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辺縁層の英語

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英訳・英語 marginal layer


JST科学技術用語日英対訳辞書での「辺縁層」の英訳

辺縁層


「辺縁層」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 390



例文

さらに、その絶33の上に周電極パターン34が形成される。例文帳に追加

Peripheral electrode patterns 34 are formed on the insulating layers 33. - 特許庁

端子接続15aと張出電極15b,15cとは溝A_1,A_2で区画されている。例文帳に追加

The terminal connecting layer 15a and the projected electrode layers 15b and 15c are sectioned by fringe slits A_1 and A_2. - 特許庁

部周は、一緒に結合された多孔質2と保持6のみ含むことができる。例文帳に追加

The periphery of the fringe part can include only the porous layer 2 and the holding layer 6 connected together. - 特許庁

シース13内で、絶コア部12がシース13の短方向に蛇行配置されている。例文帳に追加

Inside the sheath layer 13, the insulating core part 12 is arranged zigzag in the short side direction. - 特許庁

50は、突出部42の周領域に形成された第1の絶部52と、それ以外の第2の絶部54と、を含む。例文帳に追加

The insulating layer 50 includes a first insulating part 52 formed on the peripheral region of the projection 42, and a second insulating part 54 as the rest of the insulating layer 50. - 特許庁

この絶は、太陽電池パネル2の部と枠部材21の溝部22間を充分に絶することができる。例文帳に追加

This insulating layer is capable of sufficiently insulating the side edge parts of the solar cell panel 2 and the groove portions 22 of the frame member 21 from each other. - 特許庁

例文

パネル1は、長方形状の薄板状の積体2と、該積体2の1対の長部に沿う補強3とを有する。例文帳に追加

The laminated panel 1 includes a laminate 2 in a rectangular thin plate shape, and reinforcing layers 3 along edge parts of a pair of long sides of the laminate 2. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「辺縁層」の英訳

辺縁層


「辺縁層」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 390



例文

メモリセル領域Mと周回路領域Pとにおいて、間絶膜15がほぼ平坦になる。例文帳に追加

An interlayer insulating film 15 becomes substantially flat in the area M and a peripheral circuit region P. - 特許庁

光学効率を増加させる金属パターン周の絶の平坦化方法例文帳に追加

PLANARIZATION METHOD OF INSULATING LAYER AROUND METAL PATTERN FOR MAKING OPTICAL EFFICIENCY INCREASED - 特許庁

第2絶5は電子放出領域の周部の基板中に形成されている。例文帳に追加

The second insulating layer 5 is formed in the board in the peripheral part of the electron emitting area. - 特許庁

ウェハ1の周領域2の第3間絶膜に、ダミーパターン41を形成する。例文帳に追加

A dummy pattern 41 is formed in a third interlayer insulation film in a peripheral region 2 of a wafer 1. - 特許庁

溝(S1〜Sn)は、電池(2)の各ごとに概ね平行に加工される。例文帳に追加

The grooves (S1-Sn) are formed in nearly parallel with each other at every side of the layer 2. - 特許庁

一方、負電圧NMOSTr50は、周領域の第1の間絶膜11上にTFTとして形成されている。例文帳に追加

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region. - 特許庁

樹脂5の部の形状は、図示のように、側面から見ると丸みを持つように成形される。例文帳に追加

The shape of the edge part of the resin layer 5 is rounded when viewed from the side face. - 特許庁

例文

トレンチ絶膜31の第131A、及び第231Bとは、ピラー13、14の長手方向と略45°で交わる。例文帳に追加

The first side 31A and the second side 31B of the trench isolation film 31 intersect at about 45° in the longitudinal direction of the pillar layers 13, 14. - 特許庁

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「辺縁層」の英訳に関連した単語・英語表現

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