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結晶半径の英語
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英訳・英語 crystal radius
「結晶半径」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
単結晶の引上げ方向及び半径方向に無欠陥領域が最も拡大する単結晶製造条件を計算により正確に求める。例文帳に追加
To correctly determine, by calculation, the production conditions of a single crystal with its non-defect zone most extended in its pulling and radial directions. - 特許庁
結晶の引上速度をＶ、固液界面における結晶軸方向の結晶側の温度勾配をＧとした時に、無欠陥領域を結晶の半径方向の全てにわたって形成するために、固液界面におけるＶ／Ｇ値を結晶の半径方向で所定の範囲に入れつつシリコン単結晶を育成する方法において、ドーパント濃度に依存して、引上速度Ｖ、および／または温度勾配Ｇを変更する。例文帳に追加
A pulling-up velocity V of the crystal S and/or a temperature gradient G on the crystal S side in crystal axial direction on solid-liquid interface is changed according to the change of dopant concentration and V/G value is kept within a prescribed range. - 特許庁
希土類元素のイオン半径が酸化物材料の母体結晶を構成する元素のイオン半径と比べて大きいイオン半径を持つとともに、希土類元素を発光起源とする発光中心を有するバルク発光体が得られる。例文帳に追加
The bulk light emitting substance is thus yielded, which has an ionic radius of the rare earth element larger than that of the element constituting the host crystal of an oxide material and which has a luminescence center taking the rare earth element as a light emission source. - 特許庁
るつぼの半径（ｒ）と、結晶成長の進行に伴って成長結晶の外周表面に顕在化する結晶面方位を反映したファセット面の水平方向の幅（ａ）との関係式を導き、ずれ角（θ）を補正した種子結晶を用いて結晶成長させる。例文帳に追加
A relational expression between a radius (r) of a crucible and a horizontal width (a) of a facet plane reflecting a crystal face orientation becoming apparent on the outerperipheral surface of a growing crystal in accordance with crystal growth is introduced, and the crystal is grown by using the seed crystal in which the deviation angle (θ) is corrected. - 特許庁
無転位シリコン単結晶の成長に用いるシリコン種子結晶であって、シリコンよりも結合半径が大きい不純物元素と、シリコンよりも結合半径が小さい不純物元素とを含むことを特徴とするシリコン種子結晶。例文帳に追加
The silicon seed crystal is used for the growth of the non- dislocation silicon single crystal and contains the impurity element having a bond radius larger than that of silicon and the impurity having a bond radius smaller than that of silicon. - 特許庁
微小空間２９内で結晶核の種２を、結晶化が進行する臨界半径以上の結晶核として蓄熱材５の過冷却状態の解放を進行させ、蓄熱材５の潜熱を放熱させることができる。例文帳に追加
The seeds 2 of the nuclie in the space 29 advance releasing of the supercooling state of the material as the nuclie having a critical radius or more for advancing its crystallzation and can release a latent heat of the material. - 特許庁
量子ドット１は直接遷移型半導体の微結晶で、励起子ボーア半径ａ_B^＊の４倍以下の大きさとする。例文帳に追加
The quantum dot 1 is a microcrystal of direct gap semiconductor, and not larger than four times of exciton Bohr radius a_B^*. - 特許庁
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「結晶半径」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
半導体単結晶引き上げ装置を構成する黒鉛部材であって、角部を所定の曲率（又は曲率半径）となるようにＲ加工する。例文帳に追加
The graphite member is for composing an apparatus for pulling a semiconductor single crystal and its corner part is rounded to have a specified curvature (or radius of curvature). - 特許庁
光パラメトリック発振器は反射鏡１と、反射鏡１の曲率半径とは異なる曲率半径の反射鏡２と、波長変換用結晶３とから構成されている。例文帳に追加
A light parametric oscillator is composed of a reflecting mirror 1, a reflecting mirror 2 having a radius of curvature different from the radius of curvature of the reflecting mirror 1, and a wavelength converting crystal 3. - 特許庁
柱状結晶３を形成させる円柱形基材１を半径５０μｍ以下にすることにより、柱状結晶３が高密度に形成され光触媒機能の高活性化を実現した。例文帳に追加
By using a cylindrical support of a radius of at most 50 μm as the cylindrical support 1 for forming columnar crystals 3, the columnar crystals 3 can be highly densely formed to realize a highly active photocatalytic function. - 特許庁
単結晶の成長軸方向の温度勾配の半径方向均一性を確保することができる熱遮蔽部材およびこれを用いた単結晶引上げ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a heat shielding member that is capable of securing the radial direction uniformity of a temperature gradient of the growth axial direction of a single crystal, and to provide a single crystal pull-up device using the same. - 特許庁
非単結晶半導体膜の溶融温度に対応する光強度の等強度線の少なくとも一部の曲率半径が０．３μｍ以下であるような光強度分布を非単結晶半導体膜上に形成する。例文帳に追加
A light intensity distribution, in which at least the curvature radius of at least part of an isointensity line of light intensity corresponding to the melting temperature of the non-single crystal semiconductor film is 0.3 μm or less, is formed on the non-single crystal semiconductor film. - 特許庁
結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避することができる、シリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。例文帳に追加
To provide a silicon single crystal pulling-up method by which the variation in the radial direction of the temperature gradient in the axial direction, in the vicinity of a crystallization boundary of a single crystal being grown, can substantially be avoided. - 特許庁
ノッチ形状誤差等によるノッチ位置決め誤差が補正でき、半径方向結晶方位の測定の精度が高い結晶方位測定装置を提供する。例文帳に追加
To provide a crystal orientation measuring device capable of correcting a notch positioning error caused by a notch shape error or the like, and having high accuracy of measurement of a radial crystal orientation. - 特許庁
チョクラルスキ法によりシリコン単結晶を成長させる方法であって，単結晶の半径方向と平行した軸に沿ったシリコン融液温度の傾きを，温度の傾きの最大値をΔTmax，最小値をΔTminとしたとき，を満足させる条件でシリコン単結晶を成長させる。例文帳に追加
In a method for growing the silicon single crystal by a Czochralski method, the silicon single crystal is grown under such a condition that the temperature gradient of a silicon melt along the axis parallel to the radial direction of the single crystal satisfies formula (1), wherein ΔTmax is the maximum value of the temperature gradient; and ΔTmin is the minimum value of the temperature gradient. - 特許庁
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