犠牲酸化の英語

また、上部犠牲膜パターンは下部犠牲膜パターンに対してエッチング選択性を有する物質、望ましくは、シリコン酸化膜で形成する。例文帳に追加

The upper sacrificial film pattern is preferably made of silicon oxide film or another material, having etching selectivity with respect to the lower sacrificial film pattern. - 特許庁

そして、酸化した犠牲層表面の端部を起点とした犠牲層の傾斜形状をサイドエッチングにより形成する。例文帳に追加

The inclined shape of the sacrifice layer with the terminal of the oxidized surface of the sacrifice layer as a starting point is then formed by side etching. - 特許庁

ストッパ層と犠牲層を積層した半導体基板において、犠牲層表面を酸化させてレジストを酸化した犠牲層表面までオーバーラップさせてパターニングを行う。例文帳に追加

In a semiconductor substrate wherein a stopper layer and a sacrifice layer are laminated, the surface of the sacrifice layer is oxidized to overlap a resist to the oxidized surface of the sacrifice layer, and patterning is performed. - 特許庁

触媒層カーボンの酸化を抑制しつつ、犠牲酸化による強度低下等を抑制する。例文帳に追加

To suppress strength degradation or the like due to sacrificial oxidation while suppressing oxidation of carbon in a catalyst layer. - 特許庁

そして、犠牲酸化膜５を除去し（（ｄ）工程）、ゲート酸化膜６を形成する（（ｅ）工程）。例文帳に追加

Then, the sacrificial oxide film 5 is removed (process (d)) and a gate oxide film 6 is formed (process (e)). - 特許庁

ＭＩＳ型トランジスタにおいて、まず、犠牲酸化膜を形成し、形成した犠牲酸化膜の上にレジストパターン及び犠牲酸化膜を介してイオン注入によりウェハの上部にしきい値電圧制御用のウェルを形成する。例文帳に追加

In a MIS type transistor, first, a sacrificial oxide film is formed, a resist pattern is formed on the formed sacrificial oxide film, and a well for controlling a threshold value voltage is formed in the upper part of a wafer by an ion implantation through the sacrificial oxide film. - 特許庁

犠牲シャロートレンチアイソレーション酸化物ライナーを有する歪みシリコンチャネルＣＭＯＳ例文帳に追加

STRAINED-SILICON CHANNEL CMOS WITH SACRIFICIAL SHALLOW TRENCH ISOLATION OXIDE LINER - 特許庁

トレンチの角には、最初の成形及び犠牲酸化物層の除去によって丸みが与えられる。例文帳に追加

The corners of the trench are rounded by the initial molding and removal of a sacrificial oxide layer. - 特許庁