結晶化開始の英語

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英訳・英語 crystallization onset

JST科学技術用語日英対訳辞書での「結晶化開始」の英訳

結晶化開始

crystallization onset

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「結晶化開始」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 112件

例文

疲労亀裂開始を防ぐために、表面損傷層は再結晶化されて微細結晶粒組織になる。例文帳に追加

For preventing fatigue crack initiation, a surface damage layer is recrystallized into a fine crystal grain structure. - 特許庁

結晶成長開始以前におけるＳｉＯ_2 の生成を抑制することにより、成長結晶の多結晶化を防止した化合物半導体単結晶の製造方法およびこれに使用される種結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, capable of preventing the polycrystallization of grown single crystal by controlling the formation of SiO2 prior to starting of crystal growth and to obtain a seed crystal used therefore. - 特許庁

木質材料の粒子により、より高い温度からの結晶性熱可塑性樹脂の結晶化の開始、結晶化速度の上昇、および最終的な結晶化度の向上の少なくとも１つ、好ましくは全てが達成される。例文帳に追加

The wood material particles enable the achievement of at least one, preferably all, of the start of the crystallization of the crystalline thermoplastic resin material from a higher temperature, the increase of a crystallization rate, and the improvement of the final crystallization degree. - 特許庁

更に、ナノ結晶相の析出に係る熱処理を行う際に、第２結晶化開始温度に至る前に昇温速度を下げることとする。例文帳に追加

Further, a temperature elevation rate is made low before brought into the second crystallization starting temperature, when conducting the heat treatment concerned in the deposition of the nano-crystal phase. - 特許庁

鋳型底面に種結晶を配置し、供給されたシリコン半導体材料の融液を種結晶を用いて結晶化させるシリコン半導体インゴットの製造方法において、結晶化開始にあたり、種結晶の溶融のタイミングが検知容易な種結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a seed crystal of which the melt timing of the seed crystal for starting crystallization is easily detected in a method for manufacturing a silicon semiconductor ingot by placing the seed crystal on the bottom of a casting mold and crystallizing a supplied melt of a silicon semiconductor material using the seed crystal. - 特許庁

このため、原料収容部２Ｂ内で融解したフッ化物原料が結晶化する際の結晶成長は、種結晶収容部２Ｄに収容された種結晶を起点として開始され、種結晶を中心としてその結晶面に沿って放射状に進行する。例文帳に追加

Thereby, when the fluoride raw material melted in the raw material housing part 2B is crystallized, crystal growth is started from the seed crystal housed in the seed crystal housing part 2D as a starting point and proceeds radially from the seed crystal as a center along the crystal surface of the seed crystal. - 特許庁

例文

非晶質シリコン膜に導入された複数の結晶核Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆからそれぞれ一方向に結晶化が開始し、結晶方位が概ね揃った複数の柱状結晶ＣＳが成長する。例文帳に追加

Crystallization starts from a plurality of crystal nuclei A, C, D, E, F introduced in an amorphous silicon film in their respective linear directions to grow a plurality of columnar crystals CS approximately oriented in panes. - 特許庁

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「結晶化開始」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 112件

例文

本発明の可塑性食用油脂組成物は、結晶化開始温度以下、結晶化開始温度−３℃以上の範囲の温度で一旦、冷却、練りを加えて保持された後、１０℃以下に冷却保持されていることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to once cool the plastic edible oil and fat composition at a temperature ranging from a crystallization starting temperature or lower to a crystallization starting temperature of -3°C or more, knead the cooled composition, maintain the kneaded composition as it is, and thereafter maintain the resultant composition in a cool condition at ≤10°C. - 特許庁

共重合ポリエステル（Ｂ）層は、昇温時の結晶化開始温度が１００〜１４０℃、昇温結晶化ピーク温度が１３０〜１８５℃、かつ昇温結晶化熱量が１５〜４０Ｊ／ｇである。例文帳に追加

The copolymer polyester (B) layer has a crystallization start temperature of 100-140°C at elevated temperatures, an elevated temperature crystallization peak temperature of 130-185°C, and an elevated temperature crystallization heat quantity of 15-40 J/g. - 特許庁

強誘電体薄膜の加熱結晶化過程において、下地電極層表面が平滑の場合には結晶化開始時の結晶状態に不均一性があり、このために強誘電体層全体の結晶性ひいては膜特性を低下させる。例文帳に追加

To solve the problem of a crystallinity, furthermore a film characteristics, of the entire ferroelectrics layer deteriorating because the crystalline state at the start of crystallization is uneven, if the base electrode layer surface is smooth in a heating/crystallizing process of a ferroelectrics thin film. - 特許庁

アルキル（メタ）アクリレート系重合体からなり、該重合体の示差走査熱量計により測定される結晶化開始温度（Ｔａ）および結晶化終了温度（Ｔｂ）が、それぞれ下記式（１）および（２）を満たし、かつ、示差走査熱量計により測定される結晶化開始温度（ｔａ）が２０℃〜７０℃であり、結晶化終了温度（ｔｂ）が−１０℃〜−７０℃であるろう含有鉱物油の溶剤脱ろう用助剤。例文帳に追加

This auxiliary comprises an alkyl (meth)acrylate-based polymer, and is used for solvent dewaxing of a wax-containing mineral oil having 20 °C to 70 °C crystallization starting temperature (ta) and -10 °C to -70 °C crystallization ending temperature (tb) measured with a differential scanning calorimeter. - 特許庁