膜電流系の英語

開放端電圧を低下させることなく増大した短絡電流密度を有するシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon thin film optoelectric transducer device which has a short-circuit current that is enhanced in current density without decreasing an open end voltage. - 特許庁

低いゲートリーク電流と無視しうるほど小さなゲートラグ、ドレインラグ、電流コラプス特性を有する、誘電体膜付きの窒化ガリウム系半導体エピタキシャル結晶基板を提供することにある。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-type semiconductor epitaxial crystal substrate with a dielectric film having a low gate leak current and an extremely low and negligible gate lag, a drain lag and current collapse characteristics. - 特許庁

容器１６内で培地内の細胞に少なくとも２つの異なる電流密度を与えるための電流密度生成手段として、面積の異なる透過性メインブレイン膜２３，２５，２７を電流系に対して直列に配設するよう構成した細胞培養装置。例文帳に追加

The cell culture apparatus is composed so as to arrange permeable membranous membranes 23, 25 and 27 having different areas in series relatively to a current system as a means for producing current densities in order to apply at least the two different current densities to the cells in a culture medium in a vessel 16. - 特許庁

基板上に形成される初期成膜の平均結晶粒径が３０ｎｍ以上であり、基板から膜の上表面に向かって柱状に成長した膜構造を備えていることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜及び基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成する際に、成膜初期から膜に電圧を印加し、電流を流しながら成膜することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法。例文帳に追加

In forming the zinc oxide-based transparent conductive film on the substrate, the film is formed while applying voltage and flowing current to the film from initial deposition. - 特許庁

ゲート絶縁膜にＧａＮ系半導体の熱酸化膜を用いたＧａＮ系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、素子の信頼性と動作電圧の向上を図った半導体装置を提供する例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein the leak current of a field-effect transistor is reduced by using a GaN-based semiconductor whose gate insulation film is made of a GaN-based semiconductor thermal oxide film and the reliability and the operation voltage of an element are improved. - 特許庁

ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ＺｎＯ膜を用いたときに装置全体の電流−電圧特性を改善することができるＧａＮ系半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN-based semiconductor device which has many GaN-based light emitting elements or GaN-based light receiving elements formed two dimensionally, and is improved in current-voltage characteristics on the whole device when using a ZnO film. - 特許庁

ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor substrate of a higher ON/OFF ratio of a drain current of a thin film transistor substrate containing an InMZnO semiconductor film. - 特許庁

短絡電流の高い多結晶シリコン膜系光起電力素子を与えるような実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜、及び該多結晶シリコン膜の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a polycrystalline silicon film which does not contain an amorphous silicon phase so as to provide a photovaltaic element based on a polycrystalline silicon film having a high short-circuit current, and a method for efficiently manufacturing the polycrystalline silicon film. - 特許庁