結晶仕上げの英語

結晶粒を微細化して、高温強度および表面仕上げ特性に優れた金型およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a die having high temperature strength and excellent surface finish properties by refining crystal grains, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

表面絞り層２の表面を単結晶ダイヤモンドバイト１１を用いて切削し、軸受面を仕上げる。例文帳に追加

A bearing surface is finished by cutting the surface of the surface contracted layer 2 by using the monocrystal diamond cutting tool 11. - 特許庁

Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。例文帳に追加

In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated. - 特許庁

仕上げポリッシュ後に化合物半導体結晶ウェハを取り外す時のヘイズが少ない化合物半導体結晶ウェハの研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for polishing a compound semiconductor crystal wafer, wherein the haze is less when the compound semiconductor crystal wafer is dismounted after finish-polishing. - 特許庁

その後、単結晶ダイヤモンド工具４を最初の溝１１の加工位置まで移動させ、単結晶ダイヤモンド工具４を回転させながら溝１１をそのコーナがシャープエッジな状態に加工する仕上げ加工工程処理を行う。例文帳に追加

Then, the single crystal diamond tool 4 is moved to the working position of the first groove 11, and the groove 11 is finished so that a corner thereof is worked into a sharp edge condition while rotating the single crystal diamond tool 4. - 特許庁

冷延後の鋼板に脱炭焼鈍を施し、その後仕上げ焼鈍を施すにあたり、仕上げ焼鈍の昇温過程において鋼板の粒径を測定し、測定した前記粒径の変化から二次再結晶の開始を検知し、二次再結晶の開始を検知した後、昇温速度を２０℃／ｈｒ以下に変更する。例文帳に追加

When the cold-rolled steel sheet is subjected to decarburization annealing then to the finish-annealing, the grain diameter in the steel sheet is measured at the temperature raising process of the finish-annealing, and the starting timing of the secondary recrystallization is detected from a change in the measured grain diameter, and after detecting the start of the secondary recrystallization, the temperature raising speed is changed to ≤20°C/hr. - 特許庁

特定の条件にて繊維を熱処理して結晶化させ、特定の組成の仕上げ剤を付与し、極低張力にて巻き取る特殊な紡糸法を用いて製造した、特定の範囲内の配向性、結晶性および摩擦係数のＰＴＴ−ＰＯＹ。例文帳に追加

This PTT-POY produced by a special spinning method which comprises crystallizing the yarn by a thermal treatment under specific conditions, imparting a finishing agent having a specific composition, and winding up the yarn under an extremely low tension, and having orientation, crystallinity, and friction coefficient within specific ranges. - 特許庁

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面の研磨加工において加工傷を減少させ、かつ仕上げ研磨後の表面付着物を減少させて、より良好な表面粗さをもつ（０００−１）カーボン面を得られるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an SiC single crystal substrate capable of obtaining a (000-1) carbon plane having more excellent surface roughness by reducing processing scratches in polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate and reducing adhering substances on the surface after finish polishing. - 特許庁