「格子抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

低抵抗シリコン基板中の格子間型酸素の濃度を正確に測定する。例文帳に追加

To correctly measure the density of oxygen in interstitial site, in a low resistance silicon substrate. - 特許庁

格子状磁性膜並びにこれを用いた磁気記録媒体及び磁気抵抗効果素子例文帳に追加

LATTICE MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT USING USE THE FILM - 特許庁

流動抵抗付与部材は、穴あき板、複数の棒状部材、格子状部材等であってもよい。例文帳に追加

The flow resistance giving member may be a perforated plate, a plurality of rod-like member, a lattice-like member or the like. - 特許庁

流動抵抗付与部材は、穴あき板、複数の棒状部材、格子状部材等であっても良い。例文帳に追加

The flow resistance giving member may be a perforated panel, a plurality of rod-like members, a lattice-like member or the like. - 特許庁

コーティングは格子の長さ方向に沿って延長し、その局部抵抗は格子の長さに伴って変動する。例文帳に追加

The coating is extended along the length direction of the grating and its local resistance is changed in accordance with the length of the grating. - 特許庁

通風抵抗が低く低騒音な空気調和機用格子の量産性を向上できる空気調和機用格子を提供する。例文帳に追加

To provide a lattice for an air conditioner with low draft resistance capable of improving the mass productivity of lattices for quiet air conditioners. - 特許庁

高温抵抗加熱式炉用ヒータ２０は、モリブデン又はモリブデン合金からなる第１のモリブデン含有金属製の格子網１１からなる抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に抵抗発熱体連結部である当て板１２，１３を介して設けられたヒータ電極部１４とを備えている。例文帳に追加

The high temperature resistance heating furnace heater 20 comprises a resistance heating body comprising the lattice-type net 11 made of a first molybdenum-contained metal made of molybdenum or molybdenum alloy and a heater electrode part 14 that is provided on the resistance heating body through an attached plate 12, 13 that is a resistance heating body jointing part. - 特許庁

このように、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のパターン幅を６μｍとすることにより、各人工格子型巨大磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、加えられる磁場（磁界）の角度の違いにより抵抗値がそれぞれ変化する。例文帳に追加

By making the pattern width of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive elements R1-R4 of 6μm, the resistance value of each of the artificial lattice type giant magnetoresistive element R1-R4 changes according to the angle differences of impressed magnetic fields. - 特許庁

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。例文帳に追加

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3. - 特許庁

基板として低抵抗ＧａＡｓ基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層２３と低抵抗基板２１との間にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子バッファ層２２を介在させる。例文帳に追加

A low resistance GaAs substrate is used and a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer 22 is inserted between a device layer 23 constituting the main of a semiconductor device and the low resistance substrate 21. - 特許庁

このような厚膜抵抗体を形成するには、例えば、ａ軸及びｂ軸の格子定数が、４．４９１９Åより大であり、４．４９９４Åより小であるＲｕＯ_2を含む厚膜抵抗体ペーストを用いる。例文帳に追加

When such a thick film resistor is formed, thick film resistor paste containing RuO_2 having a lattice constant on the a-axis and b-axis between 4.4919-4.4994 Å is employed. - 特許庁

ＲｕＯ_2のａ軸及びｂ軸の格子定数を所定範囲内とすることにより、厚膜抵抗体の耐電圧性が飛躍的に向上する。例文帳に追加

Since lattice constant of RuO_2 on the a-axis and b-axis is set within a predetermined range, withstand voltage characteristics of the thick film resistor are enhanced greatly. - 特許庁

導電性層を超格子構造として二次元電子ガス領域を形成することで、導電性層の導通抵抗をより低減させることができる。例文帳に追加

Formation of a two-dimensional electronic gas region by forming the conductive layer into a super-lattice structure reduces conduction resistance of the conductive layer. - 特許庁

探知側抵抗膜１３は、探知側透明基板１１上に形成された突起部１５を覆うように格子状に形成されている。例文帳に追加

The detection side resistance film 13 is formed in a grid pattern so as to cover protruding parts 15 formed on a detection side transparent substrate 11. - 特許庁

