「拡散活性化」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

このｐ型カウンタ層６Ａよりも深くソース・ドレインエクステンション層８を形成した後、ソース・ドレイン拡散層７を形成して、アニールして活性化する。例文帳に追加

After forming a source/drain extension layer 8 more deeply than the p-type counter layer 6A, a source/drain diffused layer 7 is formed and activated by annealing. - 特許庁

また、低温での活性化が可能となるため、ソースおよびドレイン領域からの不純物の拡散が抑制され、微細なゲート長のトランジスタ形成が可能となる。例文帳に追加

Moreover, since the activation at low temperature becomes possible, the diffusion of the impurities from the source and drain regions is suppressed, and the formation of a minute transistor of a long gate becomes possible. - 特許庁

これにより、供給されたアンモニアガスが活性化して、反応管２を構成する石英中に拡散したフッ素等と反応し、石英中からフッ素等が除去される。例文帳に追加

Then, the inside of the reaction tube 2 is raised with a predetermined temperature, and an ammonia gas is supplied into the heat-up reaction tube 2. - 特許庁

そして、熱処理により、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内に砒素イオン注入層１４を活性化したＮ^＋層１５、リンドープ多結晶シリコン膜からリン（Ｐ）が拡散したＮ^＋層１７が形成される。例文帳に追加

An N^+ layer 15 is formed by activating the arsenic ion implantation layer 14, and an N^+ layer 17 is also formed by diffusing phosphorus (P) from the phosphorus-doped polycrystalline silicon film by heat treatment in the N^+ source layer 9 and N^+ drain layer 10. - 特許庁

これを熱処理して不純物を拡散させ、活性化させると、ポリシリコン膜６ａの幅に対応して不純物濃度が異なる抵抗素子１１，１２が形成される。例文帳に追加

It is heat treated in order to diffuse impurities and activated thus forming resistor elements 11, 12 having different impurity concentration dependent on the width of the polysilicon film 6a. - 特許庁

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、かつ製造時間の短縮ができる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and further can reduce manufacturing time. - 特許庁

爆発工程時に主燃焼室への噴流の拡散を促進するとともに、圧縮工程時に渦流室内に発生する渦流を活性化できる渦流室式ディーゼルエンジンの燃焼室を提供する。例文帳に追加

To provide a combustion chamber of a vortex chamber type diesel engine capable of promoting diffusion of a jet to a main combustion chamber at the time of an explosion stroke and activating a vortex generated in the vortex chamber at the time of a compression stroke. - 特許庁

ミリセカンドアニールにおいて、ＳｉＧｅなどの熱的耐性の小さい材料に対しても、不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる。例文帳に追加

To further enhance an activation rate without increasing an impurity diffusion length for a material having a small thermal resistance such as SiGe or the like also in a millisecond anneal. - 特許庁

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。例文帳に追加

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region. - 特許庁

光触媒作用によって生成する活性酸素種の拡散に対して、高いバリアー性を有し、有機基材との密着性が劣化しない下地層を形成する光触媒体層の下地層用プレコート液を提供する。例文帳に追加

To provide a precoat liquid for an undercoat layer of a photocatalytic body layer, the undercoat layer exhibiting high barrier properties to diffusion of active oxygen species to be produced by photocatalysis and not deteriorating the adhesiveness to an organic base material. - 特許庁

注入された不純物の拡散を抑制しつつも不純物注入時に導入された欠陥の回復を促進でき、しかも不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and apparatus, capable of promoting recovery of defects introduced in implanting impurities while suppressing dispersion of the impurities, and excellently activating the impurities. - 特許庁

注入された不純物の拡散を抑制しつつ活性化を行うことができ、しかも不純物注入時に導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that can activate an implanted impurity while suppressing diffusion of the impurity, and can recover a crystal defect introduced during the impurity implantation. - 特許庁

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。例文帳に追加

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法は２００〜３００℃程度で処理するので、第１のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Ｗなどの接続配線の拡散を活性化しない。例文帳に追加

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc. - 特許庁

これにより、不純物の拡散係数が小さくても、空孔において不純物の格子位置への置換を充分に行うことができ、不純物の活性化率を向上させることができる。例文帳に追加

Thus, even if the diffusion coefficient of the impurity is small, the substitution of the impurity to the lattice position at the hole can be carried out sufficiently, so that the activation factor of the impurity can be improved. - 特許庁

