遷移金属薄膜の英語

遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを、７個以上１６個以下のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第１及び第２近接原子にシリコンが配置されている金属珪素化合物薄膜をチャネル領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In thin film transistor, a metal silicon compound thin film formed of a compound of a transition metal and silicon is used as a channel region, the compound of a transition metal and silicon containing, as a unit structure, a transition metal-containing silicon cluster in which the transition metal atoms are surrounded by 7-16 silicon atoms, and silicon atoms are located as the first and second nearest neighboring atoms of the transition metal. - 特許庁

金属薄膜抵抗体２１ａを基板表面１１に配置した薄膜抵抗器において、薄膜抵抗体２１ａがクロムとシリコンにバルブ金属又は遷移金属を加えた材料からなる。例文帳に追加

A metal thin-film resistor 21a is arranged on the surface of a board 11 for the formation of a thin-film resistor, in which the metal thin-film resistor 21a is formed of material composed of chrome, silicon, and valve metal or transition metal. - 特許庁

表面が第２の金属の酸化物を含む炭素質の薄膜で被覆されたリチウム含有遷移金属酸化物が得られる。例文帳に追加

The lithium containing transition metal oxide whose surface is coated with a carbonaceous thin film containing the oxide of the second metal is obtained. - 特許庁

ＩＴＯ膜、ならびに下地基板のガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに遷移金属のカチオン種を含む、遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を塗布し、加熱処理を施して、該遷移金属の薄膜層を生成する。例文帳に追加

The thin film layer of transition metal is formed by applying a solvent formed by dissolving transition metal compound, containing organic anion and cation of transition metal in organic solvent on the ITO film and on the surface of the glass substrate of a base substrate, and applying heat treatment thereto. - 特許庁

光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して透光性の第１の層を形成することと、第１の層の表面に、遷移金属カーバイド、遷移金属シリサイド、遷移金属ゲルマニドの少なくともいずれかを含む透光性薄膜３３を物理的蒸着により形成することとを有する。例文帳に追加

The method includes: forming a translucent first layer on an optical substrate 1 directly or through the other layer; and forming, on a surface of the first layer, a translucent thin film 33 including at least any one of transition metal carbide, transition metal silicide and transition metal germanide by means of physical vapor deposition. - 特許庁

ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種の金属とＩＶ族元素とを含み、軟磁性体である多結晶薄膜からなる微結晶金属薄膜１０２を含む。例文帳に追加

The magnetic recording medium comprises the microcrystal metal thin film 102 which is made of a polycrystal thin film which contains one or more kinds of metals selected from transition metals including nickel, iron, and cobalt and group IV elements and is a soft magnetic material. - 特許庁

真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。例文帳に追加

On a surface of a material W to be processed, a thin film is formed by heat treatment by using a transition metal containing material gas containing transition metals and an oxygen containing gas in a vacuumable treatment container 14. - 特許庁

真空引き可能になされた処理容器１４内で、銅を含む銅含有原料ガスと遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと還元ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成する。例文帳に追加

The thin film is formed on a surface of a substrate to be treated through a heat-treatment using a copper-containing gas, a transition metal-containing gas and a reduction gas in a vacuumable treatment container 14. - 特許庁