超格子表面の英語

表面劣化のない、ａｓ ｇｒｏｗｎで低抵抗な、ｐ型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a p-type superlattice structure which has no surface deterioration and as-grown low resistance, and its manufacturing method, as well as a high-performance group III nitride semiconductor element and a semiconductor light emitting element. - 特許庁

レンズ、マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ、及び回折格子などのガラス複合光学部品、微細または超微細マイクロ構造を有する表面レリーフディフューザーからモールディングする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for molding glass complex optical components such as lenses, microlens, arrays of microlenses, and gratings or surface-relief diffusers having fine or hyperfine microstructures. - 特許庁

基板結晶表面上に育成された超微細ナノワイヤ、基板結晶とその表面を覆うキャップ層の間に挟まれた、埋もれた超微細ナノワイヤ、あるいは、薄膜結晶などの超微細構造体に、0.1 nm以下の短波長X線を表面から数°以下の角度で入射させ、生じる回折X線を２次元X線検出器に短時間で一度に記録することにより、前記超微細構造体からの回折X線強度を逆格子空間において可視化し、その構造を迅速に解析する。例文帳に追加

Diffraction X rays generated are recorded in a two-dimensional X-ray detector at a stroke in a short period of time, thereby visualizing the intensity of diffraction X rays from the ultrafine structure in a reciprocal lattice space to rapidly analyze its structure. - 特許庁

ナノ・スケール不均一超伝導状態の研究を始めとして、磁束線格子の観測や磁束内電子状態の研究、さらには試料表面の凹凸像の観測に適用して好適な走査プローブ顕微鏡およびその使用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a scanning probe microscope suitably adapted to the study of the observation of the lattice of lines of magnetic induction or an electron state in a magnetic flux inlusive of the study of a nanoscale non-uniform superconductive state and the observation of the uneven image on the surface of a sample, and its using method. - 特許庁

本Ｂｉ_2Ｓｒ_2Ｃａ_2Ｃｕ_3Ｏ_X系超伝導薄膜は、Ｂｉ−２２１２を０〜約１１ｍｏｌ％の範囲で結晶格子毎に混合したものとすることで、経時変化が生じるアニール処理等を行うことなくキャリア濃度を適切なものとし、臨界電流密度Ｊ_cを大きくし、表面抵抗Ｒ_sを低くすることができる。例文帳に追加

In the superconductive thin film of Bi2Sr2Ca2Cu3Ox, the carrier concentration is made suitable without annealing treatment which causes the change with the lapse of time, the critical current density Jc is increased and the surface resistance Rs is lowered by mixing Bi-2212 in an concentration of 0 to about 11 mol.% every crystal lattice. - 特許庁

半導体基板と、この半導体基板の表面に形成されたチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が超格子単結晶絶縁体膜で形成されている。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a channel region formed on the surface of the semiconductor substrate, source and drain regions respectively formed on both sides of the channel region of the semiconductor region, a gate insulating film so formed as to cover the channel region, and a gate electrode formed on the insulating film, wherein the gate insulating film is formed by a super-lattice single-crystal insulator film. - 特許庁