格子抵抗の英語

流動抵抗付与部材は、穴あき板、複数の棒状部材、格子状部材等であってもよい。例文帳に追加

The flow resistance giving member may be a perforated plate, a plurality of rod-like member, a lattice-like member or the like. - 特許庁

流動抵抗付与部材は、穴あき板、複数の棒状部材、格子状部材等であっても良い。例文帳に追加

The flow resistance giving member may be a perforated panel, a plurality of rod-like members, a lattice-like member or the like. - 特許庁

コーティングは格子の長さ方向に沿って延長し、その局部抵抗は格子の長さに伴って変動する。例文帳に追加

The coating is extended along the length direction of the grating and its local resistance is changed in accordance with the length of the grating. - 特許庁

通風抵抗が低く低騒音な空気調和機用格子の量産性を向上できる空気調和機用格子を提供する。例文帳に追加

To provide a lattice for an air conditioner with low draft resistance capable of improving the mass productivity of lattices for quiet air conditioners. - 特許庁

高温抵抗加熱式炉用ヒータ２０は、モリブデン又はモリブデン合金からなる第１のモリブデン含有金属製の格子網１１からなる抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に抵抗発熱体連結部である当て板１２，１３を介して設けられたヒータ電極部１４とを備えている。例文帳に追加

The high temperature resistance heating furnace heater 20 comprises a resistance heating body comprising the lattice-type net 11 made of a first molybdenum-contained metal made of molybdenum or molybdenum alloy and a heater electrode part 14 that is provided on the resistance heating body through an attached plate 12, 13 that is a resistance heating body jointing part. - 特許庁

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。例文帳に追加

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields. - 特許庁

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。例文帳に追加

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3. - 特許庁

基板として低抵抗ＧａＡｓ基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層２３と低抵抗基板２１との間にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子バッファ層２２を介在させる。例文帳に追加

A low resistance GaAs substrate is used and a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer 22 is inserted between a device layer 23 constituting the main of a semiconductor device and the low resistance substrate 21. - 特許庁