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結晶度変化の英語
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英訳・英語 change in crystallinity
「結晶度変化」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 227件
結晶化の程度を徐々に変化させた容器フィニッシュ例文帳に追加
CONTAINER FINISH TO WHICH GRADE OF CRYSTALLIZATION IS CHANGED GRADUALLY - 特許庁
これにより相変化メモリが過度に結晶化または非結晶化することを避ける。例文帳に追加
Thereby, the phase change memory is prevented from being excessively crystallized or non-crystallized. - 特許庁
前記２相変化メモリ要素は第２結晶化温度を有する第２相変化物質を備える。例文帳に追加
The second phase change memory element includes a second phase change material having a second crystallization temperature. - 特許庁
前記１相変化メモリ要素は第１結晶化温度を有する第１相変化物質を備える。例文帳に追加
The first phase change memory element includes a first phase change material having a first crystallization temperature. - 特許庁
温度変化に起因して分極反転結晶に生じる波長変換特性の変化を抑制すること。例文帳に追加
To suppress changes in the wavelength reversal characteristics in a polarization reversal crystal due to temperature change. - 特許庁
温度変化の結果による特定の結晶（電気石など）での電荷の発生例文帳に追加
generation of an electric charge on certain crystals (such as tourmaline) as a result of a change in temperature発音を聞く - 日本語WordNet
したがって、相変化素子５の温度が下降する途中で最適な結晶成長温度範囲Ｔｍを通るので、相変化素子５を結晶状態にすることができる。例文帳に追加
Consequently, the temperature of the phase-change element 5 passes through the optimal crystal growth temperature range Tm in process of lowering, so that the phase-change element 5 can be changed into the crystal state. - 特許庁
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「結晶度変化」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 227件
フッ化物単結晶の製造において、結晶育成に伴って変化する結晶育成ルツボ内の融液（原料）温度を制御する方法を提供。例文帳に追加
To provide a method for controlling the temperature of a melt (raw material) within a crystal growth crucible changed by being accompanied with crystal growth in manufacturing of a fluoride single crystal. - 特許庁
成長中に結晶中の不純濃度を変化させる場合でも、結晶性に優れる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide the production method of a silicon carbide single crystal ingot having excellent crystallinity even in the case that the concentration of an impurity is changed in a crystal during growth of the crystal. - 特許庁
この結晶度の変化によって、ゴルフボールは、種々のプレイ特徴の実現が可能となる。例文帳に追加
The change in degree of crystallinity allows the golf ball to achieve different play characteristics. - 特許庁
基板１上に少なくとも相変化記録層３を設け、該相変化記録層３に接して、該相変化記録層の結晶化温度Ｔｃ１よりも高い結晶化温度Ｔｃ２を有する相変化材料層４を設ける。例文帳に追加
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization temperature Tc2 higher than the crystallization temperature Tc1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3. - 特許庁
基板１上に少なくとも相変化記録層３を設け、該相変化記録層３に接して、該相変化記録層の結晶化速度ｖ１よりも速い結晶化速度ｖ２を有する相変化材料層４を設ける。例文帳に追加
At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization rate v2 faster than the crystallization rate v1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3. - 特許庁
圧電性結晶の温度変化を、フィードバック制御装置によって温度が一定になるように補償する。例文帳に追加
Temperature variations of the crystals are compensated by a feedback arrangement for maintaining the crystal temperature constant. - 特許庁
温度変化による転位および不純物の少ない高品質な単結晶体、単結晶基板、および単結晶体の成長を行うことが可能な単結晶体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a high-quality single crystal body and a single crystal substrate having little dislocations and impurities by temperature changes, and to provide a production method of a single crystal body for growing a single crystal body. - 特許庁
シリコン単結晶棒が大口径化しても、単結晶棒の直径変化を素早く捉えることにより、単結晶棒の直径の検出精度を向上する。例文帳に追加
To improve the detection accuracy of the diameter of a single crystal bar by quickly detecting the change in diameter of the single crystal bar even when the diameter of the silicon single crystal bar is large. - 特許庁
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change in crystallinity
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