膜電位変化の英語

これにより、感光体２０と帯電ローラ２１間のインピーダンスに応じて帯電ローラ２１へ流れ込む電流が変化し、出力される電圧値が変化するので、環境の変化や感光体の膜厚による帯電電位の変化によって発生する地カブリを防ぐことができる。例文帳に追加

Thus, a current flowing into the roller 21 is changed according to impedance between the photoreceptor 20 and the roller 21 and an outputted voltage value is changed, so that the surface fogging caused by the change of electrification potential due to environmental change and the film thickness of the photoreceptor is prevented. - 特許庁

ステップＳ１１乃至１９において、電位Ｖ（Ｘ）と電位Ｖ（Ｙ）とに基づいて、第１の抵抗膜が第２の抵抗膜に対して２点で接触するときの、この２点間の距離の変化情報を導出する。例文帳に追加

At steps S11 through S19, a piece of distance alteration information between the two points when the first resistive film comes into contact with the second resistive film is obtained based on the potential V(X) and the potential V(Y). - 特許庁

ゲート絶縁膜の帯電電位に応じて二次電子信号は変化することから、検出器１６に到達したエネルギーの高い二次電子の信号を電位コントラストとして画像化して表示し、ゲート絶縁膜の帯電電位を評価することにより、リーク不良を特定する。例文帳に追加

Since the secondary signal changes according to the charged potential of the gate insulating film, the secondary electron signal, having higher energy having reached the detector 16, is displayed as an image with the potential contrast, and leakage fault is identified by evaluating the charged potential of the gate insulating film. - 特許庁

本発明は、シナプス履歴の変化を膜電位依存としたことで、個別の履歴の獲得が可能であり、シナプス履歴の時間変化のコントラストを明確にできるという、２つの学習効果を表現できるようにしたものである。例文帳に追加

This neural circuit element mode can express two learning effects which are one capable of acquiring an individual history and the other capable of clarifying contrast between time deviations of a synapse history by making a change in the synapse history voltage dependency. - 特許庁

プラズマ源２で生成されたプラズマ９から製膜室中へ引き出されたプラズマ１０は、負の基板バイアス電位８１の影響を受け、基板近辺では負電位により分子種分布が変化したプラズマ１１となる。例文帳に追加

Plasma 10 pulled out to a deposition chamber from plasma 9 generated by a plasma source 2 is affected by negative substrate bias potential 81, and it becomes plasma 11 where molecular species distribution by negative potential is changed near a substrate. - 特許庁

半導体基板の表面に形成された絶縁膜の特性（膜内電荷量、膜厚、比誘電率、表面吸着物に起因する表面電位変化など）を非接触で正確に測定する。例文帳に追加

To measure the characteristics (charge quantity in a film, film thickness, specific inductive capacity, surface potential change derived from surface adsorption substance and the like) of an insulating film formed on the surface of a semiconductor substrate, correctly, by non-contact. - 特許庁

周囲光が変化した時、薄膜トランジスタ４００の漏電流もそれに従って変化し、コンデンサー５００の電位転換にかかる転換時間に変化が生じ、読出しスイッチがコンデンサー５００の電位をデータ読出し線３００に伝送することによって転換時間から周囲光の強度を算出する。例文帳に追加

When the ambient light changes, the leak current of the thin-film transistor 400 changes accordingly, and a changes take place in the transformation required for the potential transformation of the capacitor 500, and a readout switch calculates the intensity of the ambient light from the transformation switch by transferring the potential of the capacitor 500 to a data readout line 300. - 特許庁

このように、スパッタリング時のシリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とすることにより、Ａｌ合金配線膜の膜応力の経時変化量を小さくすることができ、半導体装置の出力（オフセット）の経時変化を小さくすることができる。例文帳に追加

By setting the bias voltage applied to the silicon substrate side during sputtering to 0 V or ground potential, a change with the passage of time in the film stress of the Al alloy interconnection film can be reduced, and a change with the passage of time can be reduced in the output (offset) of the semiconductor device. - 特許庁