layer 51, which is formed by mixing/dispersing a light diffusing agent in an active energy beam-curable resin and cured when irradiated with an active energy beam to exhibit adhesive strength and has tackiness, is arranged on at least one side of a transparent base material film 52. - 特許庁