薄膜絶縁金属基板の英語

金属基板２の上に、グランド端子１３の形成位置にベース開口部３を有するベース絶縁層４を形成し、ベース開口部３内の金属基板２およびベース絶縁層４の上に、金属薄膜５を形成し、その金属薄膜５の上に、導体パターン７を形成する。例文帳に追加

A base insulating layer 4 having a base opening 3 in the forming position of a ground terminal 13 on a metal substrate 2, a metal thin film 5 is formed on the metal substrate 2 and the base insulating film 4 in the base opening 3, and a conductor pattern 7 is formed on the metal thin film 5. - 特許庁

絶縁基板上に薄膜の金属層を容易に形成でき、さらにエッチング後において絶縁基板上にエッチング残りが少なく、絶縁信頼性に優れた積層基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a laminated substrate which can easily form a metal membrane layer on an insulating substrate, reduces an etching residue on the insulating substrate after etching, and is excellent in reliability on insulation. - 特許庁

透明絶縁基板１上に少なくとも第１の金属膜２、陽極酸化膜３、第１の絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、第２の絶縁膜６、及び、第２の金属膜７を順に積層して薄膜半導体装置を構成する。例文帳に追加

At least, a first metallic film 2, an anode oxide film 3, a first insulating film 4, a polycrystalline silicon film 5, a second insulating film 6, and a second metallic film 7 are successively laminated on a transparent insulating substrate 1. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、基板（低濃度基板１１）と、基板上に形成された絶縁層（酸化膜１２）と、絶縁層上に形成された活性層１３と、基板の裏面に形成された金属層（金属薄膜１５）と、を有し、基板と金属層はオーミック接触する、ことを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the substrate (a lightly-doped substrate 11), an insulating layer (an oxide film 12) formed on the substrate, an active layer 13 formed on the insulating layer, and the metal layer (a metal thin film 15) formed on the backside of the substrate, the substrate and the metal layer having ohmic contact with each other. - 特許庁

真空減圧雰囲気下にて、原料ガスを基板８に照射して、半導体薄膜、金属薄膜または絶縁性薄膜を基板８上に形成する。例文帳に追加

Under the atmosphere of reduced pressure, a substrate 8 is irradiated with material gas, so that a semiconductor thin film, metal thin film, or insulating thin film is formed on the substrate 8. - 特許庁

そのうちの一方の基板上に第１の導電薄膜１と第１の絶縁膜２と第２の金属薄膜と第２の絶縁膜７と有機膜８とを備える。例文帳に追加

A first conductive thin film 1, a first insulating film 2, a second metal thin film, a second insulating film 7 and an organic film 8 are provided on one of the substrates. - 特許庁

金属薄膜のパターニングを容易に行うことができ、基板上に絶縁層が形成されていても絶縁性が損なわれることがない薄膜太陽電池用下部電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing the lower electrode of a thin film solar cell, which is capable of easily making a metal thin film into the lower electrode by patterning and hardly deteriorating the insulating properties of the lower electrode even if the insulating layer is formed on a board. - 特許庁

次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。例文帳に追加

Then a thin film 72 selected from among metal, a semiconductor and an insulator is formed on the substrate where the resist is formed (step S2). - 特許庁