膜電位形成の英語

その結果、このフィールド酸化膜４上に形成される寄生ＭＯＳの閾値電位を上げることができる。例文帳に追加

This can raise the threshold potential of the parasitic MOS formed on the field oxide film 4. - 特許庁

そして、その試験光によって、感光体ドラム３０上の光導電膜３１に形成された静電潜像の電位が電位計６０で計測される。例文帳に追加

The potential of an electrostatic latent image formed on the photoconductive film 31 on the photoreceptor drum 30 is measured by an electrometer 60 with test light. - 特許庁

ＳＴＩ絶縁膜２の側壁に形成されるゲート電極材８に、該ゲート電極材の電位を制御する電極１４を形成する。例文帳に追加

On the gate electrode material 8 formed on a sidewall of an STI insulation film 2, an electrode 14 controlling the potential of the gate electrode material is formed. - 特許庁

対向基板１２の液晶層１３とは反対側の面には導電膜２０が形成され、導電膜２０の電位は共通電極１４の電位と略同電位とされている。例文帳に追加

A conductive film 20 is formed on the surface of the counter substrate 12 opposite to liquid crystal layer 13 and the potential of the conductive film 20 is kept almost equal to the common electrode 14. - 特許庁

半導体基板１Ｓ上に、第１電位障壁膜ＥＢ１と電荷蓄積膜ＥＣと第２電位障壁膜ＥＢ２からなる積層絶縁膜を介してメモリゲート電極ＭＧが形成されている。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1S, a memory gate electrode MG is formed via a laminate insulating film comprising a first potential barrier film EB1, a charge storage film EC, and a second potential barrier film EB2. - 特許庁

プラズマ電位の増大を招かないでプラズマ密度を向上させて高速で良質の且つ膜厚均一性良好な薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a thin film whose quality is satisfactory, and whose film thickness uniformity is satisfactory, at a high speed by improving plasma density without generating the increase of plasma potential. - 特許庁

コモン配線５０２は、絶縁膜に形成された開口部を介して、コモン電位露出部４０１を有し、配向膜と電気的に接続されている。例文帳に追加

The common wire 502 has a common potential exposed part 401 through an opening formed in the insulating film and electrically connected with the alignment film. - 特許庁

基板１１上に絶縁膜１２を介して導体膜２１Ａ（１３）が形成されて成る素子２１を有する半導体装置を製造する際に、導体膜２１Ａを、この導体膜２１Ａの電荷を放電することが可能な電位（例えば半導体基板１１の電位）に、電気的に接続されるように形成する。例文帳に追加

When the semiconductor device, comprising an element 21 constituted by forming a conductive film 21A (13) over a substrate 11 with an insulating film 12 between, is manufactured, the conductive film 21A is so formed as to be electrically connected to electrical potential at which charges of the conductive film 21A can be discharged (for example, the electrical potential of the semiconductor substrate 11). - 特許庁