放射性ガリウムの英語

ごく少量の放射性ガリウムを静脈に注射し血流を介して循環させる。例文帳に追加

a very small amount of radioactive gallium is injected into a vein and travels through the bloodstream.発音を聞く  - PDQ®がん用語辞書 英語版

無極性ガリウム含有基板または半極性ガリウム含有基板（例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、Ａ１ＧａＮ、およびＡｌＩｎＧａＮ）を用いた、高出力で電磁放射を出射するための方法および素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device to emit high-output electromagnetic radiation based on a nonpolar gallium-containing substrate or semipolar gallium-containing substrate such as GaN, AlN, InN, InGaN, A1GaN, and AlInGaN. - 特許庁

基板に窒化ガリウム系化合物半導体を用いた場合、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をフラットにするための研磨を行うため、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面は物理的なダメージを受け、この上に形成した発光層から放射される光が不均一になるという課題を解決し、放射される光の均一性を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve the uniformity of radiation light by overcoming the problem, wherein a surface of a semiconductor substrate of a gallium nitride compound is physically damaged and the light radiated from the light emitting layer formed on it is made not uniform since the surface of the semiconductor substrate of the gallium nitride compound is polished flatly when using the gallium nitride compound semiconductor on the substrate. - 特許庁

基板に窒化ガリウム系化合物半導体を用いた場合、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をフラットにするための研磨を行うため、窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面は物理的なダメージを受け、この上に形成した発光層から放射される光が不均一になるという課題を解決し、放射される光の均一性を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve uniformity of emitted light by solving the problem wherein a surface of a gallium nitride family compound semiconductor substrate is physically damaged, and light emitted from a light emitting layer formed on the surface becomes uneven, since the surface of the gallium nitride family compound semiconductor substrate is polished to planarize it when a gallium nitride family compound semiconductor is used for the substrate. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板１１の上に、少なくともＩｎを含む第一のｎ型層１３と、発光層１５とが設けられ、第一のｎ型層１３は基板１１と発光層１５との間に形成されていることによって、放射される光の均一性を向上させることができる。例文帳に追加

A first n-type layer 13 including at least In and light emitting 15 are located on the substrate 11 composed of the semiconductor of gallium nitride compound, and the uniformity of the radiation light can be improved by forming the first n-type layer 13 between the substrate 11 and light emitting layer 15. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板１１の上に、少なくともＩｎを含む第一のｎ型層１３と、発光層１５とが設けられ、第一のｎ型層１３は基板１１と発光層１５との間に形成されていることによって、放射される光の均一性を向上させることができる。例文帳に追加

A first n-type layer 13 including at least In and the light emitting layer 15 are provided on the substrate 11 consisting of the semiconductor based on gallium nitride compound, and the first n-type layer 13 is formed between the substrate 11 and the light emitting layer 15, by which the uniformity of the emitted light is improved. - 特許庁

本発明の塗料は、セシウム、亜鉛、インジウム、ガリウム、スズの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする電子放射性物質と、イットリウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、ケイ素、バナジウムの群から選択される１種または２種以上の元素を含む無機化合物を成分とする保護膜形成用物質とを含有してなることを特徴とする。例文帳に追加

The coating material contains the electron emissive material containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of caesium, zinc, indium, gallium, and tin, and a material for forming a protective film containing an inorganic compound containing one, two, or more kinds of elements selected from a group of yttrium, aluminum, zirconium, hafnium, niobium, silicon, vanadium. - 特許庁