そして第１の熱処理工程よりも低い温度或いは短い時間で第２の熱処理工程を行い浅いソース−ドレイン拡散層１３１を活性化させる。例文帳に追加

A second thermal process is carried out at a temperature lower than the first thermal process for a short period to cause the source/drain diffusion layer 131 to be activated. - 特許庁

配線パターン１６ａ〜１６ｃ及び電極パッド１７ａ〜１７ｃは、シリコン基板１０Ａ上に絶縁層を介して形成された活性層を不純物拡散により低抵抗化したものである。例文帳に追加

The patterns 16a to 16c and the pads 17a to 17c are those which are reduced in resistance an active layer formed on the substrate 10A via an insulating layer through impurity diffusion. - 特許庁

ｐ＋拡散層１１０は、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域側の第１端部１０２ａに隣接する領域に形成され、ｎ−活性層１０１とは導電型が逆の不純物が注入される。例文帳に追加

The p^+ type diffusion layer 110 is formed in the region neighboring a first end part 102a in the source region side of the Locos oxide layer 102 and is doped with an impurity having conductivity type that is reverse to that of the n^- type active layer 101. - 特許庁

この２次欠陥層１５、１５−１は主に素子分離絶縁膜１４から活性層１３内に拡散する重金属をトラップし、素子の特性劣化を防止する。例文帳に追加

The secondary defect layers 15 and 15-1 trap a heavy metal being diffused from the element isolation insulating film 14 into the active layer 13, and prevent deterioration in the characteristics of an element. - 特許庁

静止型流体混合器１の拡散７、集合７′の各エレメントの流体通路に強い磁界を与え、そこを通過する気体・液体・混合物等を活性化させる。例文帳に追加

A strong magnetic field is applied to a fluid passage of each of the elements for diffusion 7 and aggregation 7' in a static fluid mixer 1, thereby activating gas, liquid, mixtures, and the like that pass through the magnetic field. - 特許庁

前記界面電荷の影響を低減するために不純物を添加すれば、前記不純物は光を吸収し、前記不純物の拡散で活性層が劣化して半導体発光素子の寿命を短くする。例文帳に追加

This semiconductor light emitting device 101 is produced in a way that the concentration of impurity near an interface where two semiconductor layers with different compositions lie adjacent to each other becomes higher than the average concentration of impurity in the respective semiconductor layers. - 特許庁

基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層を溶融するとともに第１Ｓｉ層と第２Ｓｉ層の一部にＧｅを拡散する。例文帳に追加

The substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer and diffuse Ge in parts of the first Si layer and the second Si layer. - 特許庁

これにより、供給されたアンモニアガスが活性化して、反応管２を構成する石英中に拡散したフッ素等と反応し、石英中からフッ素等が除去される。例文帳に追加

After that, a temperature inside the reactor pipe 2 is raised to a prescribed point, and an ammonia gas is sent into the reactor pipe 2 having the raised inner temperature. - 特許庁

第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。例文帳に追加

The second thermal treatment process allows the first gate insulating film to be more tight, preventing diffusion of active species generated at deposition of the second gate insulating film 12, not to increase its interface level. - 特許庁

一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。例文帳に追加

On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed. - 特許庁

このスラリーを基材の表面に塗布し、次いで加熱してバインダを焼失させ、活性剤を蒸発させるとともに金属アルミニウムと反応させてハロゲン化物蒸気を形成し、ハロゲン化物蒸気を基材表面上で反応させて同表面上にアルミニウムを堆積し、さらに堆積アルミニウムを表面内に拡散させて拡散アルミナイド皮膜２０を形成する。例文帳に追加

The slurry is applied to surfaces of the substrate, which is then heated to burn off the binder, vaporize and react the activator with the metallic aluminum to form the halide vapor, react the halide vapor at the substrate surfaces to deposit aluminum on the surfaces and diffuse the deposited aluminum into the surfaces to form a diffusion aluminide coating 20. - 特許庁

