整合トラップの英語

整合回路１５の一部は、高調波抑圧用のトラップ回路９、１０を兼ねている。例文帳に追加

A part of the matching circuit 15 is also used as trap circuits 9, 10 for suppressing the high harmonic wave. - 特許庁

第２整合用コンデンサ２６とインダクタ２８の直列共振回路はトラップ回路を形成しており、その共振周波数は、使用周波数ｆの２倍波（２ｆ）と３倍波（３ｆ）の間に設定されている。例文帳に追加

The serial resonant circuit consisting of the capacitor 26 and the inductor 28 forms a trap circuit, and its resonant frequency is set at a value between the double wave (2f) and the triple wave (3f) of the used frequency. - 特許庁

選択チャネルの減衰度を増やすことなく、選択チャネルの下側隣接チャネル周波数成分のトラップ減衰度を増やすようにし、インピーダンス整合用インダクタをなくしたテレビジョンチューナ用中間周波結合回路を提供する。例文帳に追加

To provide an intermediate-frequency coupling circuit for a television tuner which eliminates an inductor for impedance matching by increasing the degree of trap attenuation of a lower contiguous channel frequency component of a selected channel without increasing the degree of attenuation of the selected channel. - 特許庁

３ポートの集中定数型アイソレータ１は、概略、金属ケースと、永久磁石と、フェライト２０と中心電極２１〜２３とからなる中心電極組立体と、トラップ回路と、終端抵抗Ｒおよび整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３と、樹脂製端子ケースとからなる。例文帳に追加

A three-port lumped parameter type isolator 1 mainly comprises: a metallic case; a permanent magnet; a center electrode assembly consisting of a ferrite 20 and center electrodes 21 to 23; a trap circuit; a termination resistor R, matching capacitors C1 to C3; and a resin-made terminal case. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。例文帳に追加

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded. - 特許庁

格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light receiving element in which carriers excited to the level of crystal defect in the heterointerface of lattice mismatch are not trapped but can migrate smoothly and can respond quickly, a recombination current caused by the level of crystal defect, i.e.,, a dark current in applying a reverse bias voltage, is reduced and noise of the element is suppressed. - 特許庁