超短チャネルの英語

高速低電圧バリスティックプログラム、超短チャネル、超高集積度、デュアルビット多準位のフラッシュメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a flash memory of fast low-voltage ballistic program, ultra-short channel, ultra-high integration level, and dual bit multi-level. - 特許庁

超短チャネル長化でき、Ｓｉ層厚一定によって閾値を変化させずにＯＮ電流を増加でき、さらにバックゲートにより閾値も動的に変更できる縦型トランジスタ構造を備えた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a longitudinal transistor structure capable of making a channel length extremely short, increasing an on-current with a Si layer thickness made constant without varying a threshold, and dynamically varying the threshold by a back gate, and a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

本プロセスで用いられる主要素は、１）ステップ構造を有するか、または無しで、超短チャネルおよびサイドウォール制御ゲートを製造するための、除去可能なサイドウォールの製造プロセス、および２）蓄積窒化膜および不純物膜上の制御ゲートの自己整合による形成である。例文帳に追加

The process comprises, as main components, 1) a process for manufacturing a removable side wall for manufacturing the ultra-short channel and the side wall control gate with or without a step structure, and 2) the formation of the control gate, by self-alignment, on a storage nitride film and the impurity film. - 特許庁

このように構成することによって、２個の量子点を応用した多値メモリを具現化することが可能となり、他のメモリとは異なってＭＯＳＦＥＴのスケールダウンによる短チャネル効果のような物理的限界に達することなく、１Ｔｂ以上の超高集積メモリを具現化することができる。例文帳に追加

By the above constitution, the multi-valued memory applying the two quantum points can be realized, is made different from the other memory and can be realize an extreme high integration memory of 1 Tb or more without attaining a physical limit such as short channel effect due to MOSFET scale- down. - 特許庁