ゲート電極と不純物拡散層を形成後金属膜を成膜し、不活性ガス雰囲気中で第１の熱処理によって第１の金属シリサイドを形成し、次に活性雰囲気で第２の熱処理を施し第１の金属シリサイドを相変化させて第２の金属シリサイドとし、次に不活性ガス雰囲気中で第３の熱処理を施すことによって、シリサイドの凝集を抑制する。例文帳に追加

After a gate electrode and an impurity diffusion layer are formed, a metal film is formed and 1st metal silicide is formed through a 1st heat treatment in an inert gas atmosphere and the 1st metal silicide is varied in phase into 2nd metal silicide through a 2nd heat treatment; and then a 3rd heat treatment is carried out in an inert gas atmosphere to suppress the cohesion of the silicide. - 特許庁

反応層とガス供給層とからなるガス拡散電極の製造方法において、界面活性剤を含む水溶液中で疎水性カーボンブラック、フッ素樹脂ディスパージョン及び過酸化水素分解触媒微粒子を分散させたスラリーからガス供給層を形成させるガス拡散電極の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the gas diffusion electrode consisting of the reaction layer and the gas supply layer comprises forming the gas supply layer from a slurry prepared by dispersing the hydrophobic carbon black, the fluororesin dispersion and the hydrogen peroxide decomposing catalyst particulates into an aqueous solution containing a surfactant. - 特許庁

光を拡散させる拡散材となる粒子がバインダマトリックス中に分散している防眩層を透明基材上に備える防眩性積層体をダイコーティング法を用いて製造する方法であって、該バインダマトリックスを形成する活性エネルギー線硬化樹脂と該粒子を含む塗液に交流磁場を印加する工程を経ること、を特徴とする防眩性積層体の製造方法例文帳に追加

The method for manufacturing the antiglare laminate having an antiglare layer in which the particles serving as a diffusion material for diffusing light are dispersed in a binder matrix, using a dye coating method, includes a process for applying an AC magnetic field to the coating liquid containing the particles and active energy beam cured-resin forming the binder matrix. - 特許庁

本発明は、拡散燃焼運転モードと予混合燃焼運転モードを切換可能な圧縮着火式内燃機関の燃焼制御システムにおいて、内燃機関の運転状態が予混合燃焼運転領域に属する時に、排気浄化装置の温度が活性判定温度より低ければ、内燃機関を拡散燃焼運転させるようにした。例文帳に追加

The combustion control system for the compression ignition internal combustion engine capable of switching between the diffusion combustion operation mode and the premixed combustion operation mode causes the internal combustion engine to perform diffusion combustion operation if the temperature of an exhaust emission control device is lower than an activation determination temperature when the operating state of the internal combustion engine belongs to a premixed combustion operation region. - 特許庁

この方法では、ダイヤモンド結晶、ホウ素源及び不活性粒子の混合物を形成し、この混合物を、ダイヤモンド結晶の表面中にホウ素を拡散させてそのホウ素が拡散したダイヤモンド結晶の耐酸化性と機械的強度を改良するのに適した時間約８００〜１２００℃の温度に加熱する。例文帳に追加

In this method, a mixture of diamond crystal, a boron source, and an inert particles are prepared and this mixture is heated to approximately to 800-1200°C for a period suitable for diffusing boron on a surface of the diamond and improving oxidation resistance and mechanical strength of the diamond crystal in which the boron is diffused. - 特許庁

第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。例文帳に追加

The first clad layer 5, the etching stop layer 6 and the second clad layer 8 are subjected to impurity doping of Mg which is hard to diffuse in the solid of a compound semiconductor as compared with Zn, and the impurities are prevented from diffusing into the light emitting region of the MQW active layer 4 during a thermal process for forming an end face window. - 特許庁

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。例文帳に追加

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source. - 特許庁

光源によって前記酸化チタン（ＩＶ）に紫外線を照射することで、酸化チタン上で過酸化水素などの活性酸素種や、次亜塩素酸などのハロゲン酸化物が生成し、酸化チタンから拡散によって空間中に放出できる。例文帳に追加

An active-oxygen-containing compound such as hydrogen peroxide or a halogen oxide such as hypochlorous acid is formed by irradiating the titanium oxide (IV) with ultraviolet rays from a light source and emitted into the air from the titanium oxide by diffusion. - 特許庁

