結晶状膜の英語

多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。例文帳に追加

To provide an inspection method and an inspection device of a polycrystalline silicon thin film capable of detecting an image on the surface of the polycrystalline silicon thin film, observing the surface state of the polycrystalline silicon thin film, and inspecting the crystal state of the polycrystalline silicon thin film. - 特許庁

基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜に線状レーザー光を照射して結晶性を向上させる。例文帳に追加

A crystalline silica film is formed by crystallizing an amorphous silica film formed on a substrate, and crystallinity is improved by irradiating a line laser beam to the crystalline silica film. - 特許庁

ポリシリコン膜の結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システム例文帳に追加

DEVICE FOR INSPECTING CRYSTAL STATE OF POLY SILICONE FILM, METHOD OF INSPECTING CRYSTAL STATE OF POLY SILICONE FILM USING THE SAME, AND SYSTEM FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

または、可変抵抗体８が、非結晶状態或いは結晶と非結晶の混在した状態となる成膜温度で成膜された後に、成膜温度より高温で、且つ、可変抵抗体８が結晶と非結晶の混在した状態を維持可能な温度範囲でアニール処理されて形成される。例文帳に追加

Alternatively, the variable resistor 8 is deposited at such a deposition temperature as a mixed state of crystal and amorphous and then annealed at a temperature higher than the deposition temperature in a temperature range capable of sustaining the mixed state of crystal and amorphous. - 特許庁

薄膜状以外の形状の金属窒化物結晶を製造すること。例文帳に追加

To manufacture a metal nitride crystal having a shape other than the thin film shape. - 特許庁

針状結晶形成用電気銅めっき液および針状被膜形成方法例文帳に追加

COPPER ELECTROPLATING SOLUTION FOR FORMING ACICULAR CRYSTAL AND FORMATION OF ACICULAR COATING - 特許庁

同一基板１０１上に擬似単結晶半導体１１３を用いた薄膜トランジスタと粒状の多結晶半導体１１２を用いた薄膜トランジスタの形成における結晶化前の非晶質半導体膜の膜厚を、擬似単結晶半導体部分２０５＞多結晶半導体部分２０６とした。例文帳に追加

The film thickness of an amorphous semiconductor film before crystallization in formation of a thin film transistor using a pseudo-monocrystal semiconductor 113 and a thin film transistor using a granular polycrystalline semiconductor 112 on the same substrate 101 is made larger in the pseudo-monocrystal semiconductor portion 205 than in the polycrystalline semiconductor portion 206. - 特許庁

この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。例文帳に追加

The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches. - 特許庁