超格子障壁の英語

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。例文帳に追加

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side. - 特許庁

半導体装置は、ＡｌＧａＮからなる障壁層１０４と、該障壁層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの超格子層１０５を含み且つ障壁層１０４を露出するゲートリセス１０８を有するキャップ層１０７と、該キャップ層１０７の上にゲートリセス１０８を挟んで対向するように形成されたソース電極１１０及びドレイン電極１１１とを有している。例文帳に追加

A semiconductor device has a barrier layer 104 comprising AlGaN, and a cap layer 107 formed on the barrier layer 104, having a gate recess 108 with the barrier layer 104 exposed, including a superlattice layer 105 of AlGaN/GaN, and a source electrode 110 and a drain electrode 111, formed on the cap layer 107 so as to be opposed to each other, with the gate recess 108 interposed in between. - 特許庁

また、本発明にかかる酸化物半導体超格子は、上記酸化亜鉛系半導体井戸層と上記酸化物障壁層の間にリン酸化物層またはホウ素酸化物層が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

Further, a phosphorus oxide layer or a boron oxide layer is formed between the zinc oxide base semiconductor well layer and the oxide barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice. - 特許庁

ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。例文帳に追加

The light-emitting element has an electron barrier layer 16 between an active layer 15 made of ZnSeTe or BeZnSeTe and a second guide layer 17 made of an MgSe/BeZnSeTe superlattice. - 特許庁

これにより、熱電変換素子１の性能を、半導体超格子からなる熱電変換素子であって、エネルギー障壁の大きさが０〜０．４ｅＶである熱電変換素子よりも高くすることができる。例文帳に追加

Thus, the performance of the thermoelectric transducer 1 can be made higher than a thermoelectric transducer which is composed of a semiconductor superlattice and has a size of the Schottky barrier of 0 to 0.4 eV. - 特許庁

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。例文帳に追加

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19. - 特許庁

本発明にかかる酸化物半導体超格子は、酸化亜鉛系半導体井戸層（たとえばＺｎＯ井戸層１１）とＩＡ族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層（たとえばＬｉＧａＯ_２障壁層１２）を含むものであり、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする。例文帳に追加

The oxide semiconductor super-lattice comprises an oxide barrier layer (LiGaO_2 barrier layer 12 for example) containing a zinc oxide base semiconductor well layer (ZnO well layer 11, for example) and an LA base alkaline metal while at least either phosphorus or boron is added into the zinc oxide base semiconductor well layer. - 特許庁

上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、ＡｌＧａＮ障壁層とＧａＮ井戸層とからなるＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層と、上記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層を上下に挟むように配置されるｎ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＡｌＧａＮ層とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A deep ultraviolet light-emitting element structure of a group III nitride semiconductor comprises: an AlGaN/GaN short-period superlattice layer composed of AlGaN barrier layers and GaN well layers; and an n-type AlGaN layer and a p-type AlGaN layer that are disposed so as to vertically sandwich the AlGaN/GaN short-period superlattice layer. - 特許庁