ベーンの表面を化学的に活性化した後に、５００℃以下の処理温度で窒化処理されたものであることから、表面に化合物層を生成しないで拡散層を得ることができ、低価格で容易に摺動部の耐磨耗性を得ることが可能になる。例文帳に追加

The surface of a vane is activated chemically and, thereafter, is treated through nitriding treatment at a treating temperature of 500°C or lower, whereby a dispersion layer, on the surface of which a compound layer is not produced, can be obtained and the abrasion resistance of the sliding unit can be obtained easily at a low cost. - 特許庁

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。例文帳に追加

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant. - 特許庁

演算制御装置２１０は、データログ装置２０９に記憶した燃料電池の発電履歴と、演算制御装置２１０が内蔵する活性化分極劣化データベース及び拡散分極劣化データベースに基づいて、スタック２００の各分極を分離する演算を行う。例文帳に追加

An operation control device 210 carries out operation of separating each polarization of the stack 200 based on the power generating history of the fuel cell stored in the data log device 209 and an activation polarization deterioration database and a diffusion polarization deterioration database built in the operation control device 210. - 特許庁

ベンゼン等の揮発性有機化合物で汚染された土壌に注入される微細気泡液の拡散範囲を拡げることができ、しかも微生物の活性化を促進させることができる汚染土壌または地下水の浄化方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for purifying contaminated soil or groundwater which can increase a diffusion area of a fine bubble-containing liquid injected into soil contaminated with volatile organic compounds, such as benzene, and can promote the activation of microorganisms. - 特許庁

ソース３２ａを形成する領域及びドレイン３２ｂを形成する領域と、エクステンション部３２ｃ、３２ｄを形成する領域とをアモルファス化した後に再結晶化し、不純物を、固溶限界を超えて熱拡散を抑制して活性化させる。例文帳に追加

A region for forming a source 32a and a region for forming a drain 32b, and regions for forming extension parts 32c and 32d are made amorphous, then recrystallized, and a dopant is activated by suppressing a thermal diffusion exceeding a solid solution limit. - 特許庁

ケイ素・二酸化ケイ素混合スラリーを塗布又は埋没させた被処理金属材料を、不活性ガス中で所定高温度に保持することにより、焼却炉用金属の表層に、ケイ化物の拡散層又は二酸化ケイ素のコーティング層を形成させる。例文帳に追加

A silicide-diffused layer or a silicon dioxide-coated layer is formed on the surface of a metal for the incinerator by maintaining the metal material to be treated, which has a mixed slurry of silicon and silicon dioxide applied thereto or implanted therein, in an inert gas at a predetermined, elevated temperature. - 特許庁

蛍石製造にあたり、大部分の吸着水分が脱離を起こす温度範囲（約300℃まで）において逐次これを不活性な酸化物へ化学変化させることで、800℃まで吸着水分を保持してしまう炉内カーボンへの水分の拡散・吸着を防ぐことができる。例文帳に追加

When fluorite is manufactured, the diffusion or adsorption of moisture to carbon in a furnace where adsorbed moisture is held up to 800°C can be prevented by that fluorite is chemically changed to an inert oxide gradually at a temperature range (up to about 300°C) where the majority of adsorbed moisture is desorbed. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved. - 特許庁

フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。例文帳に追加

The field oxide film 118 contains extending portions 160 extending to the interior of the active region, the side portions of the extending portions 160 are connected to the silicon oxide film 120c, and the exposed surface portions of the extending portions 160 become regions for hydrogen diffusion. - 特許庁

ガス拡散陰極を備えた塩化アルカリ電解槽が運転を停止する際、ガス室への酸素含有ガスの供給を停止するとともに、ガス室内を実質的に酸素含有ガス雰囲気から不活性ガス雰囲気に置換することを特徴とする塩化アルカリ電解槽の保護方法。例文帳に追加

The protective method of the alkali chloride electrolytic cell is by stopping the supply of an oxygen-containing gas to a gas chamber and substantially replacing the oxygen-containing gas atmosphere in the gas chamber by an inert gas atmosphere at the time of stopping the operation of the alkali chloride electrolytic cell provided with the gas diffusion cathode. - 特許庁

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、更にカーボンブラックとＰＴＦＥの望ましい構造を自己組織化できる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and by which desirable structure of carbon black and PTFE can be self-organized. - 特許庁