炭素濃度が5×1015〜5×1017atomos/cm3、格子間酸素濃度が6.5×1017〜13.5×1017atoms/cm3、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であるシリコンウェーハとする。例文帳に追加

The silicon wafer has a carbon concentration of 5×10^15-5×10^17 atoms/cm^3, an interstitial oxygen concentration of 6.5×10^17-13.5×10^17 atoms/cm^3, and a resistivity of 100 Ω cm or higher. - 特許庁

本発明は空気抵抗の小さく、どのような形状の管路にも応用ができ、また寿命の長い乱流格子を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a turbulence grid low in air resistance, applicable to pipelines of any shapes and long in life. - 特許庁

抵抗配線は、格子状の隔壁の頂部に配置され、複数の列方向ラインと複数の行方向ラインから構成されている。例文帳に追加

The resistance wiring is arranged at the apex of the lattice-like barrier ribs and composed of a plurality of column direction lines and a plurality of row direction lines. - 特許庁

ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ回析格子層の埋め込み成長にともなうシリコンのパイルアップによるレーザ抵抗の増大を防止する。例文帳に追加

To prevent an increase in the laser resistance due to the pile-up of silicon, which is accompanied by the embedded growth of a p type InGaAsP diffraction grid layer. - 特許庁

人工格子型巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子形成後に加えられる熱によって、ＧＭＲ素子の特性が変化してしまう。例文帳に追加

To prevent the characteristics of an artificial lattice type gigantic magnetoresistance(GMR) element from varying due to the heat applied to the element after formation. - 特許庁

格子定数がシリコンの格子定数に比べて比較的差異の大きいシリサイドを形成する場合でも、耐熱性の向上を図り、高温熱処理による抵抗値の上昇を招くことなくゲートやソース／ドレインの低抵抗化を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a heat resistance is improved and a low resistance of the gate and source/drain is realized without causing increase in resistance due to a high temperature treatment even when forming a silicide the lattice constant of which is relatively larger than that of silicon. - 特許庁

複数本の横格子で構成された吸込グリルを有する空気調和機において、通風抵抗や吸込み抵抗を増大させることなく各横格子の間隔を通して空気調和機の内部構造が見えないように隠蔽し得る吸込グリルを提供する。例文帳に追加

To provide a suction grill capable of concealing so as not to see an internal structure of an air conditioner through a gap of lateral gratings, without increasing a ventilating resistance and a suction resistance in an air conditioner having the grill constituted of a plurality of lateral gratings. - 特許庁

振動に伴って弾性仕切り膜１５が格子部材へ衝突する場合には、第２リブ部材が抵抗となって、弾性仕切り膜が格子部材へ緩やかに衝突するので、異音を低減できる。例文帳に追加

When the elastic partitioning membrane 15 collides against the lattice member in accordance with vibration, a second rib member forms resistance and the elastic partitioning membrane collides against the lattice member gently to reduce abnormal sound. - 特許庁

調整自在の光学的離間プロファイルをもつ光導波管格子は、１つ又は複数の抵抗膜コーティングと熱的に接触する導波管格子を備えている。例文帳に追加

The optical waveguide grating having the adjustable optical spacing profile is provided with a waveguide grating coming into thermal contact with one or more resistive film coatings. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor by which the resistance of a p-type AlGaN-based superlattice structure can be reduced, and to provide a semiconductor laser diode, and an AlGaN-based superlattice structure. - 特許庁

外気導入口を覆う格子部材を設ける場合に、外気導入時の通気抵抗を減少させて空調性能の向上を図るとともに、格子部材の振動を抑制して異音の発生を回避する。例文帳に追加

To avoid generation of an abnormal sound by restraining vibration of a grating member, and improving air-conditioning performance by reducing ventilation resistance when introducing outside air, when arranging the grating member for covering an outside air introducing port. - 特許庁

