結晶状破面の英語

一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後に破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法。例文帳に追加

In this crushing method of polycrystalline silicon, at least one face among six surfaces 6 of rectangular parallelepiped polycrystalline silicon cast chips by one-way solidification is crushed after cutting in one or more slits in the direction not crossing the growing direction of the columnar structure formed by one-way solidification. - 特許庁

製造工程中ＴＦＴを構成する各被膜界面を汚染不純物に汚染されることなく清浄な状態に保ち、また、結晶質半導体膜に結晶破壊を起さずに不純物を添加する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for keeping each coating interface, constituting a TFT in a clean state which will not be contaminated with contaminating impurities during fabrication process and for adding impurities to a crystalline semiconductor film without causing destruction of crystal. - 特許庁

硬質皮膜３はピストンリング１の軸方向破断面の結晶が母材側から皮膜表面側に向かって成長している柱状組織を呈し、ＺｒＮの結晶は被覆面に平行に（２００）面の優先方位を持ち、硬度はビッカース硬度でＨＶ１２００〜２０００の範囲にある。例文帳に追加

The hard film 3 assumes a columnar structure in which crystals on the broken out section in axial direction of the piston ring 1 grow from the parent material toward the film surface, and the ZrN crystals have a priority azimuth of the (200) plane parallel with the covering surface, wherein the hardness lies within the range HV1200-2000 in Vickers. - 特許庁

短時間のうちに非破壊で半導体膜の表面状態を検査することにより、ＴＦＴの製造工程などにおいて、正常な膜質の多結晶性半導体膜を形成した基板のみを後工程に回すことのできる多結晶半導体膜の検査方法、ＴＦＴの製造方法、および多結晶性半導体膜の検査装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a polycrystalline semiconductor film check method and a device capable of forwarding only a substrate where a polycrystalline semiconductor film of normal quality is formed to an after process in a TFT manufacturing process and a device of manufacturing TFTs, by a method wherein the surface conditions of the semiconductor film are checked through a non- destructive manner. - 特許庁

短時間のうちに非破壊で半導体膜の表面状態を検査することにより、ＴＦＴの製造工程などにおいて、正常な膜質の多結晶性半導体膜を形成した基板のみを後工程に回すことのできる多結晶半導体膜の検査方法、 および多結晶性半導体膜の検査装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and device for inspecting polycrystalline semiconductor film by which only such a substrate that carries a polycrystalline semiconductor film having a normal film quality can be sent to the subsequent step in a TFT(thin film transistor) manufacturing process, etc., by nondestructively inspecting the surface of the semiconductor film for state in a short time. - 特許庁

本発明の目的は、石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給され、前記シリコンルツボ内でシリコン原料融液の液面高さ位置が実質的に一定の状態となる場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a crucible for pulling single crystal and a method for pulling single crystal in which even when a silicon raw material melt is continuously or intermittently supplied to a quartz crucible and the level height position of the silicon raw material melt is substantially in a constant state in the silicon crucible, the damage of the quartz crucible resulting from erosion of the inner wall can be suppressed. - 特許庁

酸素を固溶したＴｉＮ皮膜４は、破断面が柱状組織を呈し、ＴｉＮ結晶が（１１１）又は（２００）の優先方位を有し、酸素含有量が０．５〜２０重量％であり、皮膜硬度がビッカース硬さでＨＶ１０００〜２２００の範囲にある。例文帳に追加

The TiN film 4 solving oxygen displays a columnar system on its on a broken-out section, a TiN crystal has preferential bearings of 111 or 200, an oxygen content is 0.5-20 weight %, and film hardness is within a range of HV 1000-2200 in Vickers hardness. - 特許庁