表面プロットの英語

表面粗さの変化と、汚染物質の付着量とは、例えば平面座標にプロットする。例文帳に追加

The change of the surface roughness and the adhesion amount of the contamination material are plotted, for example on the plane coordinates. - 特許庁

コンピュータ１４は、任意角度における撮影画像から最大輝度ピクセルを抽出し、そのピクセルにおける変角輝度分布を算出して鏡面反射率パラメータｋｓ及び表面粗さパラメータσ２を算出してプロットする。例文帳に追加

The computer 14 extracts the maximum luminance pixel from the photographed image at an arbitrary angle, calculates the deformation luminance distribution at the pixel, and calculates the specular surface reflection factor parameter ks and the surface roughness parameter σ2 and carries out plotting. - 特許庁

半導体シリコンウェーハの表面にＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタのＴＤＤＢ測定を行うことにより得られるワイブルプロットの偶発不良（βモード破壊）率により、前記半導体シリコンウェーハの品質を評価する。例文帳に追加

MOS capacitors are formed on the surface of a semiconductor silicon wafer and the quality of the semiconductor silicon wafer is evaluated, on the basis of the accidental defects (β mode destruction) rate of Weibull plots obtained by performing a TDDB measurement of the MOS capacitors. - 特許庁

ここで最大高さからの距離をX、断面部分半径をYとして平面プロットした結果が探針先端形状を示し、計算により探針先端表面形状を反映した探針先端曲率半径Rと探針先端開き角2αを数値化した。例文帳に追加

The plane plotted result shows the shape of the probe tip with X as the distance from the maximum height and Y as the radius of the sectional portion, and the radius R of curvature and the opening angle 2a of the probe tip reflecting the surface shape of the probe tip are digitized by the calculation. - 特許庁

本翼形部１０のスパン方向局所部分における正圧及び負圧表面１２、１１の半径方向に対応する表面特性は、２以上の符号反転ポイントをもつ曲率半径を有するような該翼形部１０のキャンバ線Ｃ_R及び厚さ分布プロットＴ_Rの１以上を協働して定めるように形成される。例文帳に追加

The positive pressure and the negative pressure surfaces 12, 11 have radially corresponding surface characteristics at spanwise local portions of the airfoil 10 that cooperatively define one or more of a camber line C_R and a thickness distribution plot T_R of the airfoil 10 as having a radius of curvature with two or more sign inversion points. - 特許庁

式中、Ｖ１，Ｖ２及びＶ３は、感光体表面の電位をゼロに保持した状態で、現像バイアス電位を変化させて露光量がゼロで画像形成を行ったときに、現像バイアス電位と感光体表面電位（０Ｖ）との電位差に対して画像濃度をプロットして得られる現像特性曲線から算出されるパラメーターである。例文帳に追加

In the expressions, V1, V2 and V3 represent parameters calculated from a developing characteristic curve obtained by plotting the image density with reference to a potential difference between the developing bias potential and the photoreceptor surface potential (0 V) in the case of forming the image without exposure while keeping the potential of the photoreceptor surface zero and changing the developing bias. - 特許庁

結晶の分子鎖方向の軸がフィルム表面に対して平行に配向し、ＥＤＧＥ方向からの透過法２次元広角Ｘ線散乱測定による（１００）面の回折ピーク強度を方位角に対してプロットした際に現れるピークの半値全幅μから下記式１によって規定される結晶配向度Ｆが、７２．０％〜８９．３％であるポリ塩化ビニリデン系樹脂ラップフィルム。例文帳に追加

In this polyvinylidene chloride resin plastic wrap, the axis in the direction of the molecular chain of its crystal is oriented parallel to the film surface, and the crystalline orientation degree F, which is stipulated by formula 1:F=100×(180°-μ°)/180°, is calculated to be 72.0%-89.3% - 特許庁