外側の正極性又は負電極性の電極板Ｐ２００の周辺の電流を集める端子の間に通過する抵抗値は、同電極板の別面に格子紋を有する電化学反応活性塗装層のある正常電極面の抵抗値より低い。例文帳に追加

A resistance value passing through terminals collecting current in the periphery of the positive or negative electrode plate P200 on the outside is lower than a resistance value of a normal electrode surface having an electrochemical reaction active coating layer having a lattice pattern on the other surface of the electrode plate. - 特許庁

したがって、反射率、熱抵抗、電気抵抗といったＤＢＲ特性の低下を抑制しつつ、エピタキシャル成長ウエハの反りや、格子不整合による欠陥の少ない高品質な結晶が得られることにより半導体素子の歩留まりを向上させることができる。例文帳に追加

Crystals of high quality in which warpages or defects due to grating mismatching are reduced can be obtained, while suppressing the reduction of the DBR characteristics, such as the reflection factor, heat resistance and electrical resistance, and the yield of semiconductor elements can be improved. - 特許庁

人工格子型又はスピンバルブ型の構造体を備えた磁気抵抗効果素子において、構造体内に酸素やＳｉ原子などを極力含有させずに高いＭＲ比を実現し、かつ、熱的安定性にも優れる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect device, that achieves high MR ratio without containing oxygen, Si atoms, or the like in a structure body as much as possible, and at the same time, has superior thermal stability in the magnetoresistance effect device, having an artificial-lattice-type or a spin- valve-type structure body, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect device. - 特許庁

ｐ型クラッド層１７の厚みは０．７μｍ以下であり、厚みの減少分だけ直列抵抗および排熱抵抗が減少すると共に力学的に平均結晶格子不整合度（Δａ／ａ）をΔａ／ａ＞＋３×１０^-3とすることができる。例文帳に追加

The p-type clad layer 17 is ≤0.7 μm thick and decreases in series resistance and discharged heat resistance as much as a decrease in thickness and the degree (Δa/a) of mean crystal grating unconformity can dynamically be made larger than +3×10^-3. - 特許庁

磁気抵抗効果素子１５に対してオーバーラップ状態で電極リード層１３を形成するに、電極リード層１３の下地層１２として六方格子型の結晶構造で（１００）配向面をもつルテニウムで成膜し、そのルテニウムの下地層１２の上に体心立方格子型の構造を持った低抵抗なタンタルをエピタキシャル成長をもって積層してタンタル導電層１１となす。例文帳に追加

A base layer 12 of the lead layer 13 is formed of ruthenium having the orientation plane (100) of a hexagonal crystal structure, and a low-resistance tantalum having a body-centered lattice structure is epitaxially grown on the ruthenium base layer 12 and laminated to form a tantalum conductive layer 11. - 特許庁

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。例文帳に追加

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode. - 特許庁

本発明に係るクリーンルームの天井構造は、クリーンルーム１２の天井面１６に敷設された天井フレーム３６の格子空間３７にＦＦＵ１４が間引きして配設され、該間引きした格子空間３７に通風抵抗体３８が配設される。例文帳に追加

In this ceiling structure for clean room, FFUs 14 are provided in a thinned state in the grid spaces 37 of a ceiling frame 36 laid on the ceiling surface 16 of the clean room 12 and ventilation resistors 38 are provided in the thinned grid spaces 37. - 特許庁

外部からの到来電磁波に感応するようにダイオード（６）を導体（５）又は抵抗体で結線した３次元構造の単位セル（１）を、導体板（９）の前面に、結晶体における各種空間格子を形成するように各格子点に配置した電磁界感応機能材料である。例文帳に追加

In the electromagnetic field sensitive material, a unit cell (1) of a three-dimensional structure formed by connecting a diode (6) by a conductor (5) or a resistor so as to respond to the electromagnetic waves arriving from the outside is disposed at each lattice point on the front surface of a conductive plate (9) so that various spacial lattices are formed in a crystal body. - 特許庁

このドットマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示素子では、陽極パターン３の各画素部１１を構成する各透明陽極部１３上に、平行格子状のクロム等の低抵抗金属材料からなる金属格子２１が設けられている。例文帳に追加

An organic EL display element of a dot-matrix drive type comprises a metallic lattice 21 made of low resistance metal material such as chrome of a parallel lattice shape on each transparent positive electrode part 13 which constitutes each pixel part 11 of positive electrode pattern 3. - 特許庁

高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの格子不整合を解消して、このウェハから作製される高電子移動度トランジスタのソース電極−ドレイン電極間の縦方向抵抗を低減する。例文帳に追加

To reduce a longitudinal direction resistance between the source electrode and drain electrode of a high electron mobility transistor manufactured by a wafer by clearing the lattice misfit of the epitaxial wafer for the high electron mobility transistor. - 特許庁

各Ｐ型電極３，９を格子状かつ上下左右方向に対して交互に配置し、差動対である電圧制御可変容量間の直列抵抗を低減させる。例文帳に追加

The p-type electrodes are arranged like a lattice mutually in four directions, thereby reducing a series resistance among voltage controlled variable capacitors as a differential pair. - 特許庁

正孔はｐ型超格子層１を構成する２種類の半導体層の界面に沿って移動して、光能動層２に注入されるので素子抵抗を低減することができる。例文帳に追加

Holes migrate along an interface of two kinds of semiconductor layers constituting the superlattice layer 1 and are injected into the light active layer 2, this reducing the element resistance. - 特許庁

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance. - 特許庁

さらにその上に第２磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。例文帳に追加

A second magnetization fixed layer is deposited further thereon and then heat treatment is performed thus producing a double tunnel magnetoresistance effect film having a crystal lattice connected continuously to all. - 特許庁

被測定の低抵抗シリコン基板の試料１１をドーパント濃度が０．０１ｐｐｍ以下で格子間型酸素濃度が１０^16／ｃｍ^3以下のＦＺシリコン基板１２に貼り合わせる。例文帳に追加

A low resistance silicon substrate, a sample 11 to be measured, is pasted with an FZ silicon substrate 12 whose dopant density is 0.01 ppm or below and whose interstitial oxygen density is 1016/cm3 or below. - 特許庁

シリコンから成る低抵抗性基板１１の上に低屈折率層１２ａと高屈折率層１２ｂとを交互に複数層形成した超格子ＤＢＲ層１２を設ける。例文帳に追加

A superlattice DBR layer 12 where a low refractive index layer 12a and a high refractive index layer 12b are alternately formed as multiple layers is provided on a low resistance substrate 11 of silicon. - 特許庁

表面劣化のない、ａｓ ｇｒｏｗｎで低抵抗な、ｐ型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a p-type superlattice structure which has no surface deterioration and as-grown low resistance, and its manufacturing method, as well as a high-performance group III nitride semiconductor element and a semiconductor light emitting element. - 特許庁

ＧａＡｓからなる第１半導体層とＩｎ_ＳＡｌ_１−ＳＡｓからなる第２半導体層との間における格子定数の調整を良好に行い、且つ、高抵抗が得られるバッファ層を備えてなる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a buffer layer for satisfactorily adjusting a lattice constant, and for obtaining high resistance between a first semiconductor layer made of GaAs and a second semiconductor layer made of InsAl1-SAs. - 特許庁

可動壁１２を水面に浮かばせて、その上に１０人程度の人が載っても沈むことのない程度の浮力を持たせ、前後側面を移動時の水の抵抗を少なくするため格子状にする。例文帳に追加

The movable wall 12 is floated on the surface of the water to have buoyancy so that even if about ten persons get on the wall, it will not sink, and the front and back sides are formed like a grid to lower the resistance of water in movement. - 特許庁

セラミック基体中に抵抗発熱体が埋設されたセラミックヒーターにおいて、前記セラミック基体の表面には、電源接続用の網目状又は格子状の外部端子が形成されていることを特徴とするセラミックヒーター。例文帳に追加

With a ceramic heater with a resistance heating element buried in a ceramic base body, a mesh or grating outer terminal for connection with power source is formed on the surface of the ceramic base body. - 特許庁