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結晶度変化の英語
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英訳・英語 change in crystallinity
「結晶度変化」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 227件
結晶化の程度を徐々に変化させた容器フィニッシュ例文帳に追加
CONTAINER FINISH TO WHICH GRADE OF CRYSTALLIZATION IS CHANGED GRADUALLY - 特許庁
これにより相変化メモリが過度に結晶化または非結晶化することを避ける。例文帳に追加
Thereby, the phase change memory is prevented from being excessively crystallized or non-crystallized. - 特許庁
温度変化に起因して分極反転結晶に生じる波長変換特性の変化を抑制すること。例文帳に追加
To suppress changes in the wavelength reversal characteristics in a polarization reversal crystal due to temperature change. - 特許庁
前記2相変化メモリ要素は第2結晶化温度を有する第2相変化物質を備える。例文帳に追加
The second phase change memory element includes a second phase change material having a second crystallization temperature. - 特許庁
前記1相変化メモリ要素は第1結晶化温度を有する第1相変化物質を備える。例文帳に追加
The first phase change memory element includes a first phase change material having a first crystallization temperature. - 特許庁
基板1上に少なくとも相変化記録層3を設け、該相変化記録層3に接して、該相変化記録層の結晶化温度Tc1よりも高い結晶化温度Tc2を有する相変化材料層4を設ける。例文帳に追加
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization temperature Tc2 higher than the crystallization temperature Tc1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3. - 特許庁
基板1上に少なくとも相変化記録層3を設け、該相変化記録層3に接して、該相変化記録層の結晶化速度v1よりも速い結晶化速度v2を有する相変化材料層4を設ける。例文帳に追加
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization rate v2 faster than the crystallization rate v1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3. - 特許庁
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「結晶度変化」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 227件
温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a high-quality single crystal body and a single crystal substrate having little dislocations and impurities by temperature changes, and to provide a production method of a single crystal body for growing a single crystal body. - 特許庁
本発明によるプログラミング方法および書込みドライバ回路は、相変化物質の結晶化動作時に相変化物質が核形成段階を経て結晶成長段階を経るようにすることによって結晶化動作の速度を向上させる。例文帳に追加
The programming method and the writing driver circuit increases the speed of a crystalizing growth of the phase shift material by passing the nucleus formation stage and the crystalizing growth stage at the crystalizing operation. - 特許庁
フォトニック結晶の材質の少なくとも一つにポリマーを用い、かかるポリマーの温度を変化させることによりフォトニック結晶の屈折率を変化させ、フォトニック結晶のバンド構造を制御するよう構成する。例文帳に追加
Polymers are used for at least one of the materials of the photonic crystal and the refractive index of the photonic crystal is changed by changing the temperature of such polymers, by which the band structure of the photonic crystal is controlled. - 特許庁
圧電性結晶の温度変化を、フィードバック制御装置によって温度が一定になるように補償する。例文帳に追加
Temperature variations of the crystals are compensated by a feedback arrangement for maintaining the crystal temperature constant. - 特許庁
また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。例文帳に追加
By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness. - 特許庁
温度変化の結果による特定の結晶(電気石など)での電荷の発生例文帳に追加
generation of an electric charge on certain crystals (such as tourmaline) as a result of a change in temperature発音を聞く - 日本語WordNet
この結晶度の変化によって、ゴルフボールは、種々のプレイ特徴の実現が可能となる。例文帳に追加
The change in degree of crystallinity allows the golf ball to achieve different play characteristics. - 特許庁
温度変化に強く、半導体結晶層に欠陥の少ないアンテナ装置を提供する。例文帳に追加
To provide an antenna assembly which is tolerant of temperature variation and has no defect of a semiconductor crystal layer. - 特許庁
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change in crystallinity
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