超格子系の英語

a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO_4単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO_4単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。例文帳に追加

The method of manufacturing the a-axis oriented Bi-based oxide superconductor thin film involves an epitaxial growth process using an LaSrAlO_4 single crystal substrate of a (110) plane or an LaSrGaO_4 single crystal substrate of a (110) plane, for which the lattice constant matches well with the (100) plane of the Bi-based oxide superconductor film. - 特許庁

また、本発明にかかる酸化物半導体超格子は、上記酸化亜鉛系半導体井戸層と上記酸化物障壁層の間にリン酸化物層またはホウ素酸化物層が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

Further, a phosphorus oxide layer or a boron oxide layer is formed between the zinc oxide base semiconductor well layer and the oxide barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice. - 特許庁

第１、第２の反射膜１２、１４は、それぞれ、同一材料系の無秩序層２１と自然超格子層２２とが交互に多層にわたり積層されたものからなる。例文帳に追加

The first and second reflection films 12, 14 are formed by laminating a disorder layer 21 and a natural superlattice layer 22 of the same material system alternately in a multilayer. - 特許庁

Ｎ型ＧａＮ系層１４はＧａＮとＡｌＧａＮを交互に積層した超格子構造とし、ＧａＮにＳｉとＩｎをドープし、ＡｌＧａＮにＩｎをドープして発光効率を向上させる。例文帳に追加

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In. - 特許庁

またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。例文帳に追加

And also the quantum well structure comprises a gallium nitride based superlattice having at least two cycles of alternating layers of In_XGa_1-XN and In_YGa_1-YN (0≤X<1, 0≤Y<1 and X is not equal to Y). - 特許庁

また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。例文帳に追加

At least one superlattice layer having a thickness of approximately 10 nm or smaller is formed at the interface of Si and SiC, or Si and SiGeC-based layer, thus increasing crystallinity further. - 特許庁

ＺｎＴｅ系化合物半導体結晶において、ＺｎＴｅ系化合物半導体層の上にｎ型ＣｄＳｅとｎ型ＺｎＴｅとが積層されてなる超格子層またはＺｎＣｄＳｅＴｅの組成勾配層を含むｎ型コンタクト層を有するようにした。例文帳に追加

A ZnTe-based compound semiconductor crystal is constituted to have a superlattice layer, formed by laminating n-type CdSe and n-type ZnTe upon another or an n-type contact layer containing a ZnCdSeTe graded layer on a ZnTe-based compound semiconductor layer. - 特許庁

同様に、ＣｄＳｅ系化合物半導体結晶の場合は、ＣｄＳｅ系化合物半導体層の上にｐ型ＣｄＳｅとｐ型ＺｎＴｅとが積層されてなる超格子層またはＺｎＣｄＳｅＴｅの組成勾配層を含むｐ型コンタクト層を有するようにした。例文帳に追加

Similarly, a CdSe-based compound semiconductor crystal is constituted to have a superlattice layer, formed by laminating p-tye CdSe and p-type ZnTe upon another or a p-type contact layer including a ZnCdSeTe graded layer on a CdSe-based compound semiconductor layer. - 特許庁