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正規ノードの英語
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英訳・英語 regular node
「正規ノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
は名前の検索に成功した後、返されたaddrinfo構造体に対応するノードの正規名を返す。例文帳に追加
will return the canonical name of the node corresponding to the addrinfo structure value passed back.発音を聞く - JM
各閉ループに関する正規化演算子が決定され、スーパノードの間のメッセージが定義される。例文帳に追加
A normalization operator is determined regarding each loop, and a message between the super nodes is defined. - 特許庁
と同時に、ＳＮＯＷＮＥＴノードはローカルアクセスサービスを正規のモバイルクライアントに提供する。例文帳に追加
At the same time, SNOWNET nodes provide local access service to regular mobile clients. - 特許庁
認証処理は、メタ情報ファイルの送信元のノード装置が正規な装置であるかを判定する処理である。例文帳に追加
The authentication processing is for determining whether or not the node device as a transmission source of the meta information file is a regular device. - 特許庁
制御部４２は、変数ノード処理において更新される事前値比の大きさに応じて、チェックノード処理において外部値比を更新させる際に使用すべき正規化定数の大きさを調節する。例文帳に追加
A control unit 42 adjusts, according to the magnitude of the prior value ratio updated in the variable node processing, the magnitude of a normalization constant that should be used in the update of the external value ratio in the check node processing. - 特許庁
分散ファイアウォール・マネージャ２７は、iSNSサーバ２１のディスカバリドメイン情報２９を取得し、iSNSサーバ２１に登録されているノードを正規のユーザのノードと見なし、iSCSIネームとポータル情報とのセットによってセキュリティ・ポリシーを自動生成する。例文帳に追加
The distributed firewall manager 27 acquires discovery domain information 29 of an iSNS 21, considers that nodes registered in the iSNS 21 is a regular user's node, and automatically creates security policy by a set of iSCSI name and portal information. - 特許庁
選択部５４は、推定した通信路の状況に応じて、予め規定した複数の正規化定数であって、かつｍｉｎ−ｓｕｍアルゴリズムでのチェックノード処理において事前値比をもとに外部値比を更新させる際に使用すべき正規化定数のうちのいずれかを選択する。例文帳に追加
A selection unit 54 selects, according to the estimated state of the communication path, any of multiple normalization constants that are predefined and that should be used when an external value ratio is updated based on a prior value ratio in check node processing by means of min-sum algorithm. - 特許庁
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「正規ノード」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
ページフレームデマンドの正規化された尺度、すなわちノードからのメモリ割当ての好ましさを表すメモリ親和性の重み付けされた係数に基づいて計算することと、メモリを割当てることを含む、マルチノードコンピュータのメモリ割当てを評価することは、メモリ親和性の重み付けされた係数に基づいてメモリを割当てることを含むことができる。例文帳に追加
Evaluating memory allocation in the multi-node computer including calculating, in dependence upon a normalized measure of page frame demand, a weighted coefficient of memory affinity, the weighted coefficient representing desirability of allocating memory from the node, and allocating memory, may include allocating memory in dependence upon the weighted coefficient of memory affinity. - 特許庁
アドレス置換判定回路１００は、予備メモリセルを活性化するスペアイネーブル信号ＳＥを出力するノード１１０と、アドレスデコード信号ＡＤ０〜ＡＤｎの各ビットにそれぞれ対応して設けられる正規ヒューズ１２０−１〜１２０−ｎと、欠陥が生じた正規ヒューズを置換するためのスペアヒューズ１５０を含む。例文帳に追加
An address replacement discriminating circuit 100 comprises a node 110 outputting a spare enable-signal SE activating a spare memory cell, regular fuses 120-1 to 120-n provided corresponding respectively to each bit of address decoding signals AD0-ADn, and a spare fuse 150 replacing a regular fuse in which defect is caused. - 特許庁
また、カソード側位置合わせマーク１０およびアノード側位置合わせマーク２０を合わせることにより、複数のカソード電極１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂのそれぞれが、蛍光体膜２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂに対して正規の位置関係になるように、位置合わせを行い、カソード電極基板１４をエミッタ基板１２に取り付ける。例文帳に追加
By aligning a cathode-side alignment mark 10 with an anode-side alignment mark 20, a plurality of cathode electrodes 13R, 13G, 13B are properly positioned relative to the phosphor films 23R, 23G, 23B, respectively, thus mounting a cathode electrode substrate 14 on the emitter substrate 12. - 特許庁
認識信頼度算出部１０８は、正規ラティスおよび文字ラティスの単位領域の組み合わせについて認識信頼度から成立可能性を判定し、成立する可能性がある組み合わせをノードとする対応テーブルを生成する。例文帳に追加
A recognition reliability calculation part 108 decides whether or not the combinations of the unit areas in the character lattice and the unit areas in the regular lattice are established, and generates a correspondence table specifying the combinations, which is likely to be established, as a node. - 特許庁
このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。例文帳に追加
A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27. - 特